摹-LINK
GLT725608
超高性能32K ×8位CMOS静态RAM
二月， 2001年（ Rev.2.4 ）
产品特点：
32K ×8位的组织。
非常高的速度12,15,20纳秒。
低待机功耗。
全静态操作
5V ±10％电源。
TTL兼容的I / O 。
三态输出。
芯片使能进行简单的内存扩展。
提供300万SOJ ， 28引脚TSOP和
330万SOP封装。
工业级可用（ -40 ° C 85°C ） 。
说明：
GLT725608是高性能的256K位的静态
随机存取存储器由8位， 32K
而工作在单5伏电源。与制造
G-链接技术的非常先进的CMOS分
美光科技GLT725608提供的组合
特点：非常高的速度和非常低的待机
电流。此外，该器件还支持方便
内存扩展与低电平有效芯片使能
(
CE
）以及一个低电平有效输出使能（
OE
)
三态输出。
引脚配置：
SOJ和SOP
功能框图：
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G- Link技术公司，台湾
6F ，号24-2 ，产业E， RD ，四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-1-
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GLT725608
超高性能32K ×8位CMOS静态RAM
二月， 2001年（ Rev.2.4 ）
引脚说明：
名字
A
0
- A
14
CE
OE
WE
功能
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入和数据输出
+ 5V电源
地
I / O
0
- I / O
7
V
CC
GND
事实表：
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
绝对最大额定值：
环境温度
WE
CE
OE
X
H
H
L
H
L
L
L
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
经营范围：
范围
广告
温度
0 ° C至+ 70°C
VCC
5V
±
10%
下偏置...................................- 10℃至
+80°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至
+125°C
电压相对于GND .............- 0.5V至+
7.0V
数据输出电流.................................. 50毫安
功耗1.0W ......................................
1.Stresses大于上述绝对上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
产业
-40
°C
至85℃
5V
±
10%
电容
(1)
TA = 25 ° C，F = 1.0MHz的：
°
符号。
C
IN
C
I / O
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
MAX 。 UNIT
8
10
pF
pF
G- LINK技术
2701西北百汇
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超高性能32K ×8位CMOS静态RAM
二月， 2001年（ Rev.2.4 ）
DC特性
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
参数
测试条件
分钟。典型值
-0.3
2.2
-5
-5
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
(1)
马克斯。
+0.8
V
CC
+0.3
5
5
0.4
-
-12 -15 -20
160 150 120
40 30 20
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
输出漏电流V =最大，
CE
≥V
CC
IH
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OL
=8mA
输出高电压
V
CC
=最小值，我
OH
=-4mA
工作电源V =最大，
CE
≤V
,
CC
IL
(3)
当前
I = 0毫安。 ，女= F
I / O
最大
I
CCSB
备用电源
当前
I
CCSB1
掉电电源
电源电流
V
CC
=最大，
CE
≥V
IH
,
I
I / O
= 0毫安。 ，女）= F（
max(3)
V
CC
=最大，
CE
≥V
CC
.-0.2V,
V
IN
≥V
CC
。 -0.2V或
-
10 10 10
1.典型的特点是在V
CC
= 5V ，T
A
=25
2.这是绝对值与拒绝到设备接地和所有因系统或过冲
测试仪噪声都包括在内。
3. F
最大
=1/t
RC
.
数据保留
符号。
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(1)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
测试条件
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
V
DR
=2.0V
V
DR
=3.0V
CE
≥
V
CC
-0.2V,
分钟。
2.0
典型值
(1)
-
-
马克斯。
5.5
30
50
-
-
单位
V
A
A
ns
ns
芯片取消到数据
保留时间
见保留波形
营业恢复时间
0
t
RC
(2)
-
-
1.
CE
≥
V
DR
-0.2V, V
IN
≥
V
DR
-0.2V或V
IN
≤
0.2V.
2. t
RC
=读周期时间。
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
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二月， 2001年（ Rev.2.4 ）
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
交流测试负载和波形
AC电气特性
读周期
JEDEC
参数参数
名字
名字
参数
t
AVAX
t
RC
读周期时间
t
AVQV
t
AA
地址访问时间
t
E1LQV
t
ACS
芯片选择访问时间，
CE
t
GLQV
t
OE
输出使能到输出有效
t
E1LQX
t
CLZ
片选到输出低Z，
CE
t
GLQX
t
OLZ
输出使能到输出中低Z
t
E1HQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
芯片取消选择到输出高Z，
CE
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
725608-12 725608-15 725608-20
分钟。马克斯。
分钟。马克斯。
分钟。马克斯。
单位
12
-
-
-
3
3
-
-
3
-
12
12
5
-
-
7
6
-
15
-
- 15
- 15
-
3
3
-
-
3
6
-
-
8
6
-
20
-
-
-
3
3
-
-
3
-
20
20
8
-
-
10
8
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G- Link技术公司，台湾
6F ，号24-2 ，产业E， RD ，四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
读周期2
(1,3,4)
读周期3
(1)
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择
CE
≤V
IL
.
3.地址有效之前或与重合
CE
变为低电平和/或过渡高。
4.
OE
≤V
IL
.
