飞利浦半导体
产品数据表
2位双向低电压转换
GTL2002
特点
2位双向低电压转换
可以在1.0 V， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V的电压电平转换，
2.5 V ， 3.3 V和5 V客车，允许直接接口GTL ，
GTL + ， LVTTL / TTL和5 V CMOS电平
描述
该发射接收逻辑 - 收发器电压钳位
（ GTL - TVC ）提供高速电平转换低
通态电阻和最小的传播延迟。该GTL2002
提供2 NMOS旁路晶体管（锡和Dn ）配有一个公共栅
(G
REF
）和参考晶体管（S
REF
和D
REF
） 。该装置
可以在1.0 V和5.0 V双向电压转换
无需使用方向引脚。
当Sn或DN口为低电平时，钳位电路在接通状态和一个
的锡和Dn端口之间存在低电阻的连接。
假设较高的电压是DN端口上，当DN端口是
高，Sn的端口上的电压被限制在电压被设定
参考晶体管（S
REF
） 。当Sn口为高电平时， DN端口是
拉至V
CC
通过上拉电阻。此功能允许
由选定的较高和较低电压之间的无缝转换
用户，而不需要定向控制。
所有的晶体管具有相同的电特性，并有
从一个输出电压偏差最小到另一个或
传播延迟。这是一个惠及十几分立晶体管的电压
翻译解决方案中，由于晶体管的制造是
对称的。因为在该装置中的所有晶体管是完全相同的，
S
REF
和D
REF
可以位于任何匹配的其他两个的
SN / DN晶体管，能够让您轻松电路板布局。译者的
晶体管提供出色的ESD保护，低电压
装置，并在同一时间保护较少的ESD抗装置。
提供双向电平转换，无方向引脚
6.5低
RDS
ON
输入和输出引脚之间的电阻
（SN / DN ）
支持热插入
无需电源 - 不会闭锁
5 V容限输入
低待机电流
流通引脚排列，便于印刷电路板走线的路由
ESD保护超过每JESD22 - A114 2000 V HBM ，
每JESD22 - A115 200 V MM ，和1000 V每JESD22- C101
封装形式： SO8 ， TSSOP8 （ MSOP8 ） ， VSSOP8
应用
需要双向或单向的任何应用程序
从任何电压1.0 V和5.0 V之间的电压电平转换
以1.0 V和5.0 V的任何电压
漏极开路结构，没有方向引脚是理想的
双向低电压（例如， 1.0 V， 1.2 V， 1.5 V或1.8 V ）
处理器I
2
端口C转换到正常的3.3 V或5.0 V I
2
C总线
信号电平或GTL / GTL +转换为LVTTL / TTL信号电平。
订购信息
套餐
8引脚塑料SO
8引脚塑料TSSOP （ MSOP ）
温度范围
–40
°C
+85
°C
–40
°C
+85
°C
订货编号
GTL2002D
GTL2002DP
上部MARK
GTL2002
2002
DWG号
SOT96–1
SOT505–1
SOT765–1
8引脚塑料VSSOP
–40
°C
+85
°C
GTL2002DC
2002
标准包装数量和包装等数据可在www.standardproducts.philips.com/packaging 。
2004年09月29日
2
飞利浦半导体
产品数据表
2位双向低电压转换
GTL2002
应用
双向翻译
对于双向夹紧结构，更高的电压，以低电压或低电压到高电压，对G
REF
输入必须是
连接到D
REF
并且两个引脚拉至高电平侧V
CC
通过一个上拉电阻（通常为200千欧） 。对D A滤波电容
REF
is
推荐使用。该处理器的输出可以是图腾柱或漏极开路（可能需要上拉电阻）和芯片组的输出可以是图腾
极或漏极开路（上拉电阻，需要拉DN输出到V
CC
） 。但是，如果任一输出图腾柱，数据必须是
单向或输出必须是3- statable和输出必须通过一些方向控制机构，以防止被控制
HIGH到LOW争在任何一个方向。如果两路输出为开漏，则无需方向控制。基准的相对侧
晶体管（S
REF
）被连接到所述处理器核心电源电压。当D
REF
通过一个200 kΩ的电阻连接到3.3 V至
5.5 V V
CC
供应和S
REF
被设置为1.0 V至V
CC
- 1.5 V时，每个S n的输出的最大输出电压等于向S
REF
和
每个Dn之输出具有最大输出电压等于V
CC
.
