【GT30J101初步东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBTGT30J101高功率开关应用单位：mm第三】,IC型号GT30J101,GT30J101 PDF资料,GT30J101经销商,ic,电子元器件-51电子网

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GT30J101

初步

东芝绝缘栅双极晶体管

硅N沟道IGBT

GT30J101

高功率开关应用

单位：mm

第三代

增强型

高速：吨

f

= 0.30微秒（最大值）

低饱和电压： V

CE （SAT）

= 2.7 V （最大值）

最大额定值

（大

=

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

集电极耗散功率

（ TC

=

25°C)

结温

存储温度范围

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

等级

600

±20

30

60

155

150

55~150

单位

V

V

A

W

°C

°C

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 4.6克

―

―

2-16C1C

1

2002-01-18

GT30J101

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开关时间

开启时间

下降时间

打开-O FF时间

热阻

符号

I

GES

I

CES

V

GE （ OFF ）

V

CE （SAT）

C

IES

t

r

t

on

t

f

t

关闭

R

日（J -C ）

测试条件

V

GE

= ±20

V, V

CE

=

0

V

CE

=

600 V, V

GE

=

0

I

C

=

3毫安，V

CE

=

5 V

I

C

=

30 A，V

GE

=

15 V

V

CE

=

20 V, V

GE

=

0, f

=

1兆赫

感性负载

V

CC

=

300 V，I

C

=

30 A

V

GG

= ±15

V ，R

G

=

43

(Note1)

民

5.0

典型值。

2.1

2200

0.12

0.40

0.15

0.70

最大

±500

1.0

8.0

2.7

单位

nA

mA

V

V

pF

0.30

s

0.81

° C / W

注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形

V

GE

GT30J301

V

GE

I

C

R

G

L

V

CC

V

CE

0

I

C

90%

V

CE

10%

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

t

on

10%

10%

t

D（上）

t

r

90%

10%

0

90%

10%

注2 ：开关损耗测量波形

V

GE

0

90%

10%

I

C

0

V

CE

10%

E

关闭

E

on

2

2002-01-18

GT30J101

I

C

– V

CE

100

常见

辐射源

Tc

=

25°C

20

常见

辐射源

Tc

= 40°C

V

CE

– V

GE

(V)

80

(A)

I

C

20 15

60

13

集电极 - 发射极电压V

CE

16

12

集电极电流

12

40

8

60

4

20

30

IC

=

10 A

0

0

4

8

12

16

20

20

VGE

=

10 V

0

0

1

2

3

4

5

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

V

CE

– V

GE

20

常见

辐射源

Tc

=

25°C

20

常见

辐射源

Tc

=

125°C

V

CE

– V

GE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

16

12

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

16

12

8

60

30

8

20

4

IC

=

10 A

30

60

4

20

IC

=

10 A

0

0

4

8

12

16

20

0

0

4

8

12

16

20

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

I

C

– V

GE

100

常见

辐射源

VCE

=

5 V

4

常见

辐射源

VGE

=

15 V

3

V

CE （SAT）

TC =

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

80

60

50

40

30

I

C

60

集电极电流

(A)

2

20

10

40

20

Tc

=

125°C

0

0

25

40

12

16

20

1

IC

=

5 A

4

8

0

60

20

20

60

100

140

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

壳温度

(°C)

3

2002-01-18

GT30J101

开关时间t

on

, t

r

– R

G

3

10

开关时间t

on

, t

r

– I

C

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

(s)

1

0.5

0.3

tr

共发射极

0.1

0.05

0.03

3

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

30

100

300

1000

(s)

吨

3

t

on

, t

r

t

on

, t

r

1

0.5

0.3

吨

开关时间

开关时间

0.1

0.05

0.03

tr

0.01

0

5

10

15

20

25

30

门阻抗R

G

()

集电极电流

I

C

(A)

开关时间t

关闭

, t

f

– R

G

3

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

5

3

开关时间t

关闭

, t

f

– I

C

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

(s)

1

0.5

0.3

(s)

花花公子

花花公子

t

关闭

, t

f

t

关闭

, t

f

tf

1

0.5

0.3

开关时间

开关时间

0.1

0.05

0.03

0.1

tf

0.05

0.03

3

10

30

100

300

1000

0.01

0

5

10

15

20

25

30

门阻抗R

G

()

集电极电流

I

C

(A)

开关损耗

10

E

on

, E

关闭

– R

G

10

宙

开关损耗

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

Note2

E

on

, E

关闭

– I

C

（兆焦耳）

3

EOFF

1

E

on

, E

关闭

E

on

, E

关闭

（兆焦耳）

3

宙

1

0.3

EOFF

开关损耗

0.3

0.1

0.03

1

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

Note2

3

10

30

100

300

1000

开关损耗

0.1

0.03

0.01

0

5

10

15

20

25

30

门阻抗R

G

()

