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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第155页 > GS84018AT-166
初步
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
TQFP , BGA
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或流水线
手术
单周期取消( SCD )的操作
3.3 V +10 % / - 5 %,核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错流水线模式
字节写( BW)和/或全局写( GW )的操作
常见的数据输入和数据输出
时钟控制,注册地址,数据和控制
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP或119焊球BGA封装
–180
5.5纳秒
3.0纳秒
185毫安
8纳秒
9.1纳秒
115毫安
–166
6.0纳秒
3.5纳秒
170毫安
8.5纳秒
10纳秒
105毫安
–150
6.6纳秒
3.8纳秒
155毫安
10纳秒
12纳秒
百毫安
–100
10纳秒
4.5纳秒
105毫安
12纳秒
15纳秒
80毫安
256K ×18 , 128K ×32 , 128K ×36
4MB同步突发静态存储器
180兆赫, 100兆赫
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序( LBO )的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚/焊盘(引脚14的TQFP用户和
凹凸5R在BGA ) 。抱着FT模式引脚/凹凸低
放置在RAM中通过流模式,导致输出数据
绕过数据输出寄存器。控股FT高的地方
在流水线模式的RAM ,激活上升沿触发
数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS84018 / 32 / 36A是一个SCD (单周期取消)
流水线同步SRAM 。 DCD (双循环取消)
版本也可以。 SCD的SRAM管线取消
命令一期比读取命令少。 SCD的RAM
开始取消选择后,立即关闭其输出
命令已被捕获在所述输入寄存器。
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
TCYCLE
t
KQ
I
DD
t
KQ
TCYCLE
I
DD
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
(BW)的输入与一个或多个单独的字节的写
信号( Bx的) 。此外,全局写( GW)是供
写的字节写入所有字节在同一时间,不管
控制输入。
功能说明
应用
该GS84018 / 32 / 36A是一种4718592位( 4,194,304位为
X32版本)的高性能同步SRAM与2-
爆位地址计数器。虽然一个类型的原本
对于二级缓存的应用程序支持开发高
高性能CPU ,该装置现在发现应用
同步SRAM的应用范围从DSP总店
联网芯片组的支持。该GS84018 / 32 / 36A是
在JEDEC标准的100引脚TQFP提供或119焊球
BGA封装。
睡眠模式
低功耗(休眠模式)通过断言实现
(高)的ZZ的信号,或通过停止时钟(CK) 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS84018 / 32 / 36A工作在3.3 V电源和
所有的输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另
输出功率(V
DDQ
)引脚用于去耦输出噪声
从内部电路。
控制
地址,数据I / O的芯片使(E
1
, E
2
, E
3
) ,地址爆
控制输入( ADSP , ADSC , ADV ) ,写控制输入
( Bx的,BW , GW)是同步的,并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端( CK) 。输出使能( G)
和断电控制( ZZ )是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下,会产生后续的突发地址
在内部,并通过ADV控制。突发地址
冯: 1.12 7/2002
1/31
1999 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
初步
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
GS84018A 100引脚TQFP引脚
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GS84032A 100引脚TQFP引脚
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GS84036A 100引脚TQFP引脚
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1999 ,千兆半导体公司
初步
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
TQFP引脚说明
引脚位置
37, 36
35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81,44, 45, 46,
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16, 38, 39, 42, 43, 66
符号
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0
, A
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A8
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A9
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TYPE
I
I
I
I / O
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
地址输入( X18版本)
数据输入和输出引脚。 ( X32 , X36版)
I / O
数据输入和输出引脚( X36版)
无连接( X32版)
I / O
数据输入和输出引脚( X18版)
-
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无连接( X18版)
字节写,将所有启用的字节;低电平有效
字节写使能为DQ
A
, DQ
B
数据I /的;低电平有效
字节写使能为DQ
C
, DQ
D
数据I / O的;低电平有效
( X32 , X36版)
无连接( X18版)
时钟输入信号;高电平有效
全局写使能,将所有字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;低电平有效
地址选通(处理器,高速缓存控制器) ;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
无连接
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1999 ,千兆半导体公司
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初步
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
TQFP , BGA
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或流水线
手术
单周期取消( SCD )的操作
3.3 V +10 % / - 5 %,核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错流水线模式
字节写( BW)和/或全局写( GW )的操作
常见的数据输入和数据输出
时钟控制,注册地址,数据和控制
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP或119焊球BGA封装
–180
5.5纳秒
3.0纳秒
185毫安
8纳秒
9.1纳秒
115毫安
–166
6.0纳秒
3.5纳秒
170毫安
8.5纳秒
10纳秒
105毫安
–150
6.6纳秒
3.8纳秒
155毫安
10纳秒
12纳秒
百毫安
–100
10纳秒
4.5纳秒
105毫安
12纳秒
15纳秒
80毫安
256K ×18 , 128K ×32 , 128K ×36
4MB同步突发静态存储器
180兆赫, 100兆赫
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序( LBO )的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚/焊盘(引脚14的TQFP用户和
凹凸5R在BGA ) 。抱着FT模式引脚/凹凸低
放置在RAM中通过流模式,导致输出数据
绕过数据输出寄存器。控股FT高的地方
在流水线模式的RAM ,激活上升沿触发
数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS84018 / 32 / 36A是一个SCD (单周期取消)
流水线同步SRAM 。 DCD (双循环取消)