典型的双向电压转换
1.8 V
1.5 V
1.2 V
1.0 V
GND
V
CORE
S
REF
S1
G
REF
D
REF
D1
D2
V
CC
5V
GTL2002
200 k
图腾柱或
漏极开路I / O
CPU的I / O
S2
芯片组I / O
3.3 V
INCREASE位
大小使用
10位GTL2010或
22位GTL2000
V
CC
S3
S4
S5
Sn
D3
D4
D5
Dn
芯片组I / O
SA00642
图4双向转换到多个具有较高的电压，例如I
2
C总线的应用
2004年09月29日
4
飞利浦半导体
产品数据表
2位双向低电压转换
GTL2002
单向向下平移
对于单向钳位，高电压，低电压，对G
REF
输入必须连接到D
REF
并且两个引脚拉到高侧
V
CC
通过一个上拉电阻（通常为200千欧） 。对D A滤波电容
REF
值得推荐。需要上拉电阻，如果芯片组的I / O都
漏极开路。参考晶体管的另一侧（S
REF
）被连接到所述处理器内核电源电压。当D
REF
连接
通过一个200 kΩ的电阻为3.3 V至5.5 V V
CC
供应和S
REF
被设置为1.0 V至V
CC
- 1.5 V时，每个S n的输出具有最大
输出电压等于向S
REF
.
典型的单向 - 高到低电压转换
1.8 V
1.5 V
1.2 V
1.0 V
GND
容易地向
较低的电压担任项目
处理器几何
收缩。
V
CORE
S
REF
S1
G
REF
D
REF
D1
D2
V
CC
5V
GTL2002
200 k
CPU的I / O
S2
芯片组I / O
图腾柱I / O
SA00643
图5.单向向下平移，以保护低电压处理器针脚
单向向上平移
对于单轴定向向上平移，较低的电压更高的电压，参考晶体管连接在相同的向下平移。
一个上拉电阻需要在高压侧（DN或Sn ），以获得完整的高电平，由于GTL - TVC设备将只通过
引用源极（S
REF
）做了一个转换时，电压为高。在较低电压侧的驱动器只需要上拉电阻，如果它是
漏极开路。
典型的单向的 - 从低到高电压转换
1.8 V
1.5 V
1.2 V
1.0 V
GND
容易地向
较低的电压担任项目
处理器几何
收缩。
V
CORE
S
REF
S1
G
REF
D
REF
D1
D2
V
CC
5V
GTL2002
200 k
CPU的I / O
图腾柱I / O
或漏极开路
S2
芯片组I / O
SA00644
图6.单向向上平移，以更高的电压芯片组
2004年09月29日
5
NXP双向
低压翻译
GTL20xx
低成本的双向电压
标题
翻译无方向控制
与电平转换总线开关，只有固定电压之间进行转换，这些双向
low-voltage translators can translate any voltage between 1 and 5 V to any other voltage between
1 and 5 V. They also reduce ON-state resistance and minimize propagation delay.
主要特点
4
需要的方向控制
N
双向电压转换
4
ow RON resistance (6.5 Ω) between
L
输入和输出引脚（锡/ DN）
4
ropagation延迟： 1.5 ns（典型值）
P
4
hannel关断状态电容： 7.5 pF的
C
4
ery low (5 A) standby current
V
4
需要O电源 - 防止
N
锁存器窗口
4
ERY小型QFN封装选项
V
应用
4
NI-和双向翻译
U
any voltage between 1 and 5 V
4
低的idirectional翻译
B
电压和传统I
2
C总线信号
4
hifting边带处理器的I / O
S
GTL和LVTTL / TTL之间的信号
水平
恩智浦家庭冈宁收发器
逻辑（ GTL ）双向低电压
translators includes the 22-bit GTL2000,
the 2-bit GTL2002, the 8-bit GTL2003,
and the 10-bit GTL2010.
