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日前，Vishay
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
薄型表面贴装封装。
低漏电流
高温焊接：
260 ℃/ 10秒。在终端
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
包装代码/选项：
GS18 - 每13 " 10卷K， （8毫米磁带） ， 50 K /盒
GS08 - 每7 "卷轴3 K， （8毫米磁带） ， 30 K /盒
重量：
约。 0.01克
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
T
A
= 25 °C
P
合计
测试条件
符号
价值
SEE
第2页
800
1)
mW
单位
1）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（ ≥ 40
m
厚）
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
1)
测试条件
符号
R
θJA
T
j
T
英镑
价值
180
150
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
°C
最高结温
存储温度范围
1）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（ ≥ 40
m
厚）
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
1
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
电气特性
最大V
F
= 1.2 V ，在我
F
= 200毫安
部分号码
记号
CODE
齐纳电压
范围
V
民
GZF3V6C
GZF3V9C
GZF4V3C
GZF4V7C
GZF5V1C
GZF5V6C
GZF6V2C
GZF6V8C
GZF7V5C
GZF8V2C
GZF9V1C
GZF10C
GZF11C
GZF12C
GZF13C
GZF15C
GZF16C
GZF18C
GZF20C
GZF22C
GZF24C
GZF27C
GZF30C
GZF33C
GZF36C
GZF39C
GZF43C
GZF47C
GZF51C
GZF56C
GZF62C
GZF68C
GZF75C
GZF82C
GZF91C
1)
1)
日前，Vishay
迪FF erential
阻力
r
DIF
@ I
Z
典型值
4
4
4
3
3
2
2
1
1
1
2
2
4
4
5
5
6
6
6
6
7
7
8
8
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
最大
8
8
7
7
6
4
3
3
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
温度
系数
α
Z
@ I
Z
%/°C
民
-0.14
-0.14
-0.12
-0.1
-0.08
-0.04
-0.01
0
0
0.03
0.03
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0.05
0.05
0.05
0.05
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0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
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0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
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最大
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-0.04
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-0.2
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0.08
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0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
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0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
TEST
当前
I
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
反向电流
反向电压
I
R
A
最大
100
50
25
10
5
10
5
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10
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1
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2
2
3
3
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8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
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33
36
39
43
47
51
56
62
68
V
R
V
V
Z
@ I
ZT
最大
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
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14.1
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17.1
19.1
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23.3
25.6
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W5
W6
W7
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WB
WC
WD
WE
WF
WG
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WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
X6
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3.7
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5.2
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7
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8.5
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18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
脉冲测试： TP
≤
5毫秒
www.vishay.com
2
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
日前，Vishay
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10
mA
3
10
2
10
IF
1
10
10
-1
TJ = 100℃
TJ = 25 C
-2
10
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17364
-4
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0
0.2
0.4
0.6
VF
0.8
1V
图1.正向特性
mW
800
P
TOT 600
400
200
0
17365
100
TAMB
200 °C
图2.容许功耗与环境温度
pF
1000
7
5
4
3
2
TJ = 25 C
V R = 1V
V R = 2V
CTOT
100
7
5
4
3
2
VR = 2V
V R = 1V
17366
10
1
2
3
4 5
10
VZ
2
3 4 5
100 V
图3.电容与齐纳电压
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
3
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
包装尺寸（mm）
阴极带
牛逼运查看
日前，Vishay
1.8
±
0.1
1.0
±
0.2
5
0.98
±
0.1
2.8
±
0.1
0.05 - 0.30
5
详细信息
Z
扩大
Z
0.60
±
0.25
0.00 - 0.10
3.7
±
0.2
1.6
1.3
1.4
17247
www.vishay.com
4
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
日前，Vishay
Blistertape献给SMF
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
PS
18513
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
5
日前，Vishay
