GALVANTECH
公司
异步
SRAM
特点
快速存取时间： 10，12， 15and 20ns的
快速OE ＃访问时间： 5 ， 6 ， 7和为8ns
+ 3.3V单电源+ 0.3V电源
全静态 - 无时钟或定时选通脉冲必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
中心的电源和接地引脚更大的抗噪声能力
功能性和革命性的引脚JEDEC标准
易内存扩展与CE ＃和OE ＃选项
自动CE＃断电
高性能，低功耗的CMOS
双层多晶硅，双金属工艺
GVT73128A8
革命引脚128K ×8
128K ×8 SRAM
+ 3.3V电源，单芯片使能
革命引脚
一般DESCRIPTIO
该GVT73128A8是作为一个131,072 ×8 SRAM
使用四晶体管存储器单元具有高的性能，
硅栅，低功耗的CMOS工艺。 Galvantech的SRAM
使用双层多晶硅，双层被制造
金属技术。
该器件提供中心的电源和地引脚
改进的性能和抗干扰能力。静态设计
省去了外部时钟或定时选通信号。为
增加了系统的灵活性和消除总线争
的问题，此设备提供芯片使能（ CE ＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）这个组织。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE ＃）和芯片使能（CE ＃ ）输入都是低电平。
当（ CE ＃ ）和（ OE ＃ ）变为低电平读完成
与（ WE＃ ）居高不下。该器件提供了一个低功耗
当芯片处于未选中待机模式。这允许系统
设计人员能够满足低待机功耗要求。
选项
定时
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
套餐
32引脚SOJ （ 400万）
32引脚SOJ （ 300万）
耗电量
标准
低
温度
广告
产业
记号
-10
-12
-15
-20
J
SJ
A3
A2
A1
A0
CE＃
DQ1
DQ2
VCC
VSS
DQ3
DQ4
WE＃
A16
A15
A14
A13
引脚分配
32引脚SOJ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
无
L
无
I
(
0°C
to
70°C)
(
-40°C
to
85°C)
A4
A5
A6
A7
OE ＃
DQ8
DQ7
VSS
VCC
DQ6
DQ5
A8
A9
A10
A11
A12
Galvantech ，公司3080 Oakmead村道，圣克拉拉，加利福尼亚州95051
电话：（ 408 ） 566-0688传真：（ 408 ） 566-0699网站http://www.galvantech.com
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e
产品或规格，恕不另行通知
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股份有限公司。
功能框图
GVT73128A8
革命引脚128K ×8
VCC
VSS
A0
DQ1
行解码器
地址缓冲器
存储阵列
512行×256× 8
柱
I / O控制
DQ8
CE＃
WE＃
OE ＃
A16
列解码器
动力
下
真值表
模式
读
写
输出DISABL ê
待机
CE＃
L
L
L
H
WE＃
H
L
H
X
OE ＃
L
X
H
X
DQ
Q
D
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
PIN描述S
SOJ引脚
号码
4, 3, 2, 1, 32, 31, 30,
29, 21, 20, 19, 18,
17, 16, 15, 14, 1 3
12
5
符号
A0-A16
TYPE
输入
描述
地址输入：这些输入确定哪些单元格地址。
WE＃
CE＃
输入
写使能：此输入确定的周期是读或写周期。 WE＃为低
对于写周期，高表示读周期。
芯片使能：此低电平输入用于启动设备。当CE ＃为低电平时，
芯片被选中。当CE＃为高电平时，芯片将被禁用，自动进入
备用电源模式。
输入
28
6, 7,10, 11,
22, 23, 26, 2 7
8, 24
9, 25
OE ＃
DQ1-DQ8
VCC
VSS
输出使能：此低电平输入使能输出驱动器。
输入/ Outpu吨SRAM数据I / O ：数据输入和数据输出S
供应
供应
电源： 3.3V
+
0.3V
地
输入
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绝对最大额定值*
电压VCC电源相对于VSS ........- 0.5V至+ 4.6V
V
IN
.................................................. ........- 0.5V至VCC + 0.5V
存储温度（塑料） ..........................- 55
o
C至+ 125
o
结温................................................ ..... + 125
o
功耗................................................ ........... 1.0W
短路输出电流....................................... 50毫安
GVT73128A8
革命引脚128K ×8
*强调高于绝对最大的“上市
评级“可能对device.This永久性损坏是一种应激
值仅为器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性
.