每个提供高速的翻译
不同的电压电平与之间
低导通电阻和最小
传播延迟。
他们可以翻译之间的任何电压
1 and 5 V to any other voltage between
1 and 5 V as long as there is at least 1 V
的电压电平之间的差别，所以
他们提供了更大的设计灵活性比
电平转换总线开关，它仅
固定电压之间转换。
Each GTL20xx device includes NMOS
传递晶体管（锡和Dn销）与一个
公共栅极（G
REF
针）和一个参考
晶体管（S
REF
和D
REF
引脚）。
时的Sn或DN端口中的一个为低，
夹具是在接通状态和Sn的
和Dn端口通过一个低联
导通电阻的连接。假设
高电压被施加的DN端口上，
当DN口为高电平时，电压上
Sn的端口被限制在电压组
用S
REF
。当Sn口为高电平，将dn
端口由一个拉至较高电压
上拉电阻。
这种设置能够无缝转换
用户选择的电压之间，而不
需要对方向控制信号。
所有的晶体管具有相同的电
特性，从而从一个偏差
输出到另一个电压和
传播延迟被保持在最低限度。
晶体管也提供了极好的
的情况下，低电压的ESD保护
那对ESD抗性较差的设备。
译员可以在任何可以使用
应用程序需要单向或
双向电压转换为
voltage levels between 1 and 5 V.
漏极开路建设，这
省去了定向
控制，使得翻译的理想
designs that combine low-voltage (1.0 to
1.8 V) and legacy (3.3 and/or 5.5 V) I
2
C-
总线信号。译者可以改变
I
2
C-bus signal levels at speeds up to 3.4
兆赫。
翻译者也可以在使用
设计结合了GTL和LVTTL /
TTL信号转换处理器的边带
我的电压电平之间/ O信号。
双向电压转换
要配置译员
双向夹紧，对G
REF
〔 INPUT 〕
必须连接到D
REF
两者
引脚必须拉到高端
V
CC
通过一个上拉电阻（典型地
200 kΩ). A filter capacitor on D
REF
is
推荐使用。
CPU的输出可设置为图腾
极或漏极开路（上拉电阻可
需要），如可以在芯片组输出
（上拉电阻，需要拉
在DN输出到V
CC
） 。没有方向
需要控制，如果两路输出都设置
为漏极开路。如果任一输出被设置为
图腾柱，但是，也可以是高
到低的任一方向的争用。对
避免这种情况，设置数据单向
or use 3-stateable outputs with a
机制的方向控制。
S的相对侧
REF
连接
到CPU的电源电压。当
D
REF
is connected through a 200-kΩ
电阻到V
CC
和S
REF
is set between 1.0
和V
CC
minus 1.5 V, the output of each
锡具有最大输出电压等于
向S
REF
并且每个Dn之输出具有
最大输出电压等于
voltage of the pull-up resistor (3.3 and/or
5 V).
单向电压转换
相同的结构可以用于
单向电平转换，或上
或向下。对于下只有翻译，如果
该芯片组的I / O是开漏，上拉
电阻器。
最多只翻译，一个上拉电阻
上需要的高侧电压（DN）。
这是因为转换器将只
通过基准源电压（S
REF
)
作为高时，做了翻译。该
上的低侧电压驱动器只需要
一个上拉电阻，如果它被设置为开漏。
关于使用的更多信息
GTL20xx family, please refer to
Application Note AN10145 at www.nxp.
