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颁发日期:二○○四年十二月十五日
修改日期: 2005/12 / 23B
GJ122
描述
特点
&放大器;
直流电流增益
&放大器;
内建的
NPN外延平面牛逼RANSISTOR
该GJ122设计用于一般用途和低速开关应用中使用。
包装尺寸
在E-C阻尼二极管
TO-252
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
2.40
3.00
2.30 REF 。
0.70
0.90
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
R
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0
0.15
0.90
1.50
5.40
5.80
0.80
1.20
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
( TC = 25 :
)
符号
Tj
TSTG
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
100
100
5
5
20
单位
:
:
V
V
V
A
W
电气特性
(等级25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
BE ( SAT )
*V
BE(上)
*
h
FE
1
*
h
FE
2
COB
分钟。
100
100
5
-
-
-
-
-
-
-
1
1
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
环境温度,除非另有规定)
马克斯。
-
-
-
10
10
2
2
4
4
2.5
-
-
200
单位
V
V
V
A
A
mA
V
V
V
V
K
K
pF
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 30mA时我
B
=0
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
CE
= 50V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 3A ,我
B
=16mA
I
C
= 5A ,我
B
=20mA
I
C
= 5A ,我
B
=50mA
V
CE
= 3V ,我
C
=3A
V
CE
= 3V ,我
C
=500mA
V
CE
= 3V ,我
C
=3A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比2 %
GJ122
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颁发日期:二○○四年十二月十五日
修改日期: 2005/12 / 23B
特性曲线
GJ122
页次: 2/3
颁发日期:二○○四年十二月十五日
修改日期: 2005/12 / 23B
重要通知:
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GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 4传真: 86-21-38950165
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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