无铅电镀产品
颁发日期: 2005/02/17
修订日期:
GL9435
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
50m
-6A
该GL9435提供设计师与快速切换的最佳组合,低导通电阻和
成本效益。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速切换
描述
特点
包装尺寸
SOT-223
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
10 C
0C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
C
13吨YP 。
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
-30
f 25
-6.0
-4.8
-20
2.7
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
45
单位
/W
GL9435
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颁发日期: 2005/02/17
修订日期:
电气特性( TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编)
分钟。
-30
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.02
-
10
-
-
-
-
-
9.2
2.8
5.2
11
8
25
17
507
222
158
马克斯。
-
-
-3.0
-
D
100
-1
-25
50
100
16
-
-
-
-
-
-
912
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
参考25 :我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-5.3A
25V
V
GS
= D
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ,我
D
=-5.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.2A
I
D
=-5.3A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
G
=6
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 70 : )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
29
20
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= -2.3A ,V
GS
=0V
I
S
= -5.3A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 120 : /安装在闽当W 。铜垫。
GL9435
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修订日期:
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间电路
图12.栅极电荷波形
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中国:
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电话: 86-21-5895-7671 4传真: 86-21-38950165
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