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GFP50N03
N沟道增强型MOSFET
TO-220AB
0.415 (10.54)
马克斯。
0.154 (3.91)
DIA 。
0.142 (3.60)
0.113 (2.87)
0.102 (2.56)
D
CH
EN ET
UCT
T
R N
F
瓦特PROD
Ne
G
E
TM
0.185 (4.70)
0.170 (4.31)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
V
DS
30V
R
DS （ ON）
13
m
I
D
50A
D
*
G
0.155 (3.93)
0.134 (3.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.410 (10.41)
0.350 (8.89)
G
针
D
S
S
0.635 (16.13)
0.580 (14.73)
0.360 (9.14)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.104 (2.64)
0.094 (2.39)
特点
动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩
175 ° C工作温度易于并联的
快速开关的高效率
简单的驱动要求
0.160 (4.06)
0.09 (2.28)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
机械数据
0.037 (0.94)
0.026 (0.66)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.190 (4.83)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
*
可缺口或平
尺寸以英寸（毫米）
案例：
JEDEC TO- 220AB模压塑体
终端：
导致每MIL -STD- 750 ，
方法2026
安装扭矩：
最大10磅
重量：
2.0g
最大额定值和热特性
(T
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(1)
漏电流脉冲
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
R
θJC
R
θJA
A
= 25 ° C除非另有说明）
极限
30
单位
V
±
20
50
100
62.5
25
-55到150
275
2.0
40
A
W
°C
°C
° C / W
° C / W
工作结存储温度范围
焊接温度（ 1/8“案件从5秒）
结到外壳
结到环境（ PCB安装）
注意：
（ 1 ）表面安装在FR4板，T
≤
10秒。
6/20/00
GFP50N03
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
(1)
漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)
二极管的正向电压
动态
(1)
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
注意：
（ 1 ）脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
≥
5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 20A
V
DS
= 10V ，我
D
= 25A
I
S
= 25A ，V
GS
= 0V
30
1.0
3.0
±100
1
60
11
15
40
0.9
1.3
13
20
V
nA
A
A
m
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 50A
35
8
6
11
11
48
15
160
60
nC
V
DD
= 15V ，R
L
= 15
I
D
≈
1A ，V
根
= 10V
R
G
= 6
I
F
= 25A ，的di / dt = 100A / μs的
20
20
80
30
ns
V
DD
t
on
V
IN
D
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
90 %
V
GS
R
根
G
DUT
输出，V
OUT
10%
10%
倒
90%
50%
50%
S
输入，V
IN
10%
脉冲宽度
切换测试电路
开关波形
GFP50N03
N沟道增强型MOSFET
收视率和特性曲线
(T
图。 1 - 输出特性
80
V
GS
=10V
6.0V
4.0V
5.0V
4.5V
60
V
DS
= 10V
50
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 2 - 传输特性
I
D
- 漏源电流（A ）
I
D
- 漏电流（ A）
60
40
30
T
J
= 125°C
--55°C
10
0
25°C
40
3.5V
20
20
3.0V
2.5V
0
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
图。 3 - 阈值电压
与温度的关系
1.8
I
D
= 250A
0.03
0.025
0.02
图。 4 - 导通电阻
与漏电流
V
GS （ TH）
- 阈值电压（ V）
1.4
1.2
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1.6
V
GS
= 4.5V
5V
0.015
10V
0.01
0.005
0
1
0.8
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
T
J
- 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
图。 5 - 导通电阻
- 结温
1.6
V
GS
= 10V
I
D
= 25A
0.04
0.035
图。 6 - 导通电阻
与栅极 - 源极电压
I
D
= 25A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.03
0.025
0.02
0.015
0.01
0.005
25°C
T
J
= 125°C
1.2
1
0.8
0.6
--50
0
--25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T
J
- 结温（ ° C）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
GFP50N03
N沟道增强型MOSFET
收视率和特性曲线
(T
图。 7 - 栅极电荷
10
2500
V
DS
= 15V
I
D
= 25A
8
2000
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 8 - 电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
- 电容（pF ）
C
国际空间站
1500
6
4
1000
2
500
C
RSS
0
5
10
C
OSS
0
0
10
20
30
35
0
15
20
25
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
图。 9 - 源极 - 漏极二极管
正向电压
100
V
GS
= 0V
44
图。 10 - 击穿电压
与温度的关系
I
D
= 250A
BV
DSS
- 击穿Voltafge （ V）
1
1.2
43
42
41
40
39
38
37
36
--50
I
S
- 源电流（ A）
10
1
T
J
= 125°C
25°C
0.1
--55°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
--25
0
25
50
75
100
120
150
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
T
J
- 结温（ ° C）
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