【初步GS88118/36T-11/11.5/100/80/66100引脚TQFP商用温度工业级温度特】,IC型号GS88118T-100I,GS88118T-100I PDF资料,GS88118T-100I经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

100引脚TQFP

商用温度

工业级温度

特点

FT引脚用户可配置的过流或流水线操作

单周期取消（ SCD ）的操作

IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描

片上写入奇偶校验;偶数或奇数可选择

3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电

2.5 V或3.3 V的I / O供电

LBO引脚的直线或交错突发模式

在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚

默认为交错管道模式

字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作

常见的数据输入和数据输出

时钟控制，注册地址，数据和控制

内部自定时写周期

用于便携式应用的自动断电

100引脚TQFP封装

-11

-11.5

-100

-80

-66

10纳秒

10 ns的12.5纳秒15纳秒

管道时钟周期内完成10纳秒

3-1-1-1

t

KQ

4.0纳秒4.0纳秒4.0纳秒4.5纳秒5.0纳秒

I

DD

225毫安225毫安225毫安200毫安185毫安

溢流

t

KQ

11 ns的11.5纳秒12纳秒

14纳秒

18纳秒

通过时钟周期内完成15纳秒

15纳秒

20纳秒

2-1-1-1

I

DD

180毫安180毫安180毫安175毫安165毫安

512K ×18 ， 256K ×36 ByteSafe

100兆赫， 66兆赫

3.3 V V

DD

8MB同步突发静态存储器

3.3 V和2.5 V的I / O

被使用。新的地址可以在每个周期装载不

退化的芯片性能。

流经/管道读取

的数据输出寄存器中的功能可以由用户来控制

通过FT模式引脚（引脚14 ）。抱着FT模式引脚的地方低

的RAM中流动穿通模式，使输出数据绕过数据

输出寄存器。控股FT高处的RAM中的管道模式，

激活的上升沿触发的数据输出寄存器。

SCD流水线读

该GS88118 // 36T是SCD （单循环取消）流水线

同步SRAM 。 DCD （双循环取消）版本也

可用。 SCD的SRAM管道命令取消一个阶段少

比读取命令。 SCD的RAM开始关闭其输出

后，立即取消选择命令已被捕获在

输入寄存器。

字节写和全局写

通过使用字节写使能（ BW ）进行字节写操作

输入与一个或多个单独的字节的写信号（ Bx的）。在

此外，全局写（ GW ）是可用于写入所有字节在同一

时，无论该字节写入控制输入。

ByteSafe 奇偶功能

该GS88118 / 36T特点ByteSafe数据安全功能。看

详细的讨论之后。

睡眠模式

功能说明

应用

该GS88118 // 36T是9437184位高性能同步

SRAM，带有一个2位的猝发地址计数器。虽然一个类型的原本

对于二级缓存的应用程序支持开发高

高性能CPU ，该装置现在发现在同步应用

SRAM应用，从DSP总店网络芯片

集的支持。

低功耗（休眠模式）通过断言实现（高）的

在ZZ信号，或者通过停止时钟（CK）。存储器数据将被保留

在休眠模式下。

核心和接口电压

该GS88118 // 36T工作在3.3 V电源供电，并且所有的输入/

输出为3.3 V - 2.5 V兼容。单独的输出电源

(V

DDQ

）引脚用于从内部分离输出噪声

电路。

控制

地址，数据I / O的芯片使能（ E1，E2），地址脉冲串控制

输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ）和写控制输入（ BX， BW ， GW）是

同步并通过一个正边沿触发的时钟控制

输入端（ CK）。输出使能（ G）和断电控制（ ZZ ）是

异步输入。突发周期可以与任何ADSP启动

或ADSC输入。在连拍模式下，后续的突发地址

内部产生的并通过ADV控制。突发地址

计数器可以被配置的线性或交织顺序来算

与线性突发顺序（ LBO ）的输入。连拍功能不需要

冯： 1.10 7/2000

1/33

2000 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

GS88118 100引脚TQFP引脚

NC

V

DDQ

V

SS

NC

DQ

B1

DQ

B2

V

SS

V

DDQ

DQ

B3

DQ

B4

FT

V

DD

DP

V

SS

DQ

B5

DQ

B6

V

DDQ

V

SS

DQ

B7

DQ

B8

DQ

B9

NC

V

SS

V

DDQ

NC

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

1

80

2

79

3

78

4

77

5

76

6

75

7

74

8

73

9

72

512K ×18

10

71

11

顶视图

70

12

69

13

68

14

67

15

66

16

65

17

64

18

63

19

62

20

61

21

60

22

59

23

58

24

57

25

56

26

55

27

54

28

53

29

52

30

51

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

