GM72V66841ET/ELT
2,097,152字×8位×4银行
同步动态RAM
描述
该GM72V66841ET / ELT是一个同步
动态随机存取存储器包括
67108864的存储单元和逻辑包括
操作同步地输入和输出电路
通过参照的外部的正边沿
提供时钟。
该GM72V66841ET / ELT提供四家银行
2,097,152字×8位,以实现高
带宽与时钟频率高达143
兆赫。
引脚配置
VCC
DQ0
VCCQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VCCQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VCC
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0/A13
BA1/A12
A10,AP
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
JEDEC标准
400万54引脚TSOP II
( TOP VIEW )
特点
* PC133 / PC100 / PC66兼容
-7(143MHz)/-75(133MHz)/-8(125MHz)
-7K(PC100,2-2-2)/-7J(PC100,3-2-2)
* 3.3V单电源供电
* LVTTL接口
*最大时钟频率
143/133/125/100MHz
*每64毫秒4096刷新周期
*两种刷新操作
自动刷新/自刷新
*可编程的突发访问的能力;
- 顺序:顺序/交错
- 长度:1 /2/ 4/8 / FP
*可编程CAS延时: 2/3
* 4 ,银行可以独立运行或
同时
*突发读/突发写或突发读取/单
写操作能力
*输入和输出掩蔽通过DQM输入
*背的一个时钟向后读取或写入
命令间隔
*同步断电和时钟
暂停功能与一个时钟延迟
为进入和退出
* JEDEC标准的54Pin 400mil TSOP II
包
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VCCQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VCCQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
引脚名称
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0~A9,A11
A10 / AP
BA0/A13
~BA1/A12
DQ0~DQ7
DQM
VCCQ
VSSQ
VCC
VSS
NC
时钟
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
地址输入或自动预充电
BANK SELECT
数据输入/输出的数据
数据输入/输出面膜
V
CC
对于DQ
V
SS
对于DQ
电源内部电路
地上的内部电路
无连接
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
-1-
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版1.1 / Apr.01
GM72V66841ET/ELT
DC特性
(大= 0 70℃ ,V
CC
, V
CCQ
= 3.3 V +/- 0.3 V, V
SS
, V
SSQ
= 0 V)
(续)
- 7 - 75 - 8 - 7K , - 7J
参数
符号
民
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1.5
2.4
-
最大
1
1.5
-
0.4
uA
uA
V
V
0
& LT ; = Vin的& LT ; = V
CC
0<=Vout<=V
CC
DQ =取消
单位测试条件
笔记
I
OH
= -2毫安
I
OL
= 2毫安
注:1。我
CC
依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。我
CC (
最大值)是在指定的
输出开路状态。
2.一家银行的操作。
3.地址是每一个周期改变一次。
4.地址是每两个周期更换一次。
5.在掉电模式下, CLK工作电流。
6.在掉电模式下,没有CLK工作电流。
7.在自刷新模式设置,自刷新电流。
8, L-版本。
9.输入信号为V
I H
或V
IL
固定的。
电容
(大= 25℃ ,V
CC
, V
CCQ
= 3.3 V
+/-0.3
V)
参数
输入电容( CLK )
输入电容(信号)
输出电容( DQ )
符号
C
I1
C
I2
C
O
分钟。
2.5
2.5
4.0
马克斯。
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 3, 4
1, 3, 4
1, 2, 3, 4
注意事项: 1,电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. DQM = V
I H
禁用Dout的。
3.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
4.测量与1.4 V偏压和200mV的摆动,在被测的脚。
修订版1.1 / Apr.01
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