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GS8321E18/32/36E-250/225/200/166/150/133
165焊球FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或管道
手术
双循环取消( DCD )的操作
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错管道模式
字节写( BW)和/或全局写( GW )的操作
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
JEDEC标准的165焊球FP- BGA封装
无铅165焊球BGA封装
2M ×18 , 1M ×32 , 1M ×36
36MB同步突发静态存储器
250兆赫, 133兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
线性突发顺序( LBO )的输入。连拍功能不需要
被使用。新的地址可以在每个周期装载不
退化的芯片性能。
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户(引脚14 ) 。抱着FT模式
引脚为低电平时, RAM的流量通过模式,导致
输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT
高处的RAM中的管道模式,激活rising-
边沿触发数据输出寄存器。
DCD流水线读
该GS8321E18 / 32 / 36E是一种DCD (双循环取消)
流水线同步SRAM 。 SCD (单周期取消)
版本也可以。 DCD的SRAM管道关闭
命令,以相同程度的读命令。 DCD的RAM
持取消选定命令为一个完整周期,然后开始
刚经过的第二个上升沿关闭它们的输出
时钟。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
(BW)的输入与一个或多个单独的字节的写
信号( Bx的) 。此外,全局写( GW)是供
写的字节写入所有字节在同一时间,不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗(休眠模式)通过断言实现
(高)的ZZ的信号,或通过停止时钟(CK) 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS8321E18 / 32 / 36E工作在2.5 V或3.3 V电源
供应量。所有的输入都是3.3 V和2.5 V兼容。另
输出功率(V
DDQ
)引脚用于去耦输出噪声
从内部电路和分别为3.3 V和2.5 V兼容。
功能说明
应用
该GS8321E18 / 32 / 36E是37748736位高性能
同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。
虽然类型的最初开发的2级缓存
支持高性能的CPU的应用,所述设备
现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序,
从DSP总店联网芯片组的支持。
控制
地址,数据的I / O ,芯片使能( E1 ) ,地址突发控制
输入( ADSP , ADSC , ADV )和写控制输入( BX,
体重, GW)是同步的,并通过将正被控制
边沿触发的时钟输入端( CK) 。输出使能( G)和电源
降控制( ZZ )是异步输入。突发周期可以
可与任何ADSP或ADSC输入启动。在连拍模式下,
在内部产生,并随后爆地址
由ADV控制。猝发地址计数器可以是
构造来计数的线性或交织顺序与
参数简介
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
2.5 2.7 3.0 3.5 3.8 4.0纳秒
4.0 4.4 5.0 6.0 6.6 7.5纳秒
285
330
5.5
5.5
205
235
1/34
250
290
6.0
6.0
195
225
215
255
6.5
6.5
185
210
200
235
7.0
7.0
175
200
190
220
7.5
7.5
165
190
165
195
8.5
8.5
155
175
mA
mA
ns
ns
mA
mA
2003 , GSI技术
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
冯: 1.03 4/2005
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS8321E18/32/36E-250/225/200/166/150/133
165焊球BGA - X18黎民I / O -顶视图( E组)
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NC
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DQB
DQB
DQB
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DQB
DQB
DQB
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NC
NC
NC
NC
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E1
E2
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V
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V
DDQ
V
DDQ
V
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NC
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V
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V
DDQ
V
DDQ
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A
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4
BB
NC
V
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V
DD
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V
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A
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5
NC
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V
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V
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NC
TDI
TMS
6
E3
CK
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SS
V
SS
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A
A1
A0
7
BW
GW
V
SS
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SS
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V
SS
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V
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V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDO
TCK
8
ADSC
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V
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V
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A
A
9
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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NC
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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10
A
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NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
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DQPa
DQA
DQA
DQA
DQA
ZZ
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11 ×15焊球BGA - 15毫米×17 mm主体, 1.0毫米凸块间距
冯: 1.03 4/2005
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2003 , GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS8321E18/32/36E-250/225/200/166/150/133
165焊球BGA - X32通用I / O -顶视图( E组)
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NC
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DQC
DQC
DQC
DQC
FT
DQD
DQD
DQD
DQD
NC
NC
LBO
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DQC
DQC
DQC
DQC
MCL
DQD
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DQD
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DDQ
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NC
TDI
TMS
6
E3
CK
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SS
V
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A0
7
BW
GW
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NC
TDO
TCK
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ADSC
G
V
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V
DD
V
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V
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V
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V
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A
A
9
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ADSP
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DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
NC
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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NC
DQB
DQB
DQB
DQB
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
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NC
NC
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DQB
DQB
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11 ×15焊球BGA - 15毫米×17 mm主体, 1.0毫米凸块间距
冯: 1.03 4/2005
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2003 , GSI技术
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GS8321E18/32/36E-250/225/200/166/150/133
165焊球BGA - X36通用I / O -顶视图( E组)
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DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
FT
DQD
DQD
DQD
DQD
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DQC
DQC
DQC
DQC
MCL
DQD
DQD
DQD
DQD
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E2
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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BC
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BW
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V
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V
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V
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V
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TCK
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V
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V
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V
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V
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A
A
9
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V
DDQ
V
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DDQ
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NC
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DQB
DQB
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DQA
DQA
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DQA
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11 ×15焊球BGA - 15毫米×17 mm主体, 1.0毫米凸块间距
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2003 , GSI技术
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GS8321E18/32/36E-250/225/200/166/150/133
GS8321E18 / 32 / 36E 165焊球BGA引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
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E
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E
2
G
ADV
ADSC , ADSP
ZZ
FT
LBO
TMS
TDI
TDO
TCK
MCL
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I
I
I
I
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
数据输入和输出引脚
字节写使能为DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
的I / O ;低电平有效
无连接
时钟输入信号;高电平有效
字节写,将所有启用的字节;低电平有效
全局写使能,将所有字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;积极l0w
地址选通(处理器,高速缓存控制器) ;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
必须连接低
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
冯: 1.03 4/2005
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2003 , GSI技术
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