A

6

A

7

E

1

E

2

NC

B

A

17

V

DD

V

SS

CK

GW

BW

G

ADSC

ADSP

ADV

A

8

A

9

A

18

NC

V

DDQ

V

SS

NC

DQ

A9

DQ

A8

DQ

A7

V

SS

V

DDQ

DQ

A6

DQ

A5

V

SS

QE

V

DD

ZZ

DQ

A4

DQ

A3

V

DDQ

V

SS

DQ

A2

DQ

A1

NC

V

SS

V

DDQ

NC

冯： 1.10 7/2000

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

A

1

A

0

TMS

TDI

V

SS

V

DD

TDO

TCK

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

A

16

2/33

2000 ，千兆半导体公司

LBO

A

5

A

4

A

3

A

2

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

GS88136 100引脚TQFP引脚

DQ

C9

DQ

C8

DQ

C7

V

DDQ

V

SS

DQ

C6

DQ

C5

DQ

C4

DQ

C3

V

SS

V

DDQ

DQ

C2

DQ

C1

FT

V

DD

DP

V

SS

DQ

D1

DQ

D2

V

DDQ

V

SS

DQ

D3

DQ

D4

DQ

D5

DQ

D6

V

SS

V

DDQ

DQ

D7

DQ

D8

DQ

D9

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

1

80

2

79

3

78

4

77

5

76

6

75

7

74

8

73

9

72

256K ×36

10

71

11

顶视图

70

12

69

13

68

14

67

15

66

16

65

17

64

18

63

19

62

20

61

21

60

22

59

23

58

24

57

25

56

26

55

27

54

28

53

29

52

30

51

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

A

6

A

7

E

1

E

2

B

D

B

C

B

A

17

V

DD

V

SS

CK

GW

BW

G

ADSC

ADSP

ADV

A

8

A

9

DQ

B9

DQ

B8

DQ

B7

V

DDQ

V

SS

DQ

B6

DQ

B5

DQ

B4

DQ

B3

V

SS

V

DDQ

DQ

B2

DQ

B1

V

SS

QE

V

DD

ZZ

DQ

A1

DQ

A2

V

DDQ

V

SS

DQ

A3

DQ

A4

DQ

A5

DQ

A6

V

SS

V

DDQ

DQ

A7

DQ

A8

DQ

A9

冯： 1.10 7/2000

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

LBO

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

TMS

TDI

V

SS

V

DD

TDO

TCK

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

A

16

3/33

2000 ，千兆半导体公司

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

TQFP引脚说明

引脚位置

37, 36

35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,

46, 47, 48, 49, 50, 92

80

63, 62, 59, 58, 57, 56, 53, 52

68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79

13, 12, 9, 8, 7, 6, 3, 2

18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29

51, 80, 1, 30

58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73, 74

8, 9, 12, 13, 18, 19, 22, 23, 24

51, 52, 53, 56, 57

75, 78, 79,

1, 2, 3, 6, 7

25, 28, 29, 30

16

66

87

93, 94

95, 96

89

88

98

97

86

83

84, 85

64

14

31

38

39

42

43

15, 41, 65, 91

5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90

4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77

冯： 1.10 7/2000

符号

A

0

, A

1

A

2

–A

17

A

18

DQ

A1

-DQ

A8

DQ

B1

-DQ

B8

DQ

C1

-DQ

C8

DQ

D1

-DQ

D8

DQ

A9