COM /接口。
GND
SREF
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
GREF
DREF
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
D18
D19
D20
D21
D22
S4
S5
Sn
D4
D5
Dn
S3
D3
通过增加位大小
8位GTL2003或10位
GTL2010或22位GTL2000
3.3 V
VCORE
S REF
S1
CPU的I / O
S2
D2
GTL2002
GTL2003
1.8 V
1.5 V
1.2 V
1.0 V
GND
GREF
裁判
D1
芯片组I / O
VCC
GTL2002
5V
图腾柱或
漏极开路I / O
GTL2010
200 K
S8 10
S9 11
S10 12
S11
S12
S13
S14
S15
S16
S17
S18
S19
S20
S21
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
GTL2000
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
VCC
芯片组I / O
S22 24
GTL20xx引脚排列图
双向电压转换的典型配置
订购信息
包
SO
SSOP
TSSOP
HVQFN
DHVQFN
VSSOP
XQFN
集装箱
管
T&R
管
T&R
管
T&R
T&R
T&R
T&R
T&R
GTL2000
--
--
GTL2000DL
GTL2000DL-T
GTL2000DGG
GTL2000DGG-T
--
--
--
--
GTL2002
GTL2002D
GTL2002D-T
--
--
--
GTL2002DP-T
--
--
GTL2002DC-T
GTL2002GM-T
GTL2003
--
--
--
--
GTL2003PW
GTL2003PW-T
--
GTL2003BQ-T
--
--
GTL2010
--
--
--
--
GTL2010PW
GTL2010PW-T
GTL2010BS-T
--
--
--
注：在欧洲和亚洲，管订单，加上“ 112 ”（如GTL2010PW ， 112 ） ，以及磁带和
卷轴的订单，将“ -T ”与“ 118 ”（如GTL2010PW ， 118 ） 。
www.nxp.com
2007恩智浦N.V。
版权所有。严禁复制全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。该
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提供的信息，被认为是准确和可靠，
恕不另行通知可能被改变。无责任将由发行人对其使用的任何后果所接受。其出版
没有传达或暗示下，专利或者其它工业或知识产权的任何许可。
发布日期： 2007年3月
文档顺序号： 9397 750 15911
美国印刷。
GTL2002
2位双向低电压转换器
牧师07 - 2009年7月2日
产品数据表
1.概述
该发射接收逻辑 - 收发器电压钳位（ GTL - TVC ）提供
高速电平转换，低导通电阻和最小传播
延时。该GTL2002提供了2个NMOS晶体管通（ Sn和DN ）与普通门
（ GREF ）和参考晶体管（ SREF和DREF ） 。该设备允许双向
无需使用方向引脚的1.0 V和5.0 V电压转换。
当Sn或DN端口为LOW夹具处于接通状态和低电阻
SN和DN端口之间的连接。假设较高的电压是对DN
口，当DN端口为HIGH时，Sn的端口上的电压被限制在电压通过设置
参考晶体管（ SREF ） 。当Sn的端口为HIGH时，将dn端口被拉至V
CC
by
上拉电阻器。此功能允许的更高的无缝转换
由用户选择较低的电压，而不需要定向控制。
所有的晶体管具有相同的电特性，并有最小的偏离
一个输出到另一个电压或传播延迟。这是一个好处科幻吨以上的离散
晶体管的电压转换的解决方案中，由于晶体管的制造是
对称的。因为在该装置中的所有晶体管是完全相同的， SREF和DREF可以
位于任何其他两个匹配的Sn / DN的晶体管，能够让您轻松板
布局。译者的晶体管，更低的电压提供出色的ESD保护
装置，并在同一时间保护较少的ESD抗设备。
2.特点
I
2位双向低电压转换器
I
可以在1.0 V的电压电平转换， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V ， 3.3 V和5 V
公交车，允许直接接口GTL ， GTL + ， LVTTL / TTL和5 V CMOS电平
I
提供双向电压转换没有了方向引脚
I
6.5低
导通电阻（R
on
）输入和输出引脚之间（SN / DN ）
I
支持热插入
I
无电源要求;不会闭锁
I
5 V容限输入
I
低待机电流
I
流通引脚排列，便于印刷电路板走线的路由
I
ESD保护超过每JESD22 - A114 2000 V HBM ， 150 V MM元
JESD22 - A115 ，每JESD22 - C101 1000 V CDM
I
封装形式： SO8 ， TSSOP8 （ MSOP8 ） ， VSSOP8 ， XQFN8U
恩智浦半导体
GTL2002
2位双向低电压转换器
3.应用
I
需要双向或单向电压电平转换任何应用程序
从1.0 V和5.0 V的任何电压的任何电压介于1.0 V和5.0 V