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
薄型表面贴装封装。
低漏电流
高温焊接：
260 ℃/ 10秒。在终端
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
包装代码/选项：
GS18 - 每13 " 10卷K， （8毫米磁带） ， 50 K /盒
GS08 - 每7 "卷轴3 K， （8毫米磁带） ， 30 K /盒
重量：
约。 0.01克
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
T
A
= 25 °C
P
合计
测试条件
符号
价值
SEE
第2页
800
1)
mW
单位
1）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（ ≥ 40
m
厚）
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
1)
测试条件
符号
R
θJA
T
j
T
英镑
价值
180
150
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
°C
最高结温
存储温度范围
1）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（ ≥ 40
m
厚）
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
1
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
电气特性
最大V
F
= 1.2 V ，在我
F
= 200毫安
部分号码
记号
CODE
齐纳电压
范围
V
民
GZF3V6C
GZF3V9C
GZF4V3C
GZF4V7C
GZF5V1C
GZF5V6C
GZF6V2C
GZF6V8C
GZF7V5C
GZF8V2C
GZF9V1C
GZF10C
GZF11C
GZF12C
GZF13C
GZF15C
GZF16C
GZF18C
GZF20C
GZF22C
GZF24C
GZF27C
GZF30C
GZF33C
GZF36C
GZF39C
GZF43C
GZF47C
GZF51C
GZF56C
GZF62C
GZF68C
GZF75C
GZF82C
GZF91C
1)
1)
日前，Vishay
迪FF erential
阻力
r
DIF
@ I
Z
典型值
4
4
4
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3
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2
1
1
1
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2
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5
5
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7
8
8
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
最大
8
8
7
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2
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7
7
10
10
15
15
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15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
温度
系数
α
Z
@ I
Z
%/°C
民
-0.14
-0.14
-0.12
-0.1
-0.08
-0.04
-0.01
0
0
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0.03
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0.05
0.05
0.05
0.05
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0.06
0.06
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0.06
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0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
最大
-0.04
-0.04
-0.02
0
-0.2
0.04
0.06
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
TEST
当前
I
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
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10
10
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反向电流
反向电压
I
R
A
最大
100
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10
11
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13
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39
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68
V
R
V
V
Z
@ I
ZT
最大
3.8
4.1
4.6
5
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W5
W6
W7
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WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
脉冲测试： TP
≤
5毫秒
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2
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
日前，Vishay
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10
mA
3
10
2
10
IF
1
10
10
-1
TJ = 100℃
TJ = 25 C
-2
10
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10
17364
-4
-5
0
0.2
0.4
0.6
VF
0.8
1V
图1.正向特性
mW
800
P
TOT 600
400
200
0
17365
100
TAMB
200 °C
图2.容许功耗与环境温度
pF
1000
7
5
4
3
2
TJ = 25 C
V R = 1V
V R = 2V
CTOT
100
7
5
4
3
2
VR = 2V
V R = 1V
17366
10
1
2
3
4 5
10
VZ
2
3 4 5
100 V
图3.电容与齐纳电压
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
3
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
包装尺寸（mm）
阴极带
牛逼运查看
日前，Vishay
1.8
±
0.1
1.0
±
0.2
5
0.98
±
0.1
2.8
±
0.1
0.05 - 0.30
5
详细信息
Z
扩大
Z
0.60
±
0.25
0.00 - 0.10
3.7
±
0.2
1.6
1.3
1.4
17247
www.vishay.com
4
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
日前，Vishay
Blistertape献给SMF
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
PS
18513
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
5
BL
银河电子
V
Z
:
GZF3V6C---GZF91C
3.6 -- 91 V
800毫瓦
功耗：
齐纳二极管
特点
◇
硅平面功率齐纳二极管。
◇
低漏电流
◇
薄型表面贴装封装。
◇
高温焊接：
260 ℃ / 10 sec.at终端。
SOD-123FL
阴极带
顶视图
1.8 0.1
1.0 0.2
5°
2.8 0.1
0.05 0.30
0.98 0.1
机械数据
5
0.60 0.25
◇
案例： JEDEC SOD- 123FL ，模压塑料
◇
终端：每焊MIL-
STD- 202方法208
◇
极性：色环表示cathods结束
◇
重量： 0.006盎司， 0.02克
◇
安装位置：任意
3.7 0.2
最大额定值和热特性
参数
在T功耗
A
= 25 ℃ （注1 ）
正向电压@I
F
=200mA
最大热阻
结到环境
结温
存储温度范围
1）
(T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
P
合计
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
800
1.2
180
-55到+150
-55到+150
单位
mW
V
K / W
℃
℃
www.galaxycn.com
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板用3 × 3mm时，铜垫（ ≥40μm厚）
文档编号0284036
BL
银河电子
1.