版本也可以。 SCD的SRAM管线取消
命令一期比读取命令少。 SCD的RAM
开始取消选择后,立即关闭其输出
命令已被捕获在所述输入寄存器。
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
TCYCLE
t
KQ
I
DD
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TCYCLE
I
DD
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
(BW)的输入与一个或多个单独的字节的写
信号( Bx的) 。此外,全局写( GW)是供
写的字节写入所有字节在同一时间,不管
控制输入。
功能说明
应用
该GS84018 / 32 / 36A是一种4718592位( 4,194,304位为
X32版本)的高性能同步SRAM与2-
爆位地址计数器。虽然一个类型的原本
对于二级缓存的应用程序支持开发高
高性能CPU ,该装置现在发现应用
同步SRAM的应用范围从DSP总店
联网芯片组的支持。该GS84018 / 32 / 36A是
在JEDEC标准的100引脚TQFP提供或119焊球
BGA封装。
睡眠模式
低功耗(休眠模式)通过断言实现
(高)的ZZ的信号,或通过停止时钟(CK) 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS84018 / 32 / 36A工作在3.3 V电源和
所有的输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另
输出功率(V
DDQ
)引脚用于去耦输出噪声
从内部电路。
控制
地址,数据I / O的芯片使(E
1
, E
2
, E
3
) ,地址爆
控制输入( ADSP , ADSC , ADV ) ,写控制输入
( Bx的,BW , GW)是同步的,并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端( CK) 。输出使能( G)
和断电控制( ZZ )是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下,会产生后续的突发地址
在内部,并通过ADV控制。突发地址
冯: 1.12 7/2002
1/31
1999 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
初步
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
GS84018A 100引脚TQFP引脚
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B1
DQ
B2
V
SS
V
DDQ
DQ
B3
DQ
B4
FT
V
DD
NC
V
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GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
TQFP引脚说明
引脚位置
37, 36
35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81,44, 45, 46,
47, 48, 49, 50
80
52, 53, 56, 57, 58, 59, 62, 63
68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79
2, 3, 6, 7, 8, 9, 12, 13
18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29
51, 80, 1, 30
51, 80, 1, 30
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95, 96
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98, 92
97
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83
84, 85
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14
31
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4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
16, 38, 39, 42, 43, 66
符号
A
0
, A
1
A
2
–A
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A
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DQ
A1
-DQ
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-DQ
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-DQ
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-DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
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, B
B
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, B
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E
1
, E
3
E
2
G
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ADSP , ADSC
ZZ
FT
LBO
V
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V
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NC
TYPE
I
I
I
I / O
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
地址输入( X18版本)
数据输入和输出引脚。 ( X32 , X36版)
I / O
数据输入和输出引脚( X36版)
无连接( X32版)
I / O
数据输入和输出引脚( X18版)
-
I
I
I
-
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
-
无连接( X18版)
字节写,将所有启用的字节;低电平有效
字节写使能为DQ
A
, DQ
B
数据I /的;低电平有效
字节写使能为DQ
C
, DQ
D
数据I / O的;低电平有效
( X32 , X36版)
无连接( X18版)
时钟输入信号;高电平有效
全局写使能,将所有字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;低电平有效
地址选通(处理器,高速缓存控制器) ;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
无连接
冯: 1.12 7/2002
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1999 ,千兆半导体公司
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初步
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
TQFP , BGA
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或流水线
手术
单周期取消( SCD )的操作
3.3 V +10 % / - 5 %,核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错流水线模式
字节写( BW)和/或全局写( GW )的操作
常见的数据输入和数据输出
时钟控制,注册地址,数据和控制
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP或119焊球BGA封装
–180
5.5纳秒
3.0纳秒
185毫安
8纳秒
9.1纳秒
115毫安
–166
6.0纳秒
3.5纳秒
170毫安
8.5纳秒
10纳秒
105毫安
–150
6.6纳秒
3.8纳秒
155毫安
10纳秒
12纳秒
百毫安
–100
10纳秒
4.5纳秒
105毫安
12纳秒
15纳秒
80毫安
256K ×18 , 128K ×32 , 128K ×36
4MB同步突发静态存储器
180兆赫, 100兆赫
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序( LBO )的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚/焊盘(引脚14的TQFP用户和
凹凸5R在BGA ) 。抱着FT模式引脚/凹凸低
放置在RAM中通过流模式,导致输出数据
绕过数据输出寄存器。控股FT高的地方
在流水线模式的RAM ,激活上升沿触发
数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS84018 / 32 / 36A是一个SCD (单周期取消)
流水线同步SRAM 。 DCD (双循环取消)