I
漏极开路结构，无方向引脚是理想的双向低电压
（例如， 1.0 V， 1.2 V， 1.5 V或1.8 V ）处理器I
2
C总线端口转换到正常
3.3 V或5.0 V I
2
C总线信号电平或GTL / GTL +转换为LVTTL / TTL信号
的水平。
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
名字
GTL2002D
GTL2002DP
GTL2002DP/Q900
[2]
GTL2002DC
GTL2002GM
SO8
TSSOP8
[1]
TSSOP8
[1]
VSSOP8
XQFN8U
描述
塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 8线索;体宽3毫米
塑料薄小外形封装; 8线索;体宽3毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索;
体宽2.3毫米
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索; 8终端;
UTLP基础;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
VERSION
SOT96-1
SOT505-1
SOT505-1
SOT765-1
SOT902-1
类型编号
[1]
[2]
也被称为MSOP8 。
GTL2002DP / Q900是AEC -Q100标准。联系
i2c.support@nxp.com
对PPAP 。
4.1订购选项
表2中。
GTL2002D
GTL2002DP
GTL2002DP/Q900
GTL2002DC
GTL2002GM
[1]
订购选项
上部MARK
GTL2002
2002
2002
2002
G2X
[1]
温度范围
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
类型编号
“X”会改变的基础上的日期代码。
GTL2002_7
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2009年7月2日
2 22
恩智浦半导体
GTL2002
2位双向低电压转换器
6.2引脚说明
表3中。
符号
引脚说明
针
SO8 ， TSSOP8 ， VSSOP8
XQFN8U
GND
SREF
S1
S2
D2
D1
DREF
GREF
1
2
3
4
5
6
7
8
4
1
2
3
5
6
7
8
接地（ 0 V ）
参考晶体管的源
PORT S1
S2港
端口D2
口D1
参考晶体管的漏极
参考晶体管的栅极
描述
7.功能描述
请参阅
图1 “功能图” 。
7.1功能选择
表4 。
功能选择，从高到低的翻译
假设Dn为在较高的电压电平。
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
GREF
[1]
H
H
H
L
[1]
[2]
[3]
[4]
DREF
H
H
H
L
SREF
0V
V
TT[4]
V
TT[4]
0 V
V
TT[4]
输入DN
X
H
L
X
输出锡
X
V
TT[2][4]
L
[3]
X
晶体管
关闭
on
on
关闭
GREF应该比SREF最佳翻译操作的至少1.5伏以上。
Sn的未拉或下拉。
锡遵循DN输入低电平。
V
TT
等于SREF电压。
表5 。
功能选择，从低到高的翻译
假设Dn为在较高的电压电平。
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
GREF
[1]
H
H
H
L
[1]
[2]
[3]
[4]
GTL2002_7
DREF
H
H
H
L
SREF
0V
V
TT[4]
V
TT[4]
0 V
V
TT[4]
输入锡
X
V
TT[4]
L
X
输出DN
X
H
[2]
L
[3]
X
晶体管
关闭
几乎关闭
on
关闭
GREF应该比SREF最佳翻译操作的至少1.5伏以上。
的dn被拉至V
CC
通过一个外部电阻器。
DN遵循锡输入低电平。
V
TT
等于SREF电压。
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2009年7月2日
4 22
恩智浦半导体
GTL2002
2位双向低电压转换器
8.应用设计信息
8.1双向翻译
对于双向夹紧CON连接的配置中，高电压，低电压，低
电压更高的电压时， GREF输入必须连接到DREF ，并且两个引脚
拉至高压侧V
CC
通过一个上拉电阻（通常为200千欧） 。上的滤波器电容
DREF建议。该处理器的输出可以是图腾柱或漏极开路（拉
可能需要电阻器）和芯片设定的输出可以是图腾柱或漏极开路
（上拉电阻，需要拉DN输出到V
CC
） 。但是，如果任一输出是
图腾柱，数据必须是单向或输出必须是三stateable和输出
必须通过一些方向控制机构进行控制，以防止高电压到低
争论在任一方向。如果两个输出为开漏，没有方向控制
需要的。参考晶体管（ SREF ）的相对侧上被连接到所述
处理器核心电源电压。当DREF通过一个200 kΩ的电阻连接
以3.3 V至5.5 V V
CC
供给和SREF被设定在1.0 V至（Ⅴ
CC
1.5伏）时，输出
的每个锡具有最大输出电压等于SREF和每个DN具有输出
的最大输出电压等于V
CC
.
