GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
600V
正向电流
5.0A
反向恢复时间
30ns
超高速整流器
ITO - 220AC （ GURF5H60 ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AC （ GUR5H60 ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
例
1
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
销2
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
销1
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO- 263AB （ GURB5H60 ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
的K - 散热片
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.33
(8.38)
尺寸以英寸
（毫米）
0.63
(17.02)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.12
(3.05)
特点
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合续流二极管和功率因数
校正的应用
=低泄漏
超快恢复时间高效率
理想二极管调制和二次DC / DC
输出整流
玻璃钝化结
文档编号88650
02-Jul-02
机械数据
案例：
JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接符合CECC
802 /回流焊保证
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
R
T
J
, T
英镑
V
ISOL
价值
600
480
420
600
5.0
90
10
-55到+150
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
单位
V
V
V
V
A
A
mJ
°C
V
最大重复峰值反向电压
最大工作电压反向
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）在T
C
= 100°C
逆向能源
工作结存储温度范围
RMS隔离电压（ GURF仅种）
从终端到散热片采用t = 1.0秒，相对湿度
≤
30%
电气特性
(T
参数
最大瞬时
正向电压
(4)
最大DC反向电流在V
RWM
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
F
= 5A ，T
J
= 25°C
I
F
= 5A ，T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
F
I
R
t
rr
价值
1.8
1.6
20
400
30
单位
V
A
ns
热特性
(T
参数
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
GUR
2
GURF
3
GURB
2
单位
° C / W
结点的典型热阻到外壳
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
GUR5H60
GURF5H60
GURB5H60
例
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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2
文档编号88650
02-Jul-02
GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
6
5
4
3
GURF5H60
2
GUR5H60
GURB5H60
100
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
175
平均正向电流（ A）
80
60
40
1
0
0
25
50
75
100
125
150
20
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
循环次数的AT 60H的
Z
图。 3 - 典型的反向电流
1,000
100
图。 4 - 典型正向Volyage
正向电流（A ）
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
T
J
= 150°C
10
T
J
= 100°C
1
T
J
= 150°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
0.1
0.01
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
的峰值反向电压百分比（ ％ ）
正向电压（ V）
图。 5 - 典型结电容
1000
T
J
= 25°C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50mVp -P
100
结电容（pF ）
10
1
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
文档编号88650
02-Jul-02
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3
GUR5H60 ， GURF5H60 & GURB5H60
威世通用半导体
超快整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
玻璃钝化结
超快恢复时间
低开关损耗，效率高
高正向浪涌能力
2
1
2
GUR5H60
销1
销2
1
GURF5H60
销1
例
销2
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ，
245 ° C（用于TO- 263AB LF最大峰值
包）
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
TO-263AB
K
2
1
GURB5H60
销1
销2
K
散热器
典型应用
对于在高电压和高频率功率使用
因数校正器，续流二极管和二级
直流到直流整流的应用。
机械数据
案例：
TO- 220AC ， ITO - 220AC ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
5.0 A
600 V
90 A
30纳秒
1.6 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大工作电压反向
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
逆向能源
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AC只）
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
V
RWM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
R
T
J
, T
英镑
V
AC
价值
600
480
420
600
5
90
10
- 55至+ 150
1500
单位
V
V
V
V
A
A
mJ
°C
V
文档编号： 88650
修订： 06 - 8 - 07
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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GUR5H60 ， GURF5H60 & GURB5H60
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
反向电流最大DC
最大反向恢复时间
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
I
F
= 5 A
V
RWM
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
符号
V
F
I
R
t
rr
价值
1.8
1.6
20
400
30
单位
V
A
ns
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
结点的典型热阻到外壳
符号
R
θJC
GUR
2.0
GURF
3.0
GURB
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
GUR5H60-E3/45
GURF5H60-E3/45
GURB5H60-E3/45
GURB5H60-E3/81
GUR5H60HE3/45
(1)
GURF5H60HE3/45
(1)
GURB5H60HE3/45
(1)
GURB5H60HE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.80
1.95
1.33
1.33
1.80
1.95
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
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文档编号： 88650
修订： 06 - 8 - 07
GUR5H60 ， GURF5H60 & GURB5H60
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
6
100
5
GUR5H60
GURB5H60
正向电流（A ）
平均正向电流（ A）
10
T
J
= 100 °C
1
T
J
= 150 °C
4
3
GURF5H60
2
T
J
= 25 °C
0.1
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
外壳温度（ ° C）
正向
电压
(V)
图1.正向电流降额曲线
图4.典型正向电压
100
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
峰值正向浪涌电流（ A）
80
60
40
结电容（pF ）
10
20
0
1
10
100
1
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
图5.典型结电容
1000
瞬时反向电流（ μA ）
100
T
J
= 150 °C
10
1
T
J
= 100 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
20
40
60
80
100
峰值反向百分比
电压
(%)
图3.典型的反向电流
文档编号： 88650
修订： 06 - 8 - 07
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GUR5H60 ， GURF5H60 & GURB5H60
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AC
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148 （ 3.74 ） DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
例
ITO-220AC
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.404
0.384
0.076
(1.93)
45 ° REF 。
(10.26)
(9.75)
REF 。
REF 。
见注
见注
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7 ° REF 。
0.076参考。
（ 1.93 ）参考。 0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.671 (17.04)
7 ° REF 。
0.651 (16.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
2
1
铜曝光
0.010 （0.25 ）最大。
针
2
7 ° REF 。
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
注意：
铜接触是允许的0.005 （ 0.13 ）最大。从
体
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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文档编号： 88650
修订： 06 - 8 - 07
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日前，Vishay
放弃
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
