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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第125页 > GP1S33
GP1S33
GP1S33
s
特点
1.超小型封装
2.印刷电路板安装型
3.高检测精度（狭缝宽度： 0.3毫米）
4.应用在回流焊接
预热160℃ 120秒内
回流温度：200℃在60秒内
（峰值： 240℃ ）
超小型，回流焊
型光斩波器
s
外形尺寸
（单位：毫米）
内部连接图
4
3
1
1阳极
2个集热器
5.0
1.5 2.0
中心
光路
2
3发射器
4阴极
(C0.8)
4.2
(0.3)
狭缝宽度
s
应用
1.软盘驱动器
2.相机
3.5
(1.0)
+
4
-
0.15
-
0.2
0.1
(C0.3)
3.8
1.0
±
0.5
4
-
0.5
门休息
g2.5
1
2
*
公差
:±
0.2mm
*
伯尔的尺寸
:
0.15MAX.
*
门休息
:
0.3MAX.
*
( )
:
参考尺寸
*
按指示的尺寸
g
参考
那些从引线底座测定。
4
3
s
绝对最大额定值
参数
正向电流
反向电压
功耗
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
集电极耗散功率
总功耗
工作温度
储存温度
*1
焊接温度
符号
I
F
V
R
P
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
P
合计
T
OPR
T
英镑
T
SOL
（大= 25℃）
等级
50
6
75
35
6
20
75
100
- 25至+ 85
- 40至+ 100
260
单位
mA
V
mW
V
V
mA
mW
mW
C
C
C
输入
5.2
焊接区
0.5毫米以上
产量
* 1 3秒
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
GP1S33
s
电光甜心
输入
产量
转让
字符
开创性意义
参数
正向电压
反向电流
集电极暗电流
集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
上升时间
响应时间
下降时间
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
I
C
V
CE （SAT）
t
r
t
f
条件
I
F
= 20mA下
V
R
= 3V
V
CE
= 20V
V
CE
= 5V ，我
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安，我
C
= 40
A
V
CE
= 5V ，我
C
= 100
A
R
L
= 1 000
分钟。
-
-
-
100
-
-
-
典型值。
1.2
-
-
-
-
50
50
（大= 25℃）
马克斯。
1.4
10
100
600
0.4
150
150
单位
V
A
nA
A
V
s
s
图。 1正向电流与环境
温度
60
图。 2功耗对比
环境温度
120
P
合计
50
正向电流I
F
（MA ）
功耗为P（mW ）
100
40
80
P, P
c
30
60
20
40
10
0
- 25
20
0
- 25
0
25
50
75 85
100
0
25
50
75 85
100
环境温度T
a
( C )
环境温度T
a
( C )
图。 3正向电流与正向电压
500
200
正向电流I
F
（MA ）
100
50
20
10
5
2
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
正向电压V
F
( V )
3
T
a
= 75C
50C
25C
0C
- 25C
图。 4集电极电流与正向电流
1.0
V
CE
= 5V
T
a
= 25C
0.8
集电极电流I
C
（MA ）
0.6
0.4
0.2
0
0
4
8
12
16
正向电流I
F
（MA ）
20
GP1S33
图。 5集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
T
a
= 25C
3.0
0.20
（MA ）
2.4
集电极电流I
C
（MA ）
I
F
= 50毫安
40mA
1.8
30mA
1.2
20mA
10mA
5mA
0
0
5
集电极 - 发射极电压V
CE
( V)
10
0
- 25
0
25
50
75
环境温度T
a
( C )
100
图。 6集电极电流 -
环境温度
0.25
I
F
= 5毫安
V
CE
= 5V
C
集电极电流I
0.15
0.10
0.6
0.05
图。 7集电极 - 发射极饱和电压与
环境温度
0.14
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （SAT）
( V)
I
F
= 10毫安
0.12
I
C
= 40
A
图。 8集电极暗电流与
环境温度
10
- 6
5
V
CE
= 20V
集电极暗电流I
首席执行官
( A)
2
10
-7
5
2
0.10
10
- 8
5
2
0.08
10
-9
0.06
5
2
0.04
- 25
10
0
25
50
75
环境温度T
a
( C )
100
- 10
0
25
50
75
环境温度T
a
( C )
100
图。 9响应时间与负载电阻
500
200
100
响应时间（
s )
50
20
10
5
2
1
t
d
t
f
t
r
V
CE
= 5V
I
C
= 100
A
T
a
= 25C
输入
测试电路的响应时间
V
CC
R
D
R
L
产量
输入
产量
10%
90%
t
d
t
r
t
s
t
f
t
s
0.5
0.3
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100
负载阻抗R
L
( k
)
GP1S33
图10相对集电极电流与
盾的距离（ 1 ）
I
F
= 5毫安
V
CE
= 5V
T
a
= 25C
L
80
盾
-
0
40
（检测中心）
+
探测器
相对于集电极电流（％）
图11相对集电极电流与
盾构距离（ 2 ）
I
F
= 5毫安
V
CE
= 5V
T
a
= 25C
（检测中心）
盾
-
60
L
0
+
40
探测器
100
相对于集电极电流（％）
100
80
60
20
0
- 2
- 1
0
1
2
屏蔽距离为L（毫米）
20
0
- 2
- 1
0
1
2
屏蔽距离为L（毫米）
q
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