电气特性
齐纳电压
范围
(1)
V
Z
@I
ZT
V
民
GZF3V6C
GZF3V9C
GZF4V3C
GZF4V7C
GZF5V1C
GZF5V6C
GZF6V2C
GZF6V8C
GZF7V5C
GZF8V2C
GZF9V1C
GZF10C
GZF11C
GZF12C
GZF13C
GZF15C
GZF16C
GZF18C
GZF20C
GZF22C
GZF24C
GZF27C
GZF30C
GZF33C
GZF36C
GZF39C
GZF43C
GZF47C
GZF51C
GZF56C
GZF62C
GZF68C
GZF75C
GZF82C
GZF91C
1 ）脉冲测试： tp≤5ms
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
TYPE
设备
记号
CODE
TEST
当前
I
ZT
mA
迪FF erential
阻力
r
DIF
@I
ZT
典型值
最大
8.0
8.0
7.0
7.0
6.0
4.0
3.0
3.0
2.0
2.0
4.0
4.0
7.0
7.0
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
温度
Coeffizient
αV
Z
@I
Z
%/℃
民
-0.14
-0.14
-0.12
-0.1
-0.08
-0.04
-0.01
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
最大反向
漏电流
I
R
A
最大
100
50
25
10
5.0
10
5.0
10
50
10
10
7.0
4.0
3.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.0
3.0
5.0
7.5
8.2
9
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
V
R
V
最大
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5.0
最大
-0.04
-0.04
-0.02
0
0.2
0.04
0.06
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
4.0
4.0
4.0
3.0
3.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
8.0
8.0
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
www.galaxycn.com
文档编号0284036
BL
银河电子
2.
收视率和特性曲线
图1 -
典型正向特性
GZF3V6C - - - GZF91C
10
mA
3
10
2
10
IF
1
10
10
-1
TJ = 100℃
TJ = 25 C
-2
10
-3
10
10
-4
-5
0
0.2
0.4
0.6
VF
0.8
1V
图2 - 容许功耗与环境温度
mW
800
P
TOT 600
400
200
0
100
TAMB
200 °C
www.galaxycn.com
文档编号0284036
BL
银河电子
3.
日前，Vishay
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
薄型表面贴装封装。
低漏电流
高温焊接：
260 ℃/ 10秒。在终端
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF
）塑料外壳
包装代码/选项：
GS18 - 每13 " 10卷K， （8毫米磁带） ， 50 K /盒
GS08 - 每7 "卷轴3 K， （8毫米磁带） ， 30 K /盒
重量：
约。 0.01克
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
T
A
= 25 °C
P
合计
测试条件
符号
价值
SEE
第2页
800
1)
mW
单位
1）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（ ≥ 40
m
厚）
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
1)
测试条件
符号
R
θJA
T
j
T
英镑
价值
180
150
- 55至+ 150
单位
K / W
°C
°C
最高结温
存储温度范围
1）安装在环氧玻璃印刷电路板用的3×3毫米，铜焊盘（ ≥ 40
m
厚）
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
1
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
电气特性
最大V
F
= 1.2 V ，在我
F
= 200毫安
部分号码
记号
CODE
齐纳电压
范围
V
民
GZF3V6C
GZF3V9C
GZF4V3C
GZF4V7C
GZF5V1C
GZF5V6C
GZF6V2C
GZF6V8C
GZF7V5C
GZF8V2C
GZF9V1C
GZF10C
GZF11C
GZF12C
GZF13C
GZF15C
GZF16C
GZF18C
GZF20C
GZF22C
GZF24C
GZF27C
GZF30C
GZF33C
GZF36C
GZF39C
GZF43C
GZF47C
GZF51C
GZF56C
GZF62C
GZF68C
GZF75C
GZF82C
GZF91C
1)
1)
日前，Vishay
迪FF erential
阻力
r
DIF
@ I
Z
典型值
4
4
4
3
3
2
2
1
1
1
2
2
4
4
5
5
6
6
6
6
7
7
8
8
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
最大
8
8
7
7
6
4
3
3
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
温度
系数
α
Z
@ I
Z
%/°C
民
-0.14
-0.14
-0.12
-0.1
-0.08
-0.04
-0.01
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
最大
-0.04
-0.04
-0.02
0
-0.2
0.04
0.06
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
TEST
当前
I
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
反向电流
反向电压
I
R
A
最大
100
50
25
10
5
10
5
10
50
10
10
7
4
3
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3
3
5
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
V
R
V
V
Z
@ I
ZT
最大
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
脉冲测试： TP
≤
5毫秒
www.vishay.com
2
