GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D)
100引脚TQFP & 165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
用户可配置的管道和流通过模式
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率
完全引脚兼容，既流水线和流过
NtRAM ， NOBL 和ZBT SRAM的
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
片上写入奇偶校验;偶数或奇数可选择
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
用2M ， 4M ， 18M和器件引脚兼容
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准封装
无铅100引脚TQFP封装
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
333兆赫， 150兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能， ZZ和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS881Z18B （T / D） / GS881Z32B （T / D） / GS881Z36B （T / D ）
可以由用户来配置在管道或流操作
通过模式。操作为流水线同步装置，
除了上升沿触发的寄存器，捕获
输入信号，该器件集成了一个上升沿触发
输出寄存器。对于读周期，流水线SRAM的输出数据是
在由边缘暂时存储触发输出寄存器
存取周期，然后被释放到输出驱动器在
时钟的下一个上升沿。
该GS881Z18B （T / D） / GS881Z32B （T / D） / GS881Z36B （T / D ）
与GSI的高性能CMOS工艺实现
技术可在符合JEDEC标准的100针
TQFP封装。
功能说明
该GS881Z18B （T / D） / GS881Z32B （T / D） / GS881Z36B （T / D ）
是一个9Mbit同步静态SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，
像ZBT ， NtRAM ， NOBL或其他流水线读/双晚
写或流经读/单后写的SRAM ，允许
通过消除利用所有可用的总线带宽
需要插入取消选择周期时，该设备是由切换
读取写入周期。
中参数简介
-333
管道
3-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
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t
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流经
2-1-1-1
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2002年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D)
GS881Z18BT 100引脚TQFP引脚（包T）
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NC
NC
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B
DQ
B
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DQ
B
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GS881Z32BT 100引脚TQFP引脚（包T）
NC
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GS881Z36BT 100引脚TQFP引脚（包T）
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GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D)
100引脚TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
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A
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B
A
B
B
B
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E
1
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TYPE
In
In
In
In
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In
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In
In
In
In
—
I / O
I / O
I / O
I / O
In
In
In
In
In
In
描述
突发地址输入;预装爆计数器
地址输入
时钟输入信号
数据输入DQ字节写入信号
A1
-DQ
A9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
B1
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;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
C1
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C9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
D1
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;低电平有效
写使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能，高电平有效。自解码的深度扩张
芯片使能，低电平有效。自解码的深度扩张
输出使能;低电平有效
前进/负载;突发地址计数器控制引脚
时钟输入缓冲器使能;低电平有效
无连接
字节的数据输入和输出引脚
字节B数据输入和输出引脚
字节C数据输入和输出引脚
字节D数据输入和输出引脚
掉电控制;高电平有效
管线/流过模式控制;低电平有效
线性突发顺序;活性低。
核心供电
地
输出驱动器电源
冯： 1.04 10/2004
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GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D)
100引脚TQFP & 165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
用户可配置的管道和流通过模式
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率
完全引脚兼容，既流水线和流过
NtRAM ， NOBL 和ZBT SRAM的
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
片上写入奇偶校验;偶数或奇数可选择
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
用2M ， 4M ， 18M和器件引脚兼容
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准封装
无铅100引脚TQFP封装
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
333兆赫， 150兆赫
2.5 V或3.3 V V
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因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能， ZZ和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS881Z18B （T / D） / GS881Z32B （T / D） / GS881Z36B （T / D ）
可以由用户来配置在管道或流操作
通过模式。操作为流水线同步装置，
除了上升沿触发的寄存器，捕获
输入信号，该器件集成了一个上升沿触发
输出寄存器。对于读周期，流水线SRAM的输出数据是
在由边缘暂时存储触发输出寄存器
存取周期，然后被释放到输出驱动器在
时钟的下一个上升沿。
该GS881Z18B （T / D） / GS881Z32B （T / D） / GS881Z36B （T / D ）
与GSI的高性能CMOS工艺实现
技术可在符合JEDEC标准的100针
TQFP封装。
功能说明
该GS881Z18B （T / D） / GS881Z32B （T / D） / GS881Z36B （T / D ）
是一个9Mbit同步静态SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，
像ZBT ， NtRAM ， NOBL或其他流水线读/双晚
写或流经读/单后写的SRAM ，允许
通过消除利用所有可用的总线带宽
需要插入取消选择周期时，该设备是由切换
读取写入周期。
中参数简介
-333
管道
3-1-1-1
t
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TCYCLE
CURR （ X18 ）
币种（ X32 / X36 ）
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2-1-1-1
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GS881Z18BT 100引脚TQFP引脚（包T）
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GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D)
GS881Z32BT 100引脚TQFP引脚（包T）
NC
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31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
B
D
B
C
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
W
CKE
G
ADV
NC
A
A
A
NC
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
NC
冯： 1.04 10/2004
LBO
A
A
A
A
A
1
A
0
TMS
TDI
V
SS
V
DD
TDO
TCK
A
A
A
A
A
A
A
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2002年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D)
GS881Z36BT 100引脚TQFP引脚（包T）
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
D
DQ
D2
V
DDQ
V
SS
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
DQP
D
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
256K ×36
10
71
顶视图
11
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
64
18
63
19
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59
23
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24
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25
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26
55
27
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28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
B
D
B
C
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
W
CKE
G
ADV
NC
A
A
A
DQP
B
DQ
B
DQ
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V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
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B
V
SS
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DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
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V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
DQP
A
冯： 1.04 10/2004
LBO
A
A
A
A
A
1
A
0
TMS
TDI
V
SS
V
DD
TDO
TCK
A
A
A
A
A
A
A
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规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D)
100引脚TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
CK
B
A
B
B
B
C
B
D
W
E
1
E
2
E
3
G
ADV
CKE
NC
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
—
I / O
I / O
I / O
I / O
In
In
In
In
In
In
描述
突发地址输入;预装爆计数器
地址输入
时钟输入信号
数据输入DQ字节写入信号
A1
-DQ
A9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
B1
-DQ
B9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
C1
-DQ
C9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
D1
-DQ
D9
;低电平有效
写使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能，高电平有效。自解码的深度扩张
芯片使能，低电平有效。自解码的深度扩张
输出使能;低电平有效
前进/负载;突发地址计数器控制引脚
时钟输入缓冲器使能;低电平有效
无连接
字节的数据输入和输出引脚
字节B数据输入和输出引脚
字节C数据输入和输出引脚
字节D数据输入和输出引脚
掉电控制;高电平有效
管线/流过模式控制;低电平有效
线性突发顺序;活性低。
核心供电
地
输出驱动器电源
冯： 1.04 10/2004
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