GS78132AB
BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 8 ， 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行： 260/210/180毫安最低
周期
单3.3 V± 0.3 V电源供电
所有输入和输出为TTL兼容
字节控制
全静态工作
工业温度选项： -40°至85°C
14毫米×22毫米， 119焊球，1.27 mm间距球栅阵列
包
符合RoHS标准的封装
256K ×32
8MB异步SRAM
符号
A
0
到A
17
CE
DQ
A1
到DQ
A8
DQ
B1
到DQ
B8
DQ
C1
到DQ
C8
DQ
D1
到DQ
D8
B
A
B
B
B
C
B
D
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
8 ，10，12纳秒
3.3 V V
DD
引脚说明
描述
地址输入
芯片使能输入
字节的数据输入/输出
字节B数据输入/输出
字节C数据输入/输出
字节D数据输入/输出
一个字节一个字节使能输入
字节B字节使能输入
字节c与字节使能输入
字节字节使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
描述
该GS78132A是有组织的高速CMOS静态RAM
作为262,144字由32位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。该GS78132A工作
在3.3 V单电源供电，并且所有的输入和输出
TTL兼容。该GS78132A处于可用
14毫米X 22毫米BGA封装。
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
17
CE
WE
控制
OE
Bx
____
COLUMN
解码器
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
32
冯： 1.04 5/2006
1/12
2003 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS78132AB
256K ×32异步SRAM的119凸点，有14毫米× 22毫米BGA-顶视图（ B包）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC
B
C
DQ
C6
DQ
C5
DQ
C4
DQ
C3
DQ
C2
DQ
C1
V
DD
DQ
D1
DQ
D2
DQ
D3
DQ
D4
DQ
D5
DQ
D6
B
D
NC
2
A
15
A
11
NC
V
DD
DQ
C8
V
DD
DQ
C7
V
DD
V
SS
V
DD
DQ
D7
V
DD
DQ
D8
V
DD
NC
A
7
A
3
3
A
14
A
10
V
DD
,
NC
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
A
6
A
2
4
A
16
CE
A
17
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
WE
OE
5
A
13
A
9
V
SS
,
NC
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
A
5
A
1
6
A
12
A
8
NC
V
DD
DQ
B8
V
DD
DQ
B7
V
DD
V
SS
V
DD
DQ
A7
V
DD
DQ
A8
V
DD
NC
A
4
A
0
7
NC
B
B
DQ
B6
DQ
B5
DQ
B4
DQ
B3
DQ
B2
DQ
B1
V
DD
DQ
A1
DQ
A2
DQ
A3
DQ
A4
DQ
A5
DQ
A6
B
A
NC
注意：
颠簸3C和5C实际上是数控的，但应该是有线3C = V
DD
和5C = V
ss
以确保兼容性与将来的版本。
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GS78132AB
真值表
CE OE WE B
A
B
B
B
C
B
D
H
X
X
X
L
H
L
L
H
L
L
L
L
H
L
X
L
L
L
L
L
L
H
X
H
X
X
H
X
L
L
H
L
L
L
L
H
L
L
X
H
X
L
L
L
H
L
L
L
L
H
L
X
H
X
L
L
L
L
H
L
L
L
L
H
X
H
DQ
A1–A8
未选择
读
高Z
读
读
读
写
高Z
写
写
写
高Z
高Z
DQ
B1–B8
未选择
读
读
高Z
读
读
写
写
高Z
写
写
高Z
高Z
DQ
C1–C8
未选择
读
读
读
高Z
读
写
写
写
高Z
写
高Z
高Z
DQ
D1–D8
未选择
读
读
读
读
高Z
写
写
写
写
高
高Z
高Z
供应
当前
ISB1 ， ISB2
I
DD
×： “H”或“L”的
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
1.5
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
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GS78132AB
推荐工作条件
参数
电源电压为-8/10/12
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
Ai
民
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意事项：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
10
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试
DC I / O引脚特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z，
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 4毫安
民
-2微安
-1微安
2.4
最大
2微安
1微安
0.4 V
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GS78132AB
电源电流
参数
符号
测试条件
E
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
E
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
E
≥
V
DD
- 0.2V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2V或
≤
0.2V
0至70℃
8纳秒
10纳秒
12纳秒
8纳秒
-40到85°C
10纳秒
12纳秒
操作
供应
当前
I
DD
260毫安
210毫安
180毫安
280毫安
230毫安
200毫安
待机
当前
I
SB1
60毫安
50毫安
50毫安
80毫安
70毫安
70毫安
待机
当前
I
SB2
20毫安
40毫安
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意事项：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
.
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