集电极电流

I

C

(A)

4

2002-01-18

GT30J101

- V

CE

10000

500

共发射极

V

CE

, V

GE

– Q

G

20

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

（PF ）

资本投资者入境计划

1000

16

C

300

VCE = 100V

200

200

8

100

共发射极

VGE

=

0

30

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

10

0.3

1

3

10

30

100

卓越中心

100

4

CRES

300

1000

0

0

20

40

60

80

0

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

栅极电荷

Q

G

（ NC ）

安全工作区

100

集成电路最大值（脉冲） *

最多50个IC

（连续）

30

10

5

3

*:

单非重复性

脉冲

Tc

=

25°C

0.5

0.3曲线必须降低

1

线性地增加

温度。

3

10

30

100

300

1000

3000

DC

手术

10毫秒*

100

100

s*

50

s*

50

30

反向偏置SOA

(A)

(A)

I

C

I

C

1毫秒*

10

5

3

集电极电流

集电极电流

1

0.5

0.3

Tj

＆ LT ;

125°C

=

VGE

= ±15

V

RG

=

43

0.1

1

3

10

30

100

300

1000

3000

0.1

1

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

10

2

R

日（T ）

– t

w

瞬态热阻抗

R

日（T ）

（ ° C / W）

10

1

10

0

10

1

2

3

Tc

=

25°C

10

10

10

4

10

5

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

1

10

2

脉冲宽度

t

w

(s)

5

2002-01-18

栅极 - 发射极电压

300

300

12

电容

V

GE

(V)

3000

RL

=

10

400锝

=

25°C

GT30J101

初步

东芝绝缘栅双极晶体管

硅N沟道IGBT

GT30J101

高功率开关应用

单位：mm

第三代

增强型

高速：吨

f

= 0.30微秒（最大值）

低饱和电压： V

CE （SAT）

= 2.7 V （最大值）

最大额定值

（大

=

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

集电极耗散功率

（ TC

=

25°C)

结温

存储温度范围

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

等级

600

±20

30

60

155

150

55~150

单位

V

V

A

W

°C

°C

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 4.6克

―

―

2-16C1C

1

2002-01-18

GT30J101

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开关时间

开启时间

下降时间

打开-O FF时间

热阻

符号

I

GES

I

CES

V

GE （ OFF ）

V

CE （SAT）

C

IES

t

r

t

on

t

f

t

关闭

R

日（J -C ）

测试条件

V

GE

= ±20

V, V

CE

=

0

V

CE

=

600 V, V

GE

=

0

I

C

=

3毫安，V

CE

=

5 V

I

C

=

30 A，V

GE

=

15 V

V

CE

=

20 V, V

GE

=

0, f

=

1兆赫

感性负载

V

CC

=

300 V，I

C

=

30 A

V

GG

= ±15

V ，R

G

=

43

(Note1)

民

5.0

典型值。

2.1

2200

0.12

0.40

0.15

0.70

最大

±500

1.0

8.0

2.7

单位

nA

mA

V

V

pF

0.30

s

0.81

° C / W

注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形

V

GE

GT30J301

V

GE

I

C

R

G

L

V

CC

V

CE

0

I

C

90%

V

CE

10%

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

t

on

10%

10%

t

D（上）

t

r

90%

10%

0

90%

10%

注2 ：开关损耗测量波形

V

GE

0

90%

10%

I

C

0

V

CE

10%

E

关闭

E

on

2

2002-01-18

GT30J101

I

C

– V

CE

100

常见

辐射源

Tc

=

25°C

20

常见

辐射源

Tc

= 40°C

V

CE

– V

GE

(V)

80

(A)

I

C

20 15

60

13

集电极 - 发射极电压V

CE

16

12

集电极电流

12

40

8

60

4

20

30

IC

=

10 A

0

0

4

8

12

16

20

20

VGE

=

10 V

0

0

1

2

3

4

5

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

V

CE

– V

GE

20

常见

辐射源

Tc

=

25°C

20

常见

辐射源

Tc

=

125°C

V

CE

– V

GE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

16

12

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

16

12

8

60

30

8

20

4

IC

=

10 A

30

60

4

20

IC

=

10 A

0

0

4

8

12

16

20

0

0

4

8

12

16

20

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

I

C

– V

GE

100

常见

辐射源

VCE

=

5 V

4

常见

辐射源

VGE

=

15 V

3

V

CE （SAT）

TC =

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

80

60

50

40

30

I

C

60

集电极电流

(A)

2

20

10

40

20

Tc

=

125°C

0

0

25

40

12

16

20

1

IC

=

5 A

4

8

0

60

20

20

60

100

140

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

壳温度

(°C)

