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GS842Z18/36AB-180/166/150/100
119焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
256K ×18和128K ×36配置
用户可配置的管道和流量通过模式
NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率
引脚完全兼容两种流水线和流过
NtRAM , NOBL 和ZBT SRAM的
有2M , 8M , 16M和设备的引脚兼容
3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
字节写操作( 9位字节)
3芯片使能轻松深度扩展信号
时钟控制,注册地址,数据和控制
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准的119焊球BGA封装
4MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM的
180兆赫, 100兆赫
3.3 V V
DD
2.5 V和3.3 V V
DDQ
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS842Z18 / 36AT可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中,除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号,该装置
包括一个上升沿触发的输出寄存器。对于读
周期,流水线SRAM的输出数据由暂时存储
的边缘接入周期中触发输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS842Z18 / 36AT与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的119焊球BGA封装。
功能说明
该GS842Z18 / 36AB是4Mbit的同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
TCYCLE
t
KQ
I
DD
t
KQ
TCYCLE
I
DD
–180
5.5纳秒
3.2纳秒
335毫安
8纳秒
9.1纳秒
210毫安
–166
6.0纳秒
3.5纳秒
310毫安
8.5纳秒
10纳秒
190毫安
–150
6.6纳秒
3.8纳秒
280毫安
10纳秒
12纳秒
165毫安
–100
10纳秒
4.5纳秒
190毫安
12纳秒
15纳秒
135毫安
冯: 1.03 11/2004
1/30
2001年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS842Z18/36AB-180/166/150/100
GS842Z18A垫出119焊球BGA -顶视图(装箱率B)
1
A
B
C
D
E
F
G
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J
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L
M
N
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U
V
DDQ
NC
NC
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B
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DQ
B
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DDQ
NC
DQ
B
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DDQ
DQ
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NC
NC
NC
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2
A
E
2
A
NC
DQ
B
NC
DQ
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NC
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B
NC
DQ
B
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DQP
B
A
A
TMS
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
B
B
V
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NC
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
LBO
A
TDI
4
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ADV
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ZQ
E
1
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NC
W
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CK
NC
CKE
A
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0
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TCK
5
A
A
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NC
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B
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SS
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FT
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A
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A
DQP
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A
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A
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DQ
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A
A
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DDQ
NC
NC
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ZZ
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GS842Z18/36AB-180/166/150/100
GS842Z36A垫输出119焊球BGA -顶视图( B包)
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DQ
D
DQ
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DQP
D
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NC
TMS
3
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A
A
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SS
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SS
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SS
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SS
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SS
LBO
A
TDI
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NC
ADV
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DD
ZQ
E
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G
NC
W
V
DD
CK
NC
CKE
A
1
A
0
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DD
A
TCK
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A
8
A
A
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SS
V
SS
V
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B
B
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NC
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B
A
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SS
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6
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3
A
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
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DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
A
NC
NC
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V
DDQ
NC
NC
DQ
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DQ
B
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DDQ
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DQ
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A
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A
V
DDQ
DQ
A
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A
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ZZ
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GS842Z18/36AB-180/166/150/100
GS842Z18 / 36A引脚说明
符号
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
CK
CKE
W
E
1
G
ADV
ZZ
FT
LBO
ZQ
NC
TMS
TDI
TDO
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
CK
TYPE
I
I
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I
I
I
I
I
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
数据输入和输出引脚
字节写使能为DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
A
的I / O ;低电平有效( X36版)
时钟输入信号;高电平有效
时钟输入缓冲器使能;低电平有效
写使能。将所有启用的字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;高电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
FLXDrive输出阻抗控制
(低=低阻抗[高驱动器] ,高=高阻抗[低驱动器] )
无连接
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
时钟输入信号;高电平有效
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GS842Z18/36AB-180/166/150/100
功能细节
时钟
时钟的无效置到达RAM中的内部电路使能( CKE )输入块的时钟输入。它可用于
暂停RAM的操作。如果不遵守时钟使能建立或保持要求,将导致运行不稳定。
流水线模式读取和写入操作
所有输入(除输出允许,线性突发顺序和休眠)的同步时钟的上升沿。单曲循环
读取和写入操作必须使用前进/负载引脚( ADV )启动保持为低电平,以加载新的地址。设备
激活是通过确认所有三个芯片使能输入完成(E
1
, E
2,
与ê
3
) 。的使能任一项的无效
输入将停用的设备。
功能
写字节??一??
写字节“B”
写字节“C”
写字节“D”
写的所有字节
写入中止/ NOP
W
H
L
L
L
L
L
L
B
A
X
L
H
H
H
L
H
B
B
X
H
L
H
H
L
H
B
C
X
H
H
L
H
L
H
B
D
X
H
H
H
L
L
H
开始读操作时,同时满足下列条件时时钟的上升沿: CKE为低电平时,所有三个
芯片使能( E1,E2和E3 )是活动的,写使能输入信号W置为无效高电平,并且ADV被置为低电平。地址
呈现给所述地址输入锁存到地址寄存器,并提交给存储器核心和控制逻辑。控制
逻辑确定读访问过程中,允许所请求的数据传播到输出寄存器的输入端。在
时钟的下一个上升沿的读数据被允许通过输出寄存器和到输出引脚传播。
发生写操作时,所选择的RAM , CKE是积极的写输入采样为低电平,在时钟的上升沿。该
字节写使能输入(B
A
, B
B
, B
C,
和B
D
)确定哪个字节将被写入。全或无可能被激活。写周期
没有字节写入输入激活是一个空操作周期。流水线NBT SRAM提供双晚写功能,选配
写指令与数据管道长度为2个周期的读命令与数据管道长度( 2次) 。在第一次崛起
时钟的边沿,使能,写,写字节( s)和地址被注册。该数据在与该地址相关联的是需要在
时钟的第三个上升沿。
流经模式读取和写入操作
在RAM中的流通过模式的操作非常相似,在流水线模式操作。一个读周期,并使用活化
的突发地址计数器是一样的。在流模式下通过该设备可以开始新的后,立即驶出新数据
地址读入内存,而不是拿着新的数据,直到下(第二)的时钟边沿。因此,在流
通过模式读取管道比管道模式一个周期更短。
写操作开始以相同的方式为好,但不同之处在于,写入管道是一个周期更短的为好,保
把公交车从能力到读取写入不插入任何死循环。而流水线NBT RAM的实现
双晚写入协议,以流模式在单一的后期写的协议模式被观察到。因此,在通过流模式,
地址和控制被登记在时钟和数据在需要时将数据输入引脚在第二上升的第一个上升沿
时钟的边沿。
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