GS8162Z18(B/D)/GS8162Z36(B/D)/GS8162Z72(C)
119 ， 165 ， 209 & BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ， NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
LBO引脚的直线或交错突发模式
用2M ， 4M ， 8M和设备的引脚兼容
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准119- ， 165-或209焊球BGA封装
18MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
250兆赫， 133兆赫2.5
V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
sp
ec
if
is
ICA
TI
该GS8162Z18 （B / D） / 36 （B / D） / 72 （C ）是18Mbit
同步静态SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，像ZBT ，
NtRAM ， NOBL或其他流水线读/双晚写或
流经读/单后写的SRAM ，允许利用
所有可用的总线带宽，通过消除需要插入
取消选择周期时，该设备是从读切换到写
周期。
参数简介
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
2.5
4.0
280
330
不适用
275
320
不适用
5.5
5.5
175
200
不适用
175
200
不适用
2.7
4.4
255
300
不适用
250
295
不适用
6.0
6.0
165
190
不适用
165
190
不适用
3.0
5.0
230
270
350
230
265
335
6.5
6.5
160
180
225
160
180
225
3.4
6.0
200
230
300
195
225
290
7.0
7.0
150
170
115
150
170
115
3.8
6.7
185
215
270
180
210
260
7.5
7.5
145
165
210
145
165
210
4.0
7.5
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190
245
165
185
235
8.5
8.5
135
150
185
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150
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CURR （ X36 ）
CURR （ X72 ）
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CURR （ X18 ）
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CURR （ X72 ）
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CURR （ X36 ）
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2.5 V
溢流
通过
2-1-1-1
3.3 V
Th
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nd
x3
6
2.5 V
冯： 2.21 11/2004
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ot
功能说明
该GS8162Z18 （B / D） / 36 （B / D） / 72 （C ）可以通过配置
用户可以工作在管道或流过的模式。
操作为流水线同步装置中，除了
上升沿触发寄存器捕获输入信号，
器件集成了一个上升沿触发输出寄存器。为
读周期，流水线SRAM的输出数据暂时存储
由接入周期中的边沿触发的输出寄存器
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8162Z18 （B / D） / 36 （B / D） / 72 （ C）与实现
GSI的高性能CMOS技术，是可
一个JEDEC标准的119焊球（ X18 & X36 ） ， 165焊球（ X18 &
X36 ） ，或209焊球（ X72 ） BGA封装。
Re
co
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m
en
d
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
ed
fo
rN
ew
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
De
SIG
n
1999 ， GSI技术
.
GS8162Z18(B/D)/GS8162Z36(B/D)/GS8162Z72(C)
GS8162Z72垫出209焊球BGA -顶视图（ C组）
1
A
B
C
D
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F
G
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TMS
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A
TDI
11× 19焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1毫米凸块间距
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规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
De
SIG
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DQB
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DQF
DQF
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DQA
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DQE
DQE
DQE
DQE
1999 ， GSI技术
.
GS8162Z18(B/D)/GS8162Z36(B/D)/GS8162Z72(C)
GS8162Z72 BGA引脚说明
符号
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
DQ
E
DQ
F
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G
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I
I
I
TYPE
I
I
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
I
I
I
I
I
I
I
I
写使能。将所有启用的字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
ICA
TI
n
sp
ec
if
奇偶校验位使能;低电平有效（高= X16 / 32模式，低= X18 / 36模式）
突发地址计数器提前实现;高电平有效
is
pa
I
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s
I
O
I
I
I
I
in
FLXDrive输出阻抗控制
（低=低阻抗[高驱动器] ，高=高阻抗[低驱动器] ）
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
V
DDQ
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Th
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输出使能;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
必须连接高
必须连接低
Re
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时钟输入信号;高电平有效
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无连接
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字节写使能为DQ
A
， DQ
B
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C
， DQ
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DQ
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,
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F
， DQ
G
， DQ
H
的I / O ;低电平有效
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1999 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
ew
I / O
数据输入和输出引脚
De
SIG
n
.
GS8162Z18(B/D)/GS8162Z36(B/D)/GS8162Z72(C)
165焊球BGA - X18黎民I / O -顶视图（ D组）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
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6
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11 ×15焊球BGA - 13毫米×15毫米机身， 1.0毫米凸块间距
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1999 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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C
D
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G
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J
K
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GS8162Z18(B/D)/GS8162Z36(B/D)/GS8162Z72(C)
165焊球BGA - X36通用I / O -顶视图（ D组）
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11 ×15焊球BGA - 13毫米×15毫米机身， 1.0毫米凸块间距
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规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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