3

2002-01-18

GT30J101

开关时间t

on

, t

r

– R

G

3

10

开关时间t

on

, t

r

– I

C

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

(s)

1

0.5

0.3

tr

共发射极

0.1

0.05

0.03

3

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

30

100

300

1000

(s)

吨

3

t

on

, t

r

t

on

, t

r

1

0.5

0.3

吨

开关时间

开关时间

0.1

0.05

0.03

tr

0.01

0

5

10

15

20

25

30

门阻抗R

G

()

集电极电流

I

C

(A)

开关时间t

关闭

, t

f

– R

G

3

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

5

3

开关时间t

关闭

, t

f

– I

C

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

(s)

1

0.5

0.3

(s)

花花公子

花花公子

t

关闭

, t

f

t

关闭

, t

f

tf

1

0.5

0.3

开关时间

开关时间

0.1

0.05

0.03

0.1

tf

0.05

0.03

3

10

30

100

300

1000

0.01

0

5

10

15

20

25

30

门阻抗R

G

()

集电极电流

I

C

(A)

开关损耗

10

E

on

, E

关闭

– R

G

10

宙

开关损耗

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

Note2

E

on

, E

关闭

– I

C

（兆焦耳）

3

EOFF

1

E

on

, E

关闭

E

on

, E

关闭

（兆焦耳）

3

宙

1

0.3

EOFF

开关损耗

0.3

0.1

0.03

1

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

Note2

3

10

30

100

300

1000

开关损耗

0.1

0.03

0.01

0

5

10

15

20

25

30

门阻抗R

G

()

集电极电流

I

C

(A)

4

2002-01-18

GT30J101

- V

CE

10000

500

共发射极

V

CE

, V

GE

– Q

G

20

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

（PF ）

资本投资者入境计划

1000

16

C

300

VCE = 100V

200

200

8

100

共发射极

VGE

=

0

30

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

10

0.3

1

3

10

30

100

卓越中心

100

4

CRES

300

1000

0

0

20

40

60

80

0

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

栅极电荷

Q

G

（ NC ）

安全工作区

100

集成电路最大值（脉冲） *

最多50个IC

（连续）

30

10

5

3

*:

单非重复性

脉冲

Tc

=

25°C

0.5

0.3曲线必须降低

1

线性地增加

温度。

3

10

30

100

300

1000

3000

DC

手术

10毫秒*

100

100

s*

50

s*

50

30

反向偏置SOA

(A)

(A)

I

C

I

C

1毫秒*

10

5

3

集电极电流

集电极电流

1

0.5

0.3

Tj

＆ LT ;

125°C

=

VGE

= ±15

V

RG

=

43

0.1

1

3

10

30

100

300

1000

3000

0.1

1

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

10

2

R

日（T ）

– t

w

瞬态热阻抗

R

日（T ）

（ ° C / W）

10

1

10

0

10

1

2

3

Tc

=

25°C

10

10

10

4

10

5

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

1

10

2

脉冲宽度

t

w

(s)

5

2002-01-18

栅极 - 发射极电压

300

300

12

电容

V

GE

(V)

3000

RL

=

10

400锝

=

25°C

GT30J101

东芝绝缘栅双极晶体管

硅N沟道IGBT

GT30J101

高功率开关应用

单位：mm

第三代IGBT的

增强型模式

高速：吨

f

= 0.30

μs

（最大）

低饱和电压： V

CE （SAT）

= 2.7 V （最大值）

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

集电极耗散功率

（ TC

=

25°C)

结温

存储温度范围

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

等级

600

±20

30

60

155

150

55

150

单位

V

V

A

W

°C

°C

JEDEC

JEITA

―

―

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

东芝

2-16C1C

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

重量： 4.6克

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

记号

东芝

GT30J101

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

1

2006-11-01

GT30J101

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开关时间

开启时间

下降时间

打开-O FF时间

热阻

符号

I

GES

I

CES

V

GE （ OFF ）

V

CE （SAT）

C

IES

t

r

t

on

t

f

t

关闭

R

日（J -C ）

测试条件

V

GE

= ±20

V, V

CE

=

0

V

CE

=

600 V, V

GE

=

0

I

C

=

3毫安，V

CE

=

5 V

I

C

=

30 A，V

GE

=

15 V

V

CE

=

20 V, V

GE

=

0, f

=

1兆赫

感性负载

V

CC

=

300 V，I

C

=

30 A

V

GG

= ±15

V ，R

G

=

43

Ω

(Note1)