1.8 V
1.5 V
1.2 V
1.0 V
GND
V
CORE
CPU的I / O
S2
SREF
S1
5V
200 k
图腾柱或
漏极开路I / O
GREF
DREF
D1
芯片组I / O
D2
V
CC
增加位大小
通过使用10位GTL2010
或22位GTL2000
V
CC
S3
S4
S5
Sn
D3
3.3 V
芯片组I / O
D4
D5
Dn
002aac060
典型的双向电压转换。
图6 。
双向转换到多个更高的电压电平，如我
2
C总线
应用
GTL2002_7
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2009年7月2日
5 22
飞利浦半导体
产品数据表
2位双向低电压转换
GTL2002
特点
2位双向低电压转换
可以在1.0 V， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V的电压电平转换，
2.5 V ， 3.3 V和5 V客车，允许直接接口GTL ，
GTL + ， LVTTL / TTL和5 V CMOS电平
描述
该发射接收逻辑 - 收发器电压钳位
（ GTL - TVC ）提供高速电平转换低
通态电阻和最小的传播延迟。该GTL2002
提供2 NMOS旁路晶体管（锡和Dn ）配有一个公共栅
(G
REF
）和参考晶体管（S
REF
和D
REF
） 。该装置
可以在1.0 V和5.0 V双向电压转换
无需使用方向引脚。
当Sn或DN口为低电平时，钳位电路在接通状态和一个
的锡和Dn端口之间存在低电阻的连接。
假设较高的电压是DN端口上，当DN端口是
高，Sn的端口上的电压被限制在电压被设定
参考晶体管（S
REF
） 。当Sn口为高电平时， DN端口是
拉至V
CC
通过上拉电阻。此功能允许
由选定的较高和较低电压之间的无缝转换
用户，而不需要定向控制。
所有的晶体管具有相同的电特性，并有
从一个输出电压偏差最小到另一个或
传播延迟。这是一个惠及十几分立晶体管的电压
翻译解决方案中，由于晶体管的制造是
对称的。因为在该装置中的所有晶体管是完全相同的，
S
REF
和D
REF
可以位于任何匹配的其他两个的
SN / DN晶体管，能够让您轻松电路板布局。译者的
晶体管提供出色的ESD保护，低电压
装置，并在同一时间保护较少的ESD抗装置。
提供双向电平转换，无方向引脚
6.5低
RDS
ON
输入和输出引脚之间的电阻
（SN / DN ）
支持热插入
无需电源 - 不会闭锁
5 V容限输入
低待机电流
流通引脚排列，便于印刷电路板走线的路由
ESD保护超过每JESD22 - A114 2000 V HBM ，
每JESD22 - A115 200 V MM ，和1000 V每JESD22- C101
封装形式： SO8 ， TSSOP8 （ MSOP8 ） ， VSSOP8
应用
需要双向或单向的任何应用程序
从任何电压1.0 V和5.0 V之间的电压电平转换
以1.0 V和5.0 V的任何电压
漏极开路结构，没有方向引脚是理想的
双向低电压（例如， 1.0 V， 1.2 V， 1.5 V或1.8 V ）
处理器I
2
端口C转换到正常的3.3 V或5.0 V I
2
C总线
信号电平或GTL / GTL +转换为LVTTL / TTL信号电平。
订购信息
套餐
8引脚塑料SO
8引脚塑料TSSOP （ MSOP ）
温度范围
–40
°C
+85
°C
–40
°C
+85
°C
订货编号
GTL2002D
GTL2002DP
上部MARK
GTL2002
2002
DWG号
SOT96–1
SOT505–1
SOT765–1
8引脚塑料VSSOP
–40
°C
+85
°C
GTL2002DC
2002
标准包装数量和包装等数据可在www.standardproducts.philips.com/packaging 。