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
日前，Vishay
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10
mA
3
10
2
10
IF
1
10
10
-1
TJ = 100℃
TJ = 25 C
-2
10
-3
10
10
17364
-4
-5
0
0.2
0.4
0.6
VF
0.8
1V
图1.正向特性
mW
800
P
TOT 600
400
200
0
17365
100
TAMB
200 °C
图2.容许功耗与环境温度
pF
1000
7
5
4
3
2
TJ = 25 C
V R = 1V
V R = 2V
CTOT
100
7
5
4
3
2
VR = 2V
V R = 1V
17366
10
1
2
3
4 5
10
VZ
2
3 4 5
100 V
图3.电容与齐纳电压
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
3
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
包装尺寸（mm）
阴极带
牛逼运查看
日前，Vishay
1.8
±
0.1
1.0
±
0.2
5
0.98
±
0.1
2.8
±
0.1
0.05 - 0.30
5
详细信息
Z
扩大
Z
0.60
±
0.25
0.00 - 0.10
3.7
±
0.2
1.6
1.3
1.4
17247
www.vishay.com
4
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
日前，Vishay
Blistertape献给SMF
GZF3V6C到GZF91C
威世半导体
PS
18513
文档编号85769
修订版1.7 28 -JAN- 04
www.vishay.com
5
GZF3V6C-GZF91C
齐纳二极管
V
Z
:
3.6 -- 91 V
800毫瓦
功耗：
特点
◇
◇
◇
◇
硅平面功率齐纳二极管。
低漏电流
薄型表面贴装封装。
高温焊接：
260 ℃ / 10 sec.at终端。
1.9± 0.1
SOD-123FL
阴极带
顶视图
2.8
±
0.1
1.4± 0.15
0.10-0.30
0.6
±
0.25
3.7
±
0.2
机械数据
◇
◇
◇
◇
◇
案例： JEDEC SOD- 123FL ，模压塑料
终端：每焊MIL-
STD- 202方法208
极性：色环表示cathods结束
重量： 0.006盎司， 0.02克
安装位置：任意
单位：毫米
最大额定值和热特性
参数
在T功耗
A
= 25 ℃ （注1 ）
正向电压@I
F
=200mA
最大热阻
结到环境
结温
存储温度范围
1）
(T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
P
合计
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
800
1.2
180
-55到+150
-55到+150
1.0
±
0.2
单位
mW
V
K / W
℃
℃
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板用3 × 3mm时，铜垫（ ≥40μm厚）
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
GZF3V6C-GZF91C
齐纳二极管
电气特性
设备
记号
CODE
齐纳电压
范围
(1)
V
Z
@I
ZT
V
民
GZF3V6C
GZF3V9C
GZF4V3C
GZF4V7C
GZF5V1C
GZF5V6C
GZF6V2C
GZF6V8C
GZF7V5C
GZF8V2C
GZF9V1C
GZF10C
GZF11C
GZF12C
GZF13C
GZF15C
GZF16C
GZF18C
GZF20C
GZF22C
GZF24C
GZF27C
GZF30C
GZF33C
GZF36C
GZF39C
GZF43C
GZF47C
GZF51C
GZF56C
GZF62C
GZF68C
GZF75C
GZF82C
GZF91C
1 ）脉冲测试： tp≤5ms
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
WY
WZ
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
TEST
当前
I
ZT
mA
迪FF erential
阻力
r
DIF
@I
ZT
典型值
最大
8.0
8.0
7.0
7.0
6.0
4.0
3.0
3.0
2.0
2.0
4.0
4.0
7.0
7.0
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
温度
Coeffizient
αV
Z
@I
Z
%/℃
民
-0.14
-0.14
-0.12
-0.1
-0.08
-0.04
-0.01
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
最大反向
漏电流
I
R
A
最大
100
50
25
10
5.0
10
5.0
10
50
10
10
7.0
4.0
3.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.0
3.0
5.0
7.5
8.2
9
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
TYPE
V
R
V
最大
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5.0
最大
-0.04
-0.04
-0.02
0
0.2
0.04
0.06
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
4.0
4.0
4.0
3.0
3.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
8.0
8.0
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
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GZF3V6C-GZF91C
齐纳二极管
评级和Charactieristic曲线
图1 -
典型正向特性
10
10
mA
3
2
10
IF
1
10
10
10
-1
TJ = 100℃
TJ = 25 C
-2
-3
-4
10
10
-5
0
0.2
0.4
0.6
VF
0.8
1V
图2 - 容许功耗与环境温度
mW
800
P
TOT 600
400
200
0
100
TAMB
200 °C
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GAL16V8AS-20EC1
G65SC32P-4
GS882V18BD-200I
GS8321ZV18E-225I
GP10Q
G53AD-DC6K
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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