5.转换测量
±200mV
从稳态用C
L
=5pF.
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二月， 2001年（ Rev.2.4 ）
产品特点：
32K ×8位的组织。
非常高的速度12,15,20纳秒。
低待机功耗。
全静态操作
5V ±10％电源。
TTL兼容的I / O 。
三态输出。
芯片使能进行简单的内存扩展。
提供300万SOJ ， 28引脚TSOP和
330万SOP封装。
工业级可用（ -40 ° C 85°C ） 。
说明：
GLT725608是高性能的256K位的静态
随机存取存储器由8位， 32K
而工作在单5伏电源。与制造
G-链接技术的非常先进的CMOS分
美光科技GLT725608提供的组合
特点：非常高的速度和非常低的待机
电流。此外，该器件还支持方便
内存扩展与低电平有效芯片使能
(
CE
）以及一个低电平有效输出使能（
OE
)
三态输出。
引脚配置：
SOJ和SOP
功能框图：
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G- Link技术公司，台湾
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二月， 2001年（ Rev.2.4 ）
引脚说明：
名字
A
0
- A
14
CE
OE
WE
功能
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入和数据输出
+ 5V电源
地
I / O
0
- I / O
7
V
CC
GND
事实表：
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
绝对最大额定值：
环境温度
WE
CE
OE
X
H
H
L
H
L
L
L
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
经营范围：
范围
广告
温度
0 ° C至+ 70°C
VCC
5V
±
10%
下偏置...................................- 10℃至
+80°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至
+125°C
电压相对于GND .............- 0.5V至+
7.0V
数据输出电流.................................. 50毫安
功耗1.0W ......................................
1.Stresses大于上述绝对上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
产业
-40
°C
至85℃
5V
±
10%
电容
(1)
TA = 25 ° C，F = 1.0MHz的：
°
符号。
C
IN
C
I / O
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
MAX 。 UNIT
8
10
pF
pF
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DC特性
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
参数
测试条件
分钟。典型值
-0.3
2.2
-5
-5
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
(1)
马克斯。
+0.8
V
CC
+0.3
5
5
0.4
-
-12 -15 -20
160 150 120
40 30 20
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
输出漏电流V =最大，
CE
≥V
CC
IH
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OL
=8mA
输出高电压
V
CC
=最小值，我
OH
=-4mA
工作电源V =最大，
CE
≤V
,
CC
IL
(3)
当前
I = 0毫安。 ，女= F
I / O
最大
I
CCSB
备用电源
当前
I
CCSB1
掉电电源
电源电流
V
CC
=最大，
CE
≥V
IH
,
I
I / O
= 0毫安。 ，女）= F（
max(3)
V
CC
=最大，
CE
≥V
CC
.-0.2V,
V
IN
≥V
CC
。 -0.2V或
-
10 10 10
1.典型的特点是在V
CC
= 5V ，T
A
=25
2.这是绝对值与拒绝到设备接地和所有因系统或过冲
测试仪噪声都包括在内。
3. F
最大
=1/t
RC
.
数据保留
符号。
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(1)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
测试条件
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
V
DR
=2.0V
V
DR
=3.0V
CE
≥
V
CC
-0.2V,
分钟。
2.0
典型值
(1)
-
-
马克斯。
5.5
30
50
-
-
单位
V
A
A
ns
ns
芯片取消到数据
保留时间
见保留波形
营业恢复时间
0
t
RC
(2)
-
-
1.
CE
≥
V
DR
-0.2V, V
IN
≥
V
DR
-0.2V或V
IN
≤
0.2V.
2. t
RC
=读周期时间。
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工业园区，新竹，台湾。
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超高性能32K ×8位CMOS静态RAM
二月， 2001年（ Rev.2.4 ）
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
交流测试负载和波形
AC电气特性
读周期
JEDEC
参数参数
名字
名字
参数
t
AVAX
t
RC
读周期时间
t
AVQV
t
AA
地址访问时间
t
E1LQV
t
ACS
芯片选择访问时间，
CE
t
GLQV
t
OE
输出使能到输出有效
t
E1LQX
t
CLZ
片选到输出低Z，
CE
t
GLQX
t
OLZ
输出使能到输出中低Z
t
E1HQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
芯片取消选择到输出高Z，
CE
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
725608-12 725608-15 725608-20
分钟。马克斯。
分钟。马克斯。
分钟。马克斯。
单位
12
-
-
-
3
3
-
-
3
-
12
12
5
-
-
7
6
-
15
-
- 15
- 15
-
3
3
-
-
3
6
-
-
8
6
-
20
-
-
-
3
3
-
-
3
-
20
20
8
-
-
10
8
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G- Link技术公司，台湾
6F ，号24-2 ，产业E， RD ，四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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二月， 2001年（ Rev.2.4 ）
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
读周期2
(1,3,4)
读周期3
(1)
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择
CE
≤V
IL
.
3.地址有效之前或与重合
CE
变为低电平和/或过渡高。
4.
OE
≤V
IL
.
5.转换测量
±200mV
从稳态用C
L
=5pF.
G- LINK技术
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6F ，号24-2 ，产业E， RD ，四，基础的科学
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