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GP1S096HCZ0F
GP1S096HCZ0F
差距： 1mm时，狭缝： 0.3毫米
光电晶体管输出，
紧凑型透射
光电断路器
■
描述
GP1S096HCZ0F
是一个紧凑的封装， phototran-
体管输出，传输的光断续器，具有OP-
构成发射器和检测器在一个模制，可提供
非接触感测。紧凑型封装系列是
独特的技术结合转移和注射的结果
化成型。
该器件具有低廓。
■
机构认证/合规
1.符合RoHS指令
■
应用
1.检测物体存在或运动。
2.例如：打印机，镜头控制相机
■
特点
1.透射与光电晶体管输出
2.亮点：
紧凑的尺寸
窄间隙
3.主要参数：
间隙宽度： 1毫米
狭缝宽度（检测端） ： 0.3毫米
封装： 3.5 × 2.6 × 2.9毫米
4.无铅和RoHS指令标准
注意数据表的内容如有更改，恕不另行通知。
在没有CON连接细则第十五通过特定的设备连接阳离子表，夏普需要使用任何夏普设备可能出现的任何缺陷承担责任
在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录，数据手册等所刊载的设备。
1
表号： D3- A00901EN
日期六月30， 2005
夏普公司
GP1S096HCZ0F
■
内部连接图
顶视图
2
1
1
2
3
4
3
4
阳极
集热器
辐射源
阴极
■
外形尺寸
顶视图
门
位置
a'
(C 0.3)
a
（单位：毫米）
光路
中心
(0.75)
3.5
1
A-A '部分
(C0.4)
2.6
2.9
(0.5)
0.4
(1)
2
(C0.3)
（ 0.3 ）狭缝宽度
2.1
0.15
+0.2
0.1
2.55
3
4
2
1
Unspeci网络版公差： ±0.2毫米
尺寸在括号中显示的
参考
尺寸被显示
请参阅
那些由铅基测定。
显示不包括那些尺寸
毛刺
伯尔的尺寸： 0.15毫米MAX 。
铅可以在阴影被曝光
一部分
这部分没有焊料电镀
这部分没有任何焊料
电镀在某些情况下
产品质量：约。 0.05克
电镀材料：锡铜（CU ：典型值2 ％ ）
原产地
日本
3.5
±0.5
表号： D3- A00901EN
2
GP1S096HCZ0F
■
绝对最大额定值
参数
正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
产量
集电极电流
集电极耗散功率
总功耗
工作温度
储存温度
1
焊接温度
(T
a
=
25C )
符号
等级
单位
I
F
50
mA
V
R
6
V
P
75
mW
V
首席执行官
35
V
V
ECO
6
V
20
mA
I
C
75
mW
P
C
100
mW
P
合计
C
T
OPR
25
+
85
C
T
英镑
40
+
100
T
SOL
260
C
1mm以上
焊接区
1 5秒或更少
■
光电特性
参数
正向电压
输入
反向电流
输出集电极暗电流
集电极电流
转让
集电极 - 发射极饱和电压
字符
上升时间
开创性意义响应时间
下降时间
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
I
C
V
CE （ SAT ）
t
r
t
f
条件
I
F
=
20mA
V
R
=
3V
V
CE
=
20V
V
CE
=
5V ，我
F
=
5mA
I
F
=
10毫安，我
C
=
40
μ
A
V
CE
=
5V ，我
C
=
100
μ
A，R
L
=
1k
Ω
分钟。
100
典型值。
1.2
50
50
(T
a
=
25C )
马克斯。
单位
1.4
V
10
μ
A
100
nA
400
μ
A
0.4
V
150
μ
s
150
μ
s
表号： D3- A00901EN
3
GP1S096HCZ0F
图1正向电流比。
环境温度
60
50
正向电流I
F
（MA ）
40
30
20
10
0
25
0
25
50
75 85
100
环境温度T
a
(C)
图2功耗对比
环境温度
120
100
80
75
60
40
20
15
0
25
0
25
50
75 85
100
P
合计
耗散功率P，P
c
, P
合计
（ mW）的
P, P
c
环境温度T
a
(C)
图3正向电流比。正向电压
图4集电极电流 -
正向电流
2.2
2
1.8
集电极电流I
C
（MA ）
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
V
CE
=5V
T
a
=25C
正向电流I
F
（MA ）
100
T
a
75C
50C
25C
0C
25C
10
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
正向电压V
F
(V)
0.2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
正向电流I
F
（MA ）
图5集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
4.4
4
3.6
集电极电流I
C
（MA ）
3.2
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
I
F
=5mA
I
F
=30mA
I
F
=20mA
I
F
=10mA
I
F
=40mA
I
F
=50mA
T
a
=25C
图6相对集电极电流与
环境温度
110
100
相对集电极电流（ ％ ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
0
25
50
I
F
5mA
V
CE
5V
I
C
100%
在T
a
25C
75
环境温度T
a
(C)
表号： D3- A00901EN
4
GP1S096HCZ0F
图7集电极 - 发射极饱和电压与
环境温度
0.2
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （SAT）
(V)
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
25
I
F
=10mA
I
C
=40μA
图8集电极暗电流与
环境温度
10
6
V
CE
20V
集电极暗电流I
首席执行官
(A)
10
7
10
8
10
9
10
0
25
50
75
环境温度T
a
(C)
10
0
25
50
75
100
环境温度T
a
(C)
图9响应时间与负载电阻
1 000
V
CE
5V
I
C
100 A
T
a
25C
图10测试电路的响应时间
V
CC
R
D
输入
R
L
输出输入
产量
10%
90%
响应时间T
r
, t
f
, t
d
, t
s
( s)
100
t
f
t
r
t
d
t
r
t
s
t
f
10
t
d
t
s
1
1
10
100
1 000
负载阻抗R
L
(k )
图11检测的位置特性（1）
100
相对集电极电流（ ％ ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0
1
2
3
盾
0
传感器
+
图12检测的位置特性（ 2）
盾
屏蔽距离L
100
相对集电极电流（ ％ ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0
1
2
3
0
+
传感器
I
F
=5mA
V
CE
=5V
T
a
=25C
盾
距离L
I
F
=5mA
V
CE
=5V
T
a
=25C
屏蔽移动距离为L（毫米）
屏蔽移动距离为L（毫米）
备注：请注意，图中的所有数据都只是参考，不是保证。
表号： D3- A00901EN
5
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