DC电气特性和推荐使用的条件S
（全温度范围; VCC = 3.3V + 0.3V除非另有说明）
描述
输入高电平（逻辑1 ） voltag
输入低电平（逻辑0 ） Voltag
输入漏柯伦吨
输出泄漏柯伦吨
输出高Voltag ê
输出低Voltag ê
供应Voltag ê
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用，
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
条件
符号
V
IH
V
Il
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
VCC
民
2.2
-0.5
-5
-5
2.4
最大
VCC+0.5
0.8
5
5
单位
V
V
uA
uA
V
笔记
1, 2
1, 2
1
1
1
0.4
3.0
3.6
V
V
描述
电源
当前：操作系克
TTL Standb
CMOS Standb
条件
设备选择; CE＃ < V
IL
; VCC = MAX ;
f=f
最大
;输出 1194
CE＃ >V
IH
; VCC = MAX ; F = F
最大
CE1 ＃ >VCC -0.2 ; VCC = MAX ;
所有其它输入< VSS 0.2或>VCC -0.2 ;
所有输入静态的; F = 0
符号
ICC
I
SB1
I
SB2
典型值
60
12
0.02
动力
-10
140
130
30
25
10
0.75
-12
120
110
25
20
10
0.75
-15
100
90
20
17
10
0.75
-20
80
70
17
15
10
0.75
单位
笔记
mA
mA
mA
3, 14
14
14
标准
低
标准
低
标准
低
电容
描述
输入Capacitanc ê
输入/输出电容（ DQ ）
条件
T
A
= 25
o
℃; F = 1 MH
VCC = 3.3 V
符号
C
I
C
I / O
最大
6
8
单位
pF
pF
笔记
4
4
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AC电气特性
（注5 ） （全温度范围; VCC = 3.3V
+
0.3V)
描述
读周期
读周期添é
地址访问添é
芯片使能接入添é
从地址嫦娥输出保持
芯片使能为低收入Z输出
芯片禁止在高Z输出
输出使能接入添é
输出使能到低收入Z输出
输出使能在高Z输出
芯片使能到电添é
芯片禁用断电添é
写CYCL
e
写周期添é
芯片使能令状电子商务结束
地址有效的写操作结束，与OE ＃
高
地址设置添é
从令状电子商务结束地址保持
写脉冲WIDT
写脉冲宽度，以OE ＃ HIG
数据建立恬ê
数据保持添é
写禁用在低收入Z输出
写使能在高Z输出
t
t
t
t
t
t
GVT73128A8
革命引脚128K ×8
- 10
符号
民
最大
- 12
民
最大
- 15
民
最大
- 20
民
MAN
单位备注
RC
AA
10
10
10
3
3
5
5
0
5
0
10
10
8
8
0
0
10
8
5
0
3
5
12
12
12
4
4
6
6
0
6
0
12
12
8
8
0
0
10
8
5
0
4
6
15
15
15
4
4
7
7
0
7
0
15
15
9
9
0
0
11
9
6
0
5
7
20
20
20
4
4
8
8
0
8
0
20
20
10
10
0
0
12
10
7
0
5
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 7
4, 6, 7
4, 6
4
4
4, 7
4, 6, 7
t
t
ACE
t
OH
LZCE
t
t
HZCE
AOE
LZOE
t
t
HZOE
PU
PD
WC
CW
AW
t
t
AS
t
AH
t
WP2
t
WP1
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
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AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
0V至3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
GVT73128A8
革命引脚128K ×8
输出负载
Q
DQ
Z
0
Z
=
= 50
50
0
50
50
VT 1.5V
VT =
=
1.5V
图。 1输出负载等效
图。 1输出负载等效
3.3v
+5V
317
480
DQ
Q
351
255
30 pF的
30 pF的
5 pF的
图。 2输出负载等效
图。 2输出负载等效
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
参考VSS （ GND）所有电压。
过冲：
冲：
V
IH
≤
+ 6.0V为吨
≤
t
RC / 2 。
V
IL
≤
-2.0V对于T
≤
t
RC / 2
8.
9.
WE ＃为高电平读周期。
设备被连续地选择。芯片使能和输出使能
被关押在他们的工作状态。
I
cc
给出无输出电流。我
cc
以更大的增长
输出负载和更快的循环时间。
这个参数进行采样。
试验条件所指定的输出负载，如图
图。 1 ，除非另有说明。
输出负载被指定为C
L
= 5pF的如图2.过渡
从稳态电压测量+ 500mV的。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE少
比
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
10.地址有效之前，或暗合，最新出现的芯片
启用。
11.
t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能和写使能可以启动和终止
写周期。
13.电容降额适用于电容来自不同
在图中所示的负载电容。 1 。
14.典型值在3.3V测量， 25
o
C和20ns的周期时间。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
VCC为保留的DAT
数据保留柯伦吨
CE＃ >VCC -0.2 ;
所有其它输入< VSS 0.2
或>VCC -0.2 ;
所有输入静态的; F = 0
VCC = 2V
VCC = 3V
条件
符号
民
2
典型值
最大
单位
V
笔记
V
DR
I
CCDR
I
CCDR
t
CDR
t
R
2
3
0
400
600
uA
uA
ns
ns
13
13
4
4, 11
芯片取消到
数据保留蒂姆· ê
操作恢复蒂姆· ê
t
RC
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