版本也可以。 SCD的SRAM管线取消
命令一期比读取命令少。 SCD的RAM
开始取消选择后,立即关闭其输出
命令已被捕获在所述输入寄存器。
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
TCYCLE
t
KQ
I
DD
t
KQ
TCYCLE
I
DD
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
(BW)的输入与一个或多个单独的字节的写
信号( Bx的) 。此外,全局写( GW)是供
写的字节写入所有字节在同一时间,不管
控制输入。
功能说明
应用
该GS84018 / 32 / 36A是一种4718592位( 4,194,304位为
X32版本)的高性能同步SRAM与2-
爆位地址计数器。虽然一个类型的原本
对于二级缓存的应用程序支持开发高
高性能CPU ,该装置现在发现应用
同步SRAM的应用范围从DSP总店
联网芯片组的支持。该GS84018 / 32 / 36A是
在JEDEC标准的100引脚TQFP提供或119焊球
BGA封装。
睡眠模式
低功耗(休眠模式)通过断言实现
(高)的ZZ的信号,或通过停止时钟(CK) 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS84018 / 32 / 36A工作在3.3 V电源和
所有的输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另
输出功率(V
DDQ
)引脚用于去耦输出噪声
从内部电路。
控制
地址,数据I / O的芯片使(E
1
, E
2
, E
3
) ,地址爆
控制输入( ADSP , ADSC , ADV ) ,写控制输入
( Bx的,BW , GW)是同步的,并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端( CK) 。输出使能( G)
和断电控制( ZZ )是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下,会产生后续的突发地址
在内部,并通过ADV控制。突发地址
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12
A
13
A
14
A
15
A
16
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1999 ,千兆半导体公司
初步
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
GS84036A 100引脚TQFP引脚
DQ
C9
DQ
C8
DQ
C7
V
DDQ
V
SS
DQ
C6
DQ
C5
DQ
C4
DQ
C3
V
SS
V
DDQ
DQ
C2
DQ
C1
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
D1
DQ
D2
V
DDQ
V
SS
DQ
D3
DQ
D4
DQ
D5
DQ
D6
V
SS
V
DDQ
DQ
D7
DQ
D8
DQ
D9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
128K X 36
10
71
11
顶视图
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
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18
63
19
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20
61
21
60
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59
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58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
6
A
7
E
1
E
2
B
D
B
C
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
GW
BW
G
ADSC
ADSP
ADV
A
8
A
9
DQ
B9
DQ
B8
DQ
B7
V
DDQ
V
SS
DQ
B6
DQ
B5
DQ
B4
DQ
B3
V
SS
V
DDQ
DQ
B2
DQ
B1
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A1
DQ
A2
V
DDQ
V
SS
DQ
A3
DQ
A4
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A5
DQ
A6
V
SS
V
DDQ
DQ
A7
DQ
A8
DQ
A9
冯: 1.12 7/2002
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com
LBO
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
NC
V
SS
V
DD
NC
NC
A
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A
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A
16
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1999 ,千兆半导体公司
初步
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
TQFP引脚说明
引脚位置
37, 36
35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81,44, 45, 46,
47, 48, 49, 50
80
52, 53, 56, 57, 58, 59, 62, 63
68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79
2, 3, 6, 7, 8, 9, 12, 13
18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29
51, 80, 1, 30
51, 80, 1, 30
58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73, 74
8, 9, 12, 13, 18, 19, 22, 23, 24
51, 52, 53, 56, 57
75, 78, 79
1, 2, 3, 6, 7
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87
93, 94
95, 96
95, 96
89
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97
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14
31
15, 41, 65, 91
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4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
16, 38, 39, 42, 43, 66
符号
A
0
, A
1
A
2
–A
16
A
17
DQ
A1
-DQ
A8
DQ
B1
-DQ
B8
DQ
C1
-DQ
C8
DQ
D1
-DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
NC
DQ
A1
-DQ
A9
DQ
B1
-DQ
B9
NC
BW
B
A
, B
B
B
C
, B
D
NC
CK
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
ADSP , ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
TYPE
I
I
I
I / O
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
地址输入( X18版本)
数据输入和输出引脚。 ( X32 , X36版)
I / O
数据输入和输出引脚( X36版)
无连接( X32版)
I / O
数据输入和输出引脚( X18版)
-
I
I
I
-
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
-
无连接( X18版)
字节写,将所有启用的字节;低电平有效
字节写使能为DQ
A
, DQ
B
数据I /的;低电平有效
字节写使能为DQ
C
, DQ
D
数据I / O的;低电平有效
( X32 , X36版)
无连接( X18版)
时钟输入信号;高电平有效
全局写使能,将所有字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;低电平有效
地址选通(处理器,高速缓存控制器) ;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
无连接
冯: 1.12 7/2002
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1999 ,千兆半导体公司
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