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初步
GS8342Q08/09/18/36E-300/250/200/167
165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
同时读取和写入SigmaQuad 接口
JEDEC标准的引脚和封装
双双数据速率接口
采样数据的时间字节写控制
突发的2读取和写入
1.8 V + 100 / -100 mV的核心供电
1.5 V或1.8 V HSTL接口
流水线读操作
完全一致的读取和写入管道
ZQ引脚可编程输出驱动强度
IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
165焊球为15 mm ×17毫米, 1毫米凸块间距BGA封装
符合RoHS标准的165焊球BGA封装
与目前9MB和18MB和72MB未来引脚兼容
和144MB的设备
36MB SigmaQuad -II
突发的2 SRAM
167兆赫, 300兆赫
1.8 V V
DD
1.8 V和1.5 V的I / O
底部视图
165焊球为15 mm ×17 mm的BGA封
1毫米凸块间距, 11 ×15阵列的凹凸
时钟输入。 C和C也是独立的单端
时钟输入,不差分输入。如果C时钟绑
高, K时钟内部路由火输出
注册代替。
因为独立的I / O SigmaQuad - II B2的RAM总是转移
在两个包的数据, A0在内部设置为0表示第一个读或
写传输,并自动加1为下
传输。由于LSB是并列关内,地址
一个SigmaQuad -II B2 RAM场总是一个地址引脚
小于通告的索引深度(例如, 2M ×18具有
1024K寻址的索引) 。
SigmaQuad 系列概述
该GSQ8342Q08 / 09/ 18 / 36E是建立在符合
分开我的SigmaQuad - II SRAM引脚排列标准/ O
同步SRAM 。他们是37748736位( 36MB )
的SRAM 。该GSQ8342Q08 / 09/ 18 / 36E SigmaQuad的SRAM
是在一个家庭中的低功率的只是一个元件,低电压
HSTL I / O设计的SRAM在需要的速度来操作
实现经济高效的网络系统。
时序和解决方案
该GSQ8342Q08 / 09/ 18 / 36E SigmaQuad -II SRAM是
同步设备。他们采用两个输入寄存器时钟
输入,K和K K和K是独立的单端时钟
输入,不差分输入到一个差分时钟输入
缓冲区。该设备还允许用户操纵
输出寄存器时钟输入准独立的C和
参数简介
-300
TKHKH
TKHQV
3.3纳秒
0.45纳秒
-250
4.0纳秒
0.45纳秒
-200
5.0纳秒
0.45纳秒
-167
6.0纳秒
0.5纳秒
冯: 1.02 8/2005
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2003 , GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
初步
GS8342Q08/09/18/36E-300/250/200/167
1M ×36 SigmaQuad - II SRAM的顶视图
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C
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J
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CQ
Q27
D27
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DOFF
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Q32
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D33
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TDO
2
MCL / SA
(256Mb)
Q18
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D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
3
NC / SA
(72Mb)
D18
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Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
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Q23
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D25
Q25
Q26
SA
4
W
SA
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SS
V
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V
DDQ
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DDQ
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DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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SS
V
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SA
SA
5
BW2
BW3
SA
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SS
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SS
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DD
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DD
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DD
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SA
SA
SA
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K
K
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C
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BW1
BW0
SA
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SS
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SS
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SA
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Q10
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SA
10
MCL / SA
(144Mb)
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
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REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
11 ×15焊球BGA - 13 ×15毫米
2
身体1毫米凸块间距
注意事项:
1. BW0控制写入D0 : D8 ; BW1控件写入D9 : D17 ; BW2控制写入D18 : D26 ; BW3控制写入D27 : D35
2. MCL =必须接低
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2003 , GSI技术
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2M ×18 SigmaQuad - II SRAM的顶视图
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MCL / SA
(144Mb)
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REF
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Q15
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3
SA
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Q10
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Q14
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Q16
Q17
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SA
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DDQ
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DDQ
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BW1
NC
SA
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SS
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DD
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K
K
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C
C
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NC
BW0
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SA
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SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
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DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
MCL / SA
(72Mb)
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
11 ×15焊球BGA - 15× 17毫米
2
身体1毫米凸块间距
注意事项:
1. BW0控制写入D0 : D8 。 BW1控制写入D9 : D17 。
2. MCL =必须接低
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2003 , GSI技术
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4M ×8 SigmaQuad - II SRAM的顶视图
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MCL / SA
(72Mb)
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REF
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NW1
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Q1
NC
NC
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TMS
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CQ
Q3
D3
NC
Q2
NC
NC
ZQ
D1
NC
Q0
D0
NC
NC
TDI
11 ×15焊球BGA - 13 ×15毫米
2
身体1毫米凸块间距
注意事项:
1. NW0控制写入D0 : D3 。 NW1控制写入D4 : D7 。
2. MCL =必须接低
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2003 , GSI技术
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GS8342Q08/09/18/36E-300/250/200/167
4M ×9 SigmaQuad - II SRAM - 顶视图
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C
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NC
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MCL / SA
(72Mb)
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SA
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NC
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NC
NC
NC
NC
SA
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SA
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NC
NC
D3
NC
NC
V
REF
Q2
NC
NC
NC
NC
D0
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CQ
Q4
D4
NC
Q3
NC
NC
ZQ
D2
NC
Q1
D1
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Q0
TDI
11 ×15焊球BGA - 13 ×15毫米
2
身体1毫米凸块间距
注: MCL =必须接低
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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