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描述
该GM76C8128CL / CLL - W是1,048,576位
静态随机存取存储器组织为131072
字由8位。采用0.6um CMOS先进
技术和从2.7V至5.5V单操作
供应量。先进的电路技术，提供高
速度和低功耗。该装置是
置于低功耗待机模式与/ CS1高
或CS2低，输出使能（ / OE ）允许快速
存储器存取。因而它适用于高速和
低功耗应用，特别是在电池
备份是必需的。
GM76C8128CL/CLL-W
131,072字× 8位
CMOS静态RAM
引脚配置
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CS2
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
特点
*快速的速度： 55 / 70ns的在Vcc = 5V
+/-
10%
120 / 150ns的在Vcc = 3V
+/-
10%
*低功耗待机以及低功耗工作
-Standby ： 0.11mW最大。在Vcc = 5V
+/-
10%
49.5uW最大。在Vcc = 3V
+/-
10%
-operation ： 385mW最大。在Vcc = 5V
+/-
10%
66MW最大。在Vcc = 3V
+/-
10%
*完全静态RAM ：无时钟或定时
频闪要求
*机会均等和周期时间
* TTL兼容的输入和输出
*的电池容量备份操作
*单+ 2.7V + 5.5V工作电压
*标准32 DIP ， SOP和TSOP I
（ TOP VIEW ）
框图
A0
A1
A2
引脚说明
针
A0-A16
/ WE
/ CS1，CS2
/ OE
I/O0-I/O7
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
/ OE
/CS1
CS2
A14
A15
A16
地址
卜FF器
128 x 8
7
Y
decorder
128
/ CS1，CS2
芯片
控制
/ OE ， / WE
芯片
控制
........
10
1024存储单元阵列
X
1024 x 128 x 8
解码器
（ 128K ×8 ）
列选择
8
电源（ 2.7V 5.5V ）
地
I / O缓冲器
/ WE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
121
I/O7
无连接
GM76C8128CL/CLL-W
绝对最大额定值*
符号
T
A
T
英镑
T
SOL
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
参数
在偏置环境温度
储存温度
焊接温度和时间
电源电压
输入电压
输入和输出电压
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 150
260 ， 10 （以铅）
-0.3 ~ 7.0
-0.3 ~ 7.0
-0.5 ~ V
CC
+ 0.5
1.0
单位
C
C
C，S
V
V
V
W
*：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这是一个额定值，设备运行在这些或以上indi-任何其他条件
符在本规范的操作部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件
长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
VCC = 5V +/- 10 ％
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
民
电源电压
输入高电压
输入低电压
4.5
2.2
-0.3*
VCC = 2.7 5.5V
单位
民
2.7
2.2
-0.3*
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
典型值
3.0
-
-
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
0.4
V
V
V
*注： V
IL
（分钟） = -3.0V的
＆ LT ;?
10ns的脉冲
真值表
/CS1
L
L
L
H
X
CS2
H
H
H
X
L
/ OE
L
X
H
X
X
/ WE
H
L
H
X
X
A0到A16
稳定
稳定
稳定
-
-
数据I / O
输出数据
输入数据
高阻
高阻
高阻
模式
读
写
输出禁用
待机
*注：X表示不关心
电容
（ F = 1MH
Z
, T
A
= 25C)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= 0V
V
O
= 0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
*注：此参数采样，而不是100 ％测试。
122
GM76C8128CL/CLL-W
直流工作特性
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 0 ~ 70C)
符号
参数
输入漏电流
输出漏电流
高电平输出电压
低电平输出电压
工作电源电流
条件
V
IN
= 0至V
CC
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
/ OE = V
IH
, V
SS
< = V
OUT
< = V
CC
I
OH
= -1.0mA
I
OL
= 2.1毫安
/ CS1 = V
IL
和CS2 = V
IH
V
IN
= V
IH
/V
白细胞介素，
I
OUT
= 0毫安
/ CS1 = V
IL
和CS2 = V
IH
V
IN
= V
IH
/V
IL
I
OUT
= 0毫安
t
周期=最小，周期
闵*典型值
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
-
0.4
15
单位
uA
uA
V
V
mA
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
CC
I
CC1
-
-
70
mA
平均工作电流
I
CC2
/ CS1 = 0.2V ， CS2 = V
CC
-0.2V
V
IN
= V
CC
- 0.2V/0.2V
I
OUT
= 0毫安
t
周期= 1us的
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
/ CS1 = V
IH
， CS2 = V
IL
/ CS1 = V
CC
-0.2V L - 版本
LL - 版本
CS2 = 0.2V
-
-
10
mA
I
CCS1
I
CCS2
-
-
-
-
-
-
2
100
20
mA
uA
*典型。值是在25℃下测得的
交流工作特性
测试条件
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 0 70℃ ，除非另有说明。 ）
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
价值
0.6V至2.4V
5ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
+5V
D
OUT
990§
1.8K§
输出负载（ B）
（对下，tCHZ ， tCLZ ， tWHZ ，拖车， TOLZ & tOHZ ）
+5V
D
OUT
990§
1.8K§
100
§*
5
§*
125
QQ：2881677436 复制
