巨磁阻位置传感器
1.0版
数据表
GMR S 4
这个角度传感器是基于全新的巨磁阻（ GMR）的
技术。它是优秀的巨大公差它提供给用户的
装配。
注射闪光
0.1最大
3.2
3.0
特点
铜GMR传感器
引线框架
敏感的方向上
不
于磁的强度
场
=常数
T
C
基本性
R
和磁阻
R
应用
旋转感应大空气
根据下面的素描差距
角度编码器
非接触式电位器
引脚配置
1, 2
3, 4
电源电压
码头
没有连接
12.3
2.3
11.7
2.1
芯片中心0.55
±0.15
3 x 1.27 = 3.81
间距
4
3
2
1
4.7
4.3
0.15
0.3 A
0.7
0.6
闪存最大0.1
约。重量0.05克
1 ， 2的GMR访问
3，4不连接
GPX06981
尺寸（mm）
内部磁化中的最长边的方向
住房。
TYPE
x
GMR S 4
x
新型
记号
s
订购代码
Q62705-K5002
该GMR S 4是基于溅射多层金属技术的角度传感器。该
该磁传感器的突出特点是，它是
到敏感
该磁场的方向
而不是其强度，只要该字段是在一个范围内
间5 ... 15千安/米。
这意味着，该传感器的输出信号是独立的
传感器的位置相对于所述磁铁的外侧，沿轴向或旋转方向上的
在几毫米的范围内。
最佳的结果是通过使用磁性实现
目标状永磁铁或磁极车轮。
没有必要为一个
偏置磁铁！
由于两者，基本和字段依赖性部的线性变化
电阻与温度，简单，高效的电子补偿
T
C
(
R
,
R
）是
可能。
数据表
1
1999-04-01
路线内部磁化
1.5
±0.15
芯片
0.28
±0.1
0.5
0.35
0.55
0.35
0.3
0.2
A
GMR S 4
特性（
T
A
= 25
°C)
参数
额定电源电流
基本性
磁阻效应
H
腐烂
= 5 ... 15千安/米
温度COEF网络cient
基本性
温度COEF网络cient
磁阻
温度COEF网络cient
磁阻效应
在迟滞
H
腐烂
= 10千安/米
应用提示
该GMR位置传感器的应用模式是优选的桥或半桥
电路。在任何情况下这种类型的电路用于补偿
T
C
的电阻值的
R
0
。以补偿
T
C
GMR效应
R
/
R
0
如果有必要，则留给
应用电路，并且可以例如用一个网卡电路来完成。当操作
在一个完整的360°的转弯，总信号
≈
为20 mV / V将在25实现
°C
与一位
半桥。当一个全桥电路用于输出信号加倍。如果是
直线位置检测，该电路将保持不变。
符号
价值
4
> 700
≈
4
+ 0.09 … + 0.12
– 0.12 … – 0.09
– 0.27 … – 0.23
<2
单位
mA
%
%/K
%/K
%/K
度
I
1N
R
0
R
/
R
0
TC
R0
TC
R
TC
R/R0
HYS
数据表
3
1999-04-01
巨磁阻位置传感器
1.0版
数据表
GMR S 4
这个角度传感器是基于全新的巨磁阻（ GMR）的
技术。它是优秀的巨大公差它提供给用户的
装配。
注射闪光
0.1最大
3.2
3.0
特点
铜GMR传感器
引线框架
敏感的方向上
不
于磁的强度
场
=常数
T
C
基本性
R
和磁阻
R
应用
旋转感应大空气
根据下面的素描差距
角度编码器
非接触式电位器
引脚配置
1, 2
3, 4
电源电压
码头
没有连接
12.3
2.3
11.7
2.1
芯片中心0.55
±0.15
3 x 1.27 = 3.81
间距
4
3
2
1
4.7
4.3
0.15
0.3 A
0.7
0.6
闪存最大0.1
约。重量0.05克
1 ， 2的GMR访问
3，4不连接
GPX06981
尺寸（mm）
内部磁化中的最长边的方向
住房。
TYPE
x
GMR S 4
x
新型
记号
s
订购代码
Q62705-K5002
该GMR S 4是基于溅射多层金属技术的角度传感器。该
该磁传感器的突出特点是，它是
到敏感
该磁场的方向
而不是其强度，只要该字段是在一个范围内
间5 ... 15千安/米。
这意味着，该传感器的输出信号是独立的
传感器的位置相对于所述磁铁的外侧，沿轴向或旋转方向上的
在几毫米的范围内。
最佳的结果是通过使用磁性实现
目标状永磁铁或磁极车轮。
没有必要为一个
偏置磁铁！
由于两者，基本和字段依赖性部的线性变化
电阻与温度，简单，高效的电子补偿
T
C
(
R
,
R
）是
可能。
数据表
1
1999-04-01
路线内部磁化
1.5
±0.15
芯片
0.28
±0.1
0.5
0.35
0.55
0.35
0.3
0.2
A
GMR S 4
特性（
T
A
= 25
°C)
参数
额定电源电流
基本性
磁阻效应
H
腐烂
= 5 ... 15千安/米
温度COEF网络cient
基本性
温度COEF网络cient
磁阻
温度COEF网络cient
磁阻效应
在迟滞
H
腐烂
= 10千安/米
应用提示
该GMR位置传感器的应用模式是优选的桥或半桥
电路。在任何情况下这种类型的电路用于补偿
T
C
的电阻值的
R
0
。以补偿
T
C
GMR效应
R
/
R
0
如果有必要，则留给
应用电路，并且可以例如用一个网卡电路来完成。当操作
在一个完整的360°的转弯，总信号
≈
为20 mV / V将在25实现
°C
与一位
半桥。当一个全桥电路用于输出信号加倍。如果是
直线位置检测，该电路将保持不变。
符号
价值
4
> 700
≈
4
+ 0.09 … + 0.12
– 0.12 … – 0.09
– 0.27 … – 0.23
<2
单位
mA
%
%/K
%/K
%/K
度
I
1N
R
0
R
/
R
0
TC
R0
TC
R
TC
R/R0
HYS
数据表
3
1999-04-01
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