初步
GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或管道
手术
单周期取消（ SCD ）的操作
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错管道模式
字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP封装
无铅100引脚TQFP封装
2M ×18 ， 1M ×32 ， 1M ×36
36MB同步突发静态存储器
250兆赫， 133兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下，会产生后续的突发地址
在内部，并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户（引脚14 ） 。抱着FT模式
引脚为低电平时， RAM的流量通过模式，导致
输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT
高处的RAM中的管道模式，激活rising-
边沿触发数据输出寄存器。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS832018 / 32 / 36T工作在2.5 V或3.3 V电源
供应量。所有的输入都是3.3 V和2.5 V兼容。另
输出功率（V
DDQ
）引脚用于去耦输出噪声
从内部电路和分别为3.3 V和2.5 V兼容。
功能说明
应用
该GS832018 / 32 / 36T是37748736位高性能
同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。
虽然类型的最初开发的2级缓存
支持高性能的CPU的应用，所述设备
现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序，
从DSP总店联网芯片组的支持。
控制
地址，数据I / O的芯片使能（ E1，E2， E3） ，地址脉冲串
控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入
（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）
和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆
参数简介
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
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6.5
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7.0
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295
7.5
7.5
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210
220 210 185毫安
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8.0
8.0
8.5
8.5
8.5
8.5
ns
ns
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
175 165 155毫安
200 190 175毫安
冯： 1.02 10/2004
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2003 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS832018 100引脚TQFP引脚
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
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SS
DQ
B
DQ
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DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
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10
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顶视图
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A
A
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NC
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B
B
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DD
V
SS
CK
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BW
G
ADSC
ADSP
ADV
A
A
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NC
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DDQ
V
SS
NC
DQP
A
DQ
A
DQ
A
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SS
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DQ
A
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A
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SS
NC
V
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ZZ
DQ
A
DQ
A
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DDQ
V
SS
DQ
A
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A
NC
NC
V
SS
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DDQ
NC
NC
NC
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LBO
A
A
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0
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A
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GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS832032 100引脚TQFP引脚
NC
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
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C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
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1M ×32
10
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顶视图
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A
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ADV
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GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS832036 100引脚TQFP引脚
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
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SS
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C
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C
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C
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V
SS
V
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A
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ADSC
ADSP
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LBO
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GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B1
DQ
C
DQ
D
NC
BW
B
A
, B
B
B
C
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D
CK
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
ADSP ， ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
I / O
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
数据输入和输出引脚
无连接
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
字节写，将所有启用的字节;低电平有效
字节写使能为DQ
A
， DQ
B
数据I / O的;低电平有效
字节写使能为DQ
C
， DQ
D
数据I / O的;低电平有效
时钟输入信号;高电平有效
全局写使能，将所有字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;低电平有效
地址选通（处理器，高速缓存控制器） ;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
冯： 1.02 10/2004
5/25
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100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或管道
手术
单周期取消（ SCD ）的操作
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错管道模式
字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP封装
无铅100引脚TQFP封装
2M ×18 ， 1M ×32 ， 1M ×36
36MB同步突发静态存储器
250兆赫， 133兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下，会产生后续的突发地址
在内部，并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户（引脚14 ） 。抱着FT模式
引脚为低电平时， RAM的流量通过模式，导致
输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT
高处的RAM中的管道模式，激活rising-
边沿触发数据输出寄存器。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS832018 / 32 / 36T工作在2.5 V或3.3 V电源
供应量。所有的输入都是3.3 V和2.5 V兼容。另
输出功率（V
DDQ
）引脚用于去耦输出噪声
从内部电路和分别为3.3 V和2.5 V兼容。
功能说明
应用
该GS832018 / 32 / 36T是37748736位高性能
同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。
虽然类型的最初开发的2级缓存
支持高性能的CPU的应用，所述设备
现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序，
从DSP总店联网芯片组的支持。
控制
地址，数据I / O的芯片使能（ E1，E2， E3） ，地址脉冲串
控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入
（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）
和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆
参数简介
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
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(x18)
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(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
2.5 2.7 3.0 3.5 3.8 4.0纳秒
4.0 4.4 5.0 6.0 6.6 7.5纳秒
285
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ns
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
175 165 155毫安
200 190 175毫安
冯： 1.02 10/2004
1/25
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GS832018 100引脚TQFP引脚
V
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2003 ， GSI技术
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初步
GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS832032 100引脚TQFP引脚
NC
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53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
B
D
B
C
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
GW
BW
G
ADSC
ADSP
ADV
A
A
NC
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
NC
冯： 1.02 10/2004
LBO
A
A
A
A
A
1
A
0
NC
A
V
SS
V
DD
A
A
A
A
A
A
A
A
A
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2003 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
初步
GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS832036 100引脚TQFP引脚
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
D3
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
DQP
D
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
1M ×32
10
71
顶视图
11
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
64
18
63
19
62
20
61
21
60
22
59
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58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
B
D
B
C
B
B
B
A
E
3
V
DD
V
SS
CK
GW
BW
G
ADSC
ADSP
ADV
A
A
DQP
B
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
DQP
A
冯： 1.02 10/2004
LBO
A
A
A
A
A
1
A
0
NC
A
V
SS
V
DD
A
A
A
A
A
A
A
A
A
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2003 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
初步
GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B1
DQ
C
DQ
D
NC
BW
B
A
, B
B
B
C
, B
D
CK
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
ADSP ， ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
I / O
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
数据输入和输出引脚
无连接
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
字节写，将所有启用的字节;低电平有效
字节写使能为DQ
A
， DQ
B
数据I / O的;低电平有效
字节写使能为DQ
C
， DQ
D
数据I / O的;低电平有效
时钟输入信号;高电平有效
全局写使能，将所有字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;低电平有效
地址选通（处理器，高速缓存控制器） ;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
冯： 1.02 10/2004
5/25
2003 ， GSI技术
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