600V
正向电流
5.0A
反向恢复时间
30ns
超高速整流器
ITO - 220AC （ GURF5H60 ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AC （ GUR5H60 ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
例
1
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
销2
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
销1
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO- 263AB （ GURB5H60 ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
的K - 散热片
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.33
(8.38)
尺寸以英寸
（毫米）
0.63
(17.02)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.12
(3.05)
特点
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合续流二极管和功率因数
校正的应用
=低泄漏
超快恢复时间高效率
理想二极管调制和二次DC / DC
输出整流
玻璃钝化结
文档编号88650
02-Jul-02
机械数据
案例：
JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接符合CECC
802 /回流焊保证
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
R
T
J
, T
英镑
V
ISOL
价值
600
480
420
600
5.0
90
10
-55到+150
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
单位
V
V
V
V
A
A
mJ
°C
V
最大重复峰值反向电压
最大工作电压反向
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）在T
C
= 100°C
逆向能源
工作结存储温度范围
RMS隔离电压（ GURF仅种）
从终端到散热片采用t = 1.0秒，相对湿度
≤
30%
电气特性
(T
参数
最大瞬时
正向电压
(4)
最大DC反向电流在V
RWM
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
F
= 5A ，T
J
= 25°C
I
F
= 5A ，T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
F
I
R
t
rr
价值
1.8
1.6
20
400
30
单位
V
A
ns
热特性
(T
参数
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
GUR
2
GURF
3
GURB
2
单位
° C / W
结点的典型热阻到外壳
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
GUR5H60
GURF5H60
GURB5H60
例
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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文档编号88650
02-Jul-02
GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
6
5
4
3
GURF5H60
2
GUR5H60
GURB5H60
100
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
175
平均正向电流（ A）
80
60
40
1
0
0
25
50
75
100
125
150
20
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
循环次数的AT 60H的
Z
图。 3 - 典型的反向电流
1,000
100
图。 4 - 典型正向Volyage
正向电流（A ）
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
T
J
= 150°C
10
T
J
= 100°C
1
T
J
= 150°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
0.1
0.01
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
的峰值反向电压百分比（ ％ ）
正向电压（ V）
图。 5 - 典型结电容
1000
T
J
= 25°C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50mVp -P
100
结电容（pF ）
10
1
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
文档编号88650
02-Jul-02
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GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
600V
正向电流
5.0A
反向恢复时间
30ns
超高速整流器
ITO - 220AC （ GURF5H60 ）
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DIA 。
0.122 (3.08)
TO- 220AC （ GUR5H60 ）
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.154 (3.91)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
2
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
例
1
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.060 (1.52)
销1
销2
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
销1
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO- 263AB （ GURB5H60 ）
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局TO- 263AB
0.42
(10.66)
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
1
K
2
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
的K - 散热片
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.33
(8.38)
尺寸以英寸
（毫米）
0.63
(17.02)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.12
(3.05)
特点
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合续流二极管和功率因数
校正的应用
=低泄漏
超快恢复时间高效率
理想二极管调制和二次DC / DC
输出整流
玻璃钝化结
文档编号88650
02-Jul-02
机械数据
案例：
JEDEC TO - 220AC ， ITO - 220AC & TO- 263AB
模压塑体
终端：
镀线索，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
高温焊接符合CECC
802 /回流焊保证
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
最大10磅
重量：
0.08盎司， 2.24克
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1
GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
威世半导体
原通用半导体
最大额定值
参数
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
RWM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
R
T
J
, T
英镑
V
ISOL
价值
600
480
420
600
5.0
90
10
-55到+150
4500
(1)
3500
(2)
1500
(3)
单位
V
V
V
V
A
A
mJ
°C
V
最大重复峰值反向电压
最大工作电压反向
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）在T
C
= 100°C
逆向能源
工作结存储温度范围
RMS隔离电压（ GURF仅种）
从终端到散热片采用t = 1.0秒，相对湿度
≤
30%
电气特性
(T
参数
最大瞬时
正向电压
(4)
最大DC反向电流在V
RWM
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
F
= 5A ，T
J
= 25°C
I
F
= 5A ，T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
F
I
R
t
rr
价值
1.8
1.6
20
400
30
单位
V
A
ns
热特性
(T
参数
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
R
θJC
GUR
2
GURF
3
GURB
2
单位
° C / W
结点的典型热阻到外壳
注意事项：
（ 1 ）固定夹（案例），其中铅不重叠散热器与0.110 “偏移
（ 3 ）螺钉安装有4-40螺丝，垫圈，其中直径为
≤
4.9 mm (0.19”)
（ 2 ）固定夹（案例），其中导线不重叠散热器
（4 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
订购信息
产品
GUR5H60
GURF5H60
GURB5H60
例
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
封装代码
45
45
31
45
81
封装选项
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
防静电管， 50 /管， 2K /箱
防静电13 “卷轴， 800 /卷， 4.8K /箱
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02-Jul-02
GUR5H60 ， GURF5H60 ， GURB5H60
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
6
5
4
3
GURF5H60
2
GUR5H60
GURB5H60
100
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
175
平均正向电流（ A）
80
60
40
1
0
0
25
50
75
100
125
150
20
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
循环次数的AT 60H的
Z
图。 3 - 典型的反向电流
1,000
100
图。 4 - 典型正向Volyage
正向电流（A ）
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
T
J
= 150°C
10
T
J
= 100°C
1
T
J
= 150°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
0.1
0.01
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
100
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
的峰值反向电压百分比（ ％ ）
正向电压（ V）
图。 5 - 典型结电容
1000
T
J
= 25°C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50mVp -P
100
结电容（pF ）
10
1
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
文档编号88650
02-Jul-02
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QQ：2880707522 复制
