无铅电镀产品
颁发日期： 2004年10月13日
修改日期： 2005/ 08 / 10B
GTS9928E
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
22m
5A
该GTS9928E为设计者提供了快速开关，坚固耐用的设备设计的最佳组合，
超低导通电阻和成本效益。
*低导通电阻
*有能力2.5V栅极驱动
*优化DC / DC电池应用
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
A1
b
c
D
毫米
分钟。
-
0.05
0.19
0.09
2.90
马克斯。
1.20
0.15
0.30
0.20
3.10
REF 。
E
E1
e
L
S
毫米
分钟。
6.20
4.30
0.45
0°
马克斯。
6.60
4.50
0.75
8°
0.65 BSC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
3
， VGS@4.5V
漏电流
3
， VGS@4.5V
漏电流脉冲
1
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ TA = 25 ：
I
D
@ TA = 70 ：
I
DM
P
D
@ TA = 25 ：
TJ ， TSTG
评级
20
f 12
5.0
3.5
25
1
0.008
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
评级
125
单位
/W
1/6
颁发日期： 2004年10月13日
修改日期： 2005/ 08 / 10B
电气特性（ TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编）
分钟。
20
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
21
-
-
-
-
-
15.9
1.5
7.4
6.2
9
30
11
530
245
125
马克斯。
-
-
-
-
D
10
1
25
22
28
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
uA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
12V
V
GS
= D
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A,
I
D
=5A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
I
D
=1A
V
GS
=4.5V
R
G
=3.3
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
I
S
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
1.2
0.83
单位
V
A
测试条件
I
S
= 5A ，V
GS
= 0 ， TJ = 25 ：
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.2V
连续源电流
(
体二极管
)
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 208 ： /安装在闽当W 。铜垫。
2/6
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