无铅电镀产品
颁发日期： 2006/08/21
修改日期： 2006/12 / 25B
GTC217E
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
22m
7A
所使用的GTC217E先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻非常有效和
成本效益的设备。
该GTC217E普遍适用于所有商业工业应用。
*低栅极电荷
*小包装外形
*符合RoHS
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
A1
b
c
D
毫米
分钟。
-
0.05
0.19
0.09
2.90
马克斯。
1.20
0.15
0.30
0.20
3.10
REF 。
E
E1
e
L
S
毫米
分钟。
6.20
4.30
0.45
0°
马克斯。
6.60
4.50
0.75
8°
0.65 BSC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
20
±12
7
5.7
30
1.5
0.012
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
连续漏电流
3
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
83
单位
:
/W
GTC217E
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颁发日期： 2006/08/21
修改日期： 2006/12 / 25B
图7.最大安全工作区
图8.单脉冲功率额定值
结到环境
V.S.结温
图9.栅极电荷特性
图10.归最大瞬态热阻抗
曲线
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