， DQ

B9

,

DQ

C9

， DQ

D9

DQ

A1

-DQ

A9

DQ

B1

-DQ

B9

NC

DP

QE

BW

B

A

, B

B

C

, B

D

NC

CK

GW

E

1

E

2

G

ADV

ADSP ， ADSC

ZZ

FT

LBO

TMS

TDI

TDO

TCK

V

DD

V

SS

V

DDQ

TYPE

I

I / O

描述

地址域的LSB和地址计数器的预置输入

地址输入

数据输入和输出引脚（ X36版）

I / O

数据输入和输出引脚

—

I

O

I

—

I

O

I

4/33

无连接

奇偶输入; 1 =偶数， 0 =奇数

奇偶校验错误输出;开漏输出

字节写，将所有启用的字节;低电平有效

字节写使能为DQ

A

， DQ

B

数据I / O的;低电平有效

字节写使能为DQ

C

， DQ

D

数据I / O的;低电平有效（ X36版）

无连接（ X18版）

时钟输入信号;高电平有效

全局写使能，将所有字节;低电平有效

芯片使能;低电平有效

芯片使能;高电平有效

输出使能;低电平有效

突发地址计数器提前实现;低电平有效

地址选通（处理器，高速缓存控制器） ;低电平有效

睡眠模式控制;高电平有效

流过管道或方式;低电平有效

线性突发顺序模式;低电平有效

扫描测试模式选择

扫描测试数据

扫描测试数据输出

扫描测试时钟

核心供电

I / O和核心地

输出驱动器电源

2000 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

GS881881E18 / 36框图

注册

A0–An

D

Q

A0

D0

A1

D1

Q1

计数器

负载

A

Q0

A0

A1

LBO

ADV

CK

ADSC

ADSP

GW

BW

B

A

注册

内存

ARRAY

Q

D

Q

36

D

36

注册

D

B

Q

4

注册

D

B

C

Q

注册

D

Q

注册

4

D

B

D

Q

注册

36

D

Q

E

1

E

2

注册

D

Q

32

奇偶

ENCODE

4

奇偶

比较

36

注册

D

Q

FT

G

掉电

控制

1

ZZ

DQx0–DQx9

QE

D

DP

注：图中所示为简单起见，只有X36版本。

冯： 1.10 7/2000

5/33

2000 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

Q

D

注册

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

100引脚TQFP

商用温度

工业级温度

1.11 9 / 2000Features

FT引脚用户可配置的过流或流水线

手术

单周期取消（ SCD ）的操作

IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描

片上写入奇偶校验;偶数或奇数可选择

3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电

2.5 V或3.3 V的I / O供电

LBO引脚的直线或交错突发模式

在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚

默认为交错管道模式

字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作

常见的数据输入和数据输出

时钟控制，注册地址，数据和控制

内部自定时写周期

用于便携式应用的自动断电

100引脚TQFP封装

-11

-11.5

-100

-80

-66

10纳秒

10 ns的12.5纳秒15纳秒

管道时钟周期内完成10纳秒

4.0纳秒4.0纳秒4.0纳秒4.5纳秒5.0纳秒

3-1-1-1

t

KQ

I

DD

225毫安225毫安225毫安200毫安185毫安

11 ns的11.5纳秒12纳秒

14纳秒

18纳秒

溢流

t

KQ

通过时钟周期内完成15纳秒

15纳秒

20纳秒

2-1-1-1

I

DD

180毫安180毫安180毫安175毫安165毫安

512K ×18 ， 256K ×36 ByteSafe

100兆赫， 66兆赫

3.3 V V

DD

8MB同步突发静态存储器

3.3 V和2.5 V的I / O

计数器可以被配置成在计算的线性或

交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该

突发功能不需要使用。新的地址可以被装载

在每一个周期用的芯片性能不劣化。

流经/管道读取

的数据输出寄存器的功能可以通过控制

通过FT模式引脚用户（引脚14 ）。抱着FT模式

引脚为低电平时， RAM的流量通过模式，导致

输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT

高处的RAM中的管道模式，激活rising-

边沿触发数据输出寄存器。

SCD流水线读

该GS88118 // 36T是SCD （单循环取消）流水线

同步SRAM 。 DCD （双循环取消）版本

也可提供。 SCD的SRAM管线取消命令之一

舞台小于读取命令。 SCD的RAM开始关闭

它们的输出后，立即取消命令已

捕获到的输入寄存器。

字节写和全局写

通过使用字节写使能进行字节写操作

（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写

信号（ Bx的）。此外，全局写（ GW）是供

写的字节写入所有字节在同一时间，不管

