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GT60M303
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT60M303
高功率开关应用
第四代IGBT
FRD包括发射极和集电极之间
增强型模式
高速
I
GBT
: t
f
= 0.25μs （ TYP 。 ）
FRD ：吨
rr
= 0.7μS （ TYP 。 ）
低饱和电压
: V
CE （SAT）
= 2.1V （ TYP 。 ）
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
极 - 发射极电压
集电极电流
发射极 - 集电极
FOWARD电流
集电极耗散功率
（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
螺杆转矩
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
ECF
I
ECFP
P
C
T
j
T
英镑
―
等级
900
±25
60
120
15
120
170
150
55~150
0.8
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
N·m的
JEDEC
JEITA
东芝
2-21F2C
重量： 9.75克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
等效电路
记号
产品型号（或缩写代码）
东芝
GT60M303
LOT号
日本
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
1
2006-11-01
GT60M303
电气特性
（ TA = 25
°C
)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
关断时间
发射极 - 集电极正向电压
反向恢复时间
热阻
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （饱和）（1）
V
CE （饱和）（2）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
ECF
t
rr
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
I
EC
= 15A ，V
GE
= 0
I
F
= 15A ，V
GE
= 0
的di / dt =
20A
/
μs
IGBT
二极管
测试条件
V
GE
= ±25V, V
CE
= 0
V
CE
= 900V, V
GE
= 0
I
C
= 60毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10A ，V
GE
= 15V
I
C
= 60A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0中，f = 1MHz的
民
―
―
3.0
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
1.6
2.1
3800
0.35
0.46
0.25
0.60
1.5
0.7
―
―
最大
±500
1.0
6.0
2.2
2.7
―
0.60
0.75
0.40
0.70
2.0
2.5
0.74
4.0
V
μs
C / W
C / W
μs
单位
nA
mA
V
V
V
pF
2
2006-11-01
GT60M303
3
2006-11-01
GT60M303
4
2006-11-01
GT60M303
5
2006-11-01
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型号
厂家
批号
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