民

5.0

典型值。

2.1

2200

0.12

0.40

0.15

0.70

最大

±500

1.0

8.0

2.7

单位

nA

mA

V

V

pF

0.30

μs

0.81

° C / W

注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形

V

GE

GT30J301

V

GE

I

C

R

G

L

V

CC

V

CE

0

I

C

90%

V

CE

10%

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

t

on

10%

10%

t

D（上）

t

r

90%

10%

0

90%

10%

注2 ：开关损耗测量波形

V

GE

0

90%

10%

I

C

0

V

CE

10%

E

关闭

E

on

2

2006-11-01

GT30J101

I

C

– V

CE

100

20

常见

辐射源

Tc

=

25°C

常见

辐射源

Tc

= 40°C

V

CE

– V

GE

80

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压

20 15

13

12

集电极电流I

C

(A)

16

60

12

40

8

60

4

20

30

IC

=

10 A

0

0

4

8

12

16

20

20

VGE

=

10 V

0

0

1

2

3

4

5

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

V

CE

– V

GE

20

常见

辐射源

Tc

=

25°C

20

常见

辐射源

Tc

=

125°C

V

CE

– V

GE

V

CE

(V)

16

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压

16

集电极 - 发射极电压

12

12

8

60

30

8

20

4

IC

=

10 A

0

0

4

8

12

16

20

30

60

4

20

IC

=

10 A

0

0

4

8

12

16

20

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

I

C

– V

GE

100

常见

辐射源

VCE

=

5 V

4

常见

辐射源

VGE

=

15 V

3

V

CE （SAT）

TC =

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

(A)

80

60

50

40

30

集电极电流I

C

60

2

20

10

40

20

Tc

=

125°C

0

0

25

40

12

16

20

1

IC

=

5 A

4

8

0

60

20

20

60

100

140

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

壳温度（ ° C）

3

2006-11-01

GT30J101

开关时间

3

t

on

, t

r

– R

G

10

开关时间

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

Ω

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

t

on

, t

r

– I

C

(μs)

1

0.5

0.3

tr

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

30

100

300

1000

(μs)

吨

3

开关时间t

on

, t

r

开关时间t

on

, t

r

1

0.5

0.3

吨

0.1

0.05

0.03

tr

0.1

0.05

0.03

3

0.01

0

5

10

15

20

25

30

栅极电阻

R

G

(Ω)

集电极电流I

C

(A)

开关时间

3

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

t

关闭

, t

f

– R

G

10

5

3

开关时间

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

Ω

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

t

关闭

, t

f

– I

C

开关时间t

关闭

, t

f

(μs)

1

0.5

0.3

开关时间t

关闭

, t

f

(μs)

花花公子

1

0.5

0.3

花花公子

tf

0.1

0.05

0.03

0.1

tf

0.05

0.03

3

10

30

100

300

1000

0.01

0

5

10

15

20

25

30

栅极电阻

R

G

(Ω)

集电极电流I

C

(A)

开关损耗

10

E

on

, E

关闭

– R

G

10

宙

开关损耗

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

RG

=

43

Ω

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

Note2

E

on

, E

关闭

– I

C

E

on

, E

关闭

（兆焦耳）

3

EOFF

1

E

on

, E

关闭

（兆焦耳）

3

宙

1

0.3

EOFF

开关损耗

0.3

0.1

0.03

1

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

= ±15

V

IC

=

30 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

Note2

3

10

30

100

300

1000

开关损耗

0.1

0.03

0.01

0

5

10

15

20

25

30

栅极电阻

R

G

(Ω)

集电极电流I

C

(A)

4

2006-11-01

GT30J101

- V

CE

10000

500

共发射极

V

CE

, V

GE

– Q

G

20

V

CE

(V)

（PF ）

资本投资者入境计划

1000

16

集电极 - 发射极电压

电容C

300

200

VCE = 100V

200

8

100

共发射极

VGE

=

0

30

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

10

0.3

1

3

10

30

100

卓越中心

100

4

CRES

300

1000

0

0

20

40

60

80

0

100

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

栅极电荷q

G

（ NC ）

安全工作区

100

集成电路最大值（脉冲） *

最多50个IC

（连续）

30

10

5

3

*:

单非重复性

脉冲

Tc

=

25°C

0.5

0.3曲线必须降低

1

线性地增加

温度。

3

10

DC

手术

10毫秒*

100

100

μs*

50

μs*

50

30

反向偏置SOA

(A)

(A)

集电极电流I

C

集电极电流I

C

1毫秒*

10

5

3

1

0.5

0.3

Tj

＆ LT ;

125°C

=

VGE

= ±15

V

RG

=

43

Ω

3

10

30

100

300

1000

3000

0.1

1

30

100

300

1000

3000

0.1

1

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

10

2

R

日（T ）

– t

w

瞬态热阻抗

R

日（T ）

（ ° C / W）

10

1

10

0

10

1

2

3

Tc

=

25°C

10

10

10

4

10

5

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

1

10

2

脉冲宽度

t

w

(s)

5

2006-11-01

栅极 - 发射极电压

300

300

12

V

GE

(V)

3000

RL

=

10

Ω

400锝

=

25°C

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