控制输入。

ByteSafe 奇偶功能

该GS88118 / 36T特点ByteSafe数据安全功能。

详细见下面的讨论。

功能说明

应用

该GS88118 // 36T是9437184位高性能

同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。

虽然类型的最初开发的2级缓存

支持高性能的CPU的应用，所述设备

现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序，

从DSP总店联网芯片组的支持。

睡眠模式

低功耗（休眠模式）通过断言实现

（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK）。

在休眠模式下的内存数据将被保留。

核心和接口电压

该GS88118 // 36T工作在3.3 V电源供电，并且所有

输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另

输出功率（V

DDQ

）引脚用于去耦输出噪声

从内部电路。

控制

地址，数据I / O的芯片使能（ E1，E2），地址脉冲串

控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ）和写控制输入

（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制

正边沿触发的时钟输入端（ CK）。输出使能（ G）

和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆

周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在

连拍模式下，会产生后续的突发地址

在内部，并通过ADV控制。突发地址

冯： 1.11 2000分之9

1/33

2000 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

GS88118 100引脚TQFP引脚

NC

V

DDQ

V

SS

NC

DQ

B1

DQ

B2

V

SS

V

DDQ

DQ

B3

DQ

B4

FT

V

DD

DP

V

SS

DQ

B5

DQ

B6

V

DDQ

V

SS

DQ

B7

DQ

B8

DQ

B9

NC

V

SS

V

DDQ

NC

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

1

80

2

79

3

78

4

77

5

76

6

75

7

74

8

73

9

72

512K ×18

10

71

顶视图

11

70

12

69

13

68

14

67

15

66

16

65

17

64

18

63

19

62

20

61

21

60

22

59

23

58

24

57

25

56

26

55

27

54

28

53

29

52

30

51

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

CK

GW

BW

G

ADSC

ADSP

ADV

A

8

A

9

A

6

A

7

E

1

E

2

NC

B

A

17

V

DD

V

SS

A

18

NC

V

DDQ

V

SS

NC

DQ

A9

DQ

A8

DQ

A7

V

SS

V

DDQ

DQ

A6

DQ

A5

V

SS

QE

V

DD

ZZ

DQ

A4

DQ

A3

V

DDQ

V

SS

DQ

A2

DQ

A1

NC

V

SS

V

DDQ

NC

A

1

A

0

TMS

TDI

V

SS

V

DD

TDO

TCK

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

2/33

LBO

A

5

A

4

冯： 1.11 2000分之9

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

A

16

2000 ，千兆半导体公司

A

3

A

2

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

GS88136 100引脚TQFP引脚

DQ

C9

DQ

C8

DQ

C7

V

DDQ

V

SS

DQ

C6

DQ

C5

DQ

C4

DQ

C3

V

SS

V

DDQ

DQ

C2

DQ

C1

FT

V

DD

DP

V

SS

DQ

D1

DQ

D2

V

DDQ

V

SS

DQ

D3

DQ

D4

DQ

D5

DQ

D6

V

SS

V

DDQ

DQ

D7

DQ

D8

DQ

D9

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

1

80

2

79

3

78

4

77

5

76

6

75

7

74

8

73

9

72

256K ×36

10

71

顶视图

11

70

12

69

13

68

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59

23

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57

25

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26

