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GT5G103

东芝绝缘栅双极晶体管

硅N沟道IGBT

GT5G103

频闪闪光灯应用

第三代

高输入阻抗

低饱和电压： V

CE （SAT）

= 8 V （最大值）（我

= 130 A)

增强型

4.5 V门极驱动

(A)

单位：mm

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

特征

集电极 - 发射极电压

极 - 发射极电压

集电极电流

集电极电源

耗散

脉冲

1毫秒

TA = 25°C

TC = 25°C

符号

CES

GES

英镑

等级

400

±6

±8

130

1.3

150

55~150

单位

°C

(B)

结温

存储温度范围

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和在显著变化

JEDEC

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

JEITA

工作温度/电流/电压等）内的绝对

东芝（ A） 2-7B5C （B ） 2-7B6C

最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

重量：0.58克（典型值）。

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，

估计的故障率，等）。

电气特性（Ta = 25 ° C）

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开关时间

开启时间

下降时间

关断时间

热阻

符号

GES

CES

GE （ OFF ）

CE （SAT）

IES

关闭

日（J -C ）

―

测试条件

= 6 V, V

= 0

= 400 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 5 V

= 130 A，V

= 4.5 V （脉冲）

= 10 V, V

= 0中，f = 1 MHz的

民

―

0.5

―

典型值。

―

1900

0.9

1.1

2.0

2.4

―

最大

1.2

―

6.25

C / W

μs

单位

μA

此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。

2006-11-02

GT5G103

2006-11-02

GT5G103

2006-11-02

GT5G103

2006-11-02

GT5G103

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2006-11-02

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