2004年09月29日
2
飞利浦半导体
产品数据表
2位双向低电压转换
GTL2002
应用
双向翻译
对于双向夹紧结构，更高的电压，以低电压或低电压到高电压，对G
REF
输入必须是
连接到D
REF
并且两个引脚拉至高电平侧V
CC
通过一个上拉电阻（通常为200千欧） 。对D A滤波电容
REF
is
推荐使用。该处理器的输出可以是图腾柱或漏极开路（可能需要上拉电阻）和芯片组的输出可以是图腾
极或漏极开路（上拉电阻，需要拉DN输出到V
CC
） 。但是，如果任一输出图腾柱，数据必须是
单向或输出必须是3- statable和输出必须通过一些方向控制机构，以防止被控制
HIGH到LOW争在任何一个方向。如果两路输出为开漏，则无需方向控制。基准的相对侧
晶体管（S
REF
）被连接到所述处理器核心电源电压。当D
REF
通过一个200 kΩ的电阻连接到3.3 V至
5.5 V V
CC
供应和S
REF
被设置为1.0 V至V
CC
- 1.5 V时，每个S n的输出的最大输出电压等于向S
REF
和
每个Dn之输出具有最大输出电压等于V
CC
.
典型的双向电压转换
1.8 V
1.5 V
1.2 V
1.0 V
GND
V
CORE
S
REF
S1
G
REF
D
REF
D1
D2
V
CC
5V
GTL2002
200 k
图腾柱或
漏极开路I / O
CPU的I / O
S2
芯片组I / O
3.3 V
INCREASE位
大小使用
10位GTL2010或
22位GTL2000
V
CC
S3
S4
S5
Sn
D3
D4
D5
Dn
芯片组I / O
SA00642
图4双向转换到多个具有较高的电压，例如I
2
C总线的应用
2004年09月29日
4
飞利浦半导体
产品数据表
2位双向低电压转换
GTL2002
单向向下平移
对于单向钳位，高电压，低电压，对G
REF
输入必须连接到D
REF
并且两个引脚拉到高侧
V
CC
通过一个上拉电阻（通常为200千欧） 。对D A滤波电容
REF
值得推荐。需要上拉电阻，如果芯片组的I / O都
漏极开路。参考晶体管的另一侧（S
REF
）被连接到所述处理器内核电源电压。当D
REF
连接
通过一个200 kΩ的电阻为3.3 V至5.5 V V
CC
供应和S
REF
被设置为1.0 V至V
CC
- 1.5 V时，每个S n的输出具有最大
输出电压等于向S
REF
.
典型的单向 - 高到低电压转换
1.8 V
1.5 V
1.2 V
1.0 V
GND
容易地向
较低的电压担任项目
处理器几何
收缩。
V
CORE
S
REF
S1
G
REF
D
REF
D1
D2
V
CC
5V
GTL2002
200 k
CPU的I / O
S2
芯片组I / O
图腾柱I / O
SA00643
图5.单向向下平移，以保护低电压处理器针脚
单向向上平移
对于单轴定向向上平移，较低的电压更高的电压，参考晶体管连接在相同的向下平移。
一个上拉电阻需要在高压侧（DN或Sn ），以获得完整的高电平，由于GTL - TVC设备将只通过
引用源极（S
REF
）做了一个转换时，电压为高。在较低电压侧的驱动器只需要上拉电阻，如果它是
漏极开路。
典型的单向的 - 从低到高电压转换
1.8 V
1.5 V
1.2 V
1.0 V
GND
容易地向
较低的电压担任项目
处理器几何
收缩。
V
CORE
S
REF
S1
G
REF
D
REF
D1
D2
V
CC
5V
GTL2002
200 k
CPU的I / O
图腾柱I / O
或漏极开路
S2
芯片组I / O
SA00644
图6.单向向上平移，以更高的电压芯片组
2004年09月29日
5
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