55

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28

53

29

52

30

51

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

CK

GW

BW

G

ADSC

ADSP

ADV

A

8

A

9

A

6

A

7

E

1

E

2

B

D

B

C

B

A

17

V

DD

V

SS

DQ

B9

DQ

B8

DQ

B7

V

DDQ

V

SS

DQ

B6

DQ

B5

DQ

B4

DQ

B3

V

SS

V

DDQ

DQ

B2

DQ

B1

V

SS

QE

V

DD

ZZ

DQ

A1

DQ

A2

V

DDQ

V

SS

DQ

A3

DQ

A4

DQ

A5

DQ

A6

V

SS

V

DDQ

DQ

A7

DQ

A8

DQ

A9

A

3

A

2

A

1

A

0

TMS

TDI

V

SS

V

DD

TDO

TCK

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

3/33

LBO

A

5

A

4

冯： 1.11 2000分之9

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

A

16

2000 ，千兆半导体公司

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

TQFP引脚说明

引脚位置

37, 36

35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,

46, 47, 48, 49, 50, 92

80

63, 62, 59, 58, 57, 56, 53, 52

68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79

13, 12, 9, 8, 7, 6, 3, 2

18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29

51, 80, 1, 30

58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73, 74

8, 9, 12, 13, 18, 19, 22, 23, 24

51, 52, 53, 56, 57

75, 78, 79,

1, 2, 3, 6, 7

25, 28, 29, 30

16

66

87

93, 94

95, 96

89

88

98

97

86

83

84, 85

符号

A

0

, A

1

A

2

–A

17

A

18

DQ

A1

-DQ

A8

DQ

B1

-DQ

B8

DQ

C1

-DQ

C8

DQ

D1

-DQ

D8

DQ

A9

， DQ

B9

,

DQ

C9

， DQ

D9

DQ

A1

-DQ

A9

DQ

B1

-DQ

B9

NC

DP

QE

BW

B

A

, B

B

C

, B

D

NC

CK

GW

E

1

E

2

G

ADV

ADSP ， ADSC

典型值

e

I

I / O

描述

地址域的LSB和地址计数器的预置输入

地址输入

数据输入和输出引脚（ X36版）

I / O

数据输入和输出引脚

—

I

O

I

—

I

无连接

奇偶输入; 1 =偶数， 0 =奇数

奇偶校验错误输出;开漏输出

字节写，将所有启用的字节;低电平有效

字节写使能为DQ

A

， DQ

B

数据I / O的;低电平有效

字节写使能为DQ

C

， DQ

D

数据I / O的;低电平有效（ X36版）

无连接（ X18版）

时钟输入信号;高电平有效

全局写使能，将所有字节;低电平有效

芯片使能;低电平有效

芯片使能;高电平有效

输出使能;低电平有效

突发地址计数器提前实现;低电平有效

地址选通（处理器，高速缓存控制器） ;低电平有效

冯： 1.11 2000分之9

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2000 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

初步

GS88118/36T-11/11.5/100/80/66

引脚位置

64

14

31

38

39

42

43

15, 41, 65, 91

5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90

4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77

符号

ZZ

FT

LBO

TMS

TDI

TDO

TCK

V

DD

V

SS

V

DDQ

典型值

e

I

O

I

描述

睡眠模式控制;高电平有效

流过管道或方式;低电平有效

线性突发顺序模式;低电平有效

扫描测试模式选择

扫描测试数据

扫描测试数据输出

扫描测试时钟

核心供电

I / O和核心地

输出驱动器电源

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5/33

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规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。