GB50NA120UX
威世半导体
"High侧Chopper" IGBT SOT- 227
（超高速IGBT ） ， 50 A
特点
不扩散核武器条约第五代IGBT技术
广场RBSOA
HEXFRED
钳位二极管
正V
CE （ON）的
温度COEF网络cient
完全隔离包装
SOT-227
速度8 kHz至60 kHz的
非常低的内部电感（ 5 NH典型值）
行业标准大纲
UL认证文件E78996
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
V
CES
I
C
DC
V
CE （ON）的
在典型的50 A ，25°C
1200 V
50 A在92℃
3.22 V
好处
专为功率提高工作效率
转换： UPS ， SMPS ，焊接，感应加热
易于组装和并行
直接安装在散热器
插入式兼容其他SOT- 227封装
低EMI，需要较少的冷落
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
门到发射极电压
功耗， IGBT
符号
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
I
F
V
GE
P
D
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
任何终端的情况下， T = 1分
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
测试条件
马克斯。
1200
84
57
150
A
150
76
52
± 20
431
242
W
278
156
2500
V
V
单位
V
功耗，二极管
RMS的隔离电压
P
D
V
ISOL
文档编号： 93101
修订： 22 10年7月
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1
GB50NA120UX
威世半导体
"High侧Chopper" IGBT SOT- 227
（超高速IGBT ） ， 50 A
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿
电压
符号
V
BR （CES）上
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 1毫安
V
GE
= 15 V，I
C
= 25 A
集电极到发射极电压
V
CE （ON）的
V
GE
= 15 V，I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 25 A，T
J
= 125 °C
V
GE
= 15 V，I
C
= 50 A，T
J
= 125 °C
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
阈值电压
集电极到发射极漏电流
二极管的反向击穿电压
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
I
CES
V
BR
V
CE
= V
GE
, I
C
= 500 μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1 MA（ 25 ° C至125°C ）
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V ，T
J
= 125 °C
I
R
= 1毫安
I
C
= 25 A，V
GE
= 0 V
二极管的正向压降
V
FM
I
C
= 50 A，V
GE
= 0 V
I
C
= 25 A，V
GE
= 0 V ，T
J
= 125 °C
I
C
= 50 A，V
GE
= 0 V ，T
J
= 125 °C
二极管的反向漏电流
门到发射极漏电流
I
RM
I
GES
V
R
= V
R
评级
T
J
= 125°C ，V
R
= V
R
评级
V
GE
= ± 20 V
分钟。
1200
-
-
-
-
4
-
-
-
1200
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.46
3.22
2.84
3.78
5
- 10
6
0.7
-
1.99
2.53
1.96
2.66
4
0.6
-
马克斯。
-
-
2.80
3.60
3.0
4
-
50
2.0
-
2.42
3.00
2.30
3.08
50
3
± 200
μA
mA
nA
V
毫伏/°C的
μA
mA
V
V
单位
开关特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
门到集电极电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
反向偏置安全工作区
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向电流
二极管恢复充电
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2
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
RBSOA
t
rr
I
rr
Q
rr
t
rr
I
rr
Q
rr
I
F
= 50 A ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，
V
R
= 200 V，T
J
= 125 °C
I
F
= 50 A ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，V
R
= 200 V
T
J
= 150 C ，我
C
= 150 A，R
g
= 22
V
GE
= 15 V至0 V ，V
CC
= 900 V,
V
P
= 1200 V
-
-
-
-
-
-
I
C
= 50 A，V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5
L = 500 μH ，T
J
= 125 °C
I
C
= 50 A，V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5
L = 500 μH ，T
J
= 25 °C
能量损失
包括尾巴和
二极管恢复
（参照图18）
I
C
= 50 A，V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
400
43
187
2.72
1.11
3.83
3.94
2.31
6.25
191
53
223
143
Fullsquare
129
11
700
208
17
1768
161
14
1046
257
21
2698
ns
A
nC
ns
A
nC
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
mJ
nC
单位
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热和机械规格
参数
最大结点和
存储温度范围
IGBT
热阻，结到外壳
二极管
热电阻，案件每个模块下沉
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
重量
R
thJC
R
乡镇卫生院
符号
T
J
, T
英镑
分钟。
- 40
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.05
-
30
马克斯。
150
0.29
0.45
-
1.3
-
Nm
g
° C / W
单位
°C
允许外壳温度（ ℃）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
200
175
150
125
T
J
= 25 °C
I
C
(A)
100
75
50
25
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
J
= 125 °C
I
C
- 连续集电极电流（ A）
图。 1 - 最大DC集电极电流与
外壳温度
1000
V
CE
(V)
图。 3 - 典型的IGBT集电极电流特性
10
100
1
T
J
= 125 °C
10
I
CES
（MA ）
0.1
I
C
(A)
1
0.01
0.1
0.001
T
J
= 25 °C
0.01
1
10
100
1000
10 000
0.0001
100
300
500
700
900
1100
V
CE
(V)
图。 2 - IGBT反向偏置SOA
T
J
= 150 C ，V
GE
= 15 V
V
CES
(V)
图。 4 - 典型的IGBT零门极电压集电极电流
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（超高速IGBT ） ， 50 A
5.5
T
J
= 25 °C
5.0
150
125
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
200
175
V
Geth的
(V)
4.5
I
F
(A)
T
J
= 125 °C
100
75
50
25
4.0
3.5
3.0
0.0002
0
0.0004
0.0006
0.0008
0.001
0
1
2
3
4
5
6
I
C
（MA ）
图。 5 - 典型的IGBT阈值电压
V
FM
(V)
图。 8 - 典型的二极管正向特性
6
4
5
100 A
3
4
50 A
能量（mJ ）
E
on
V
CE
(V)
2
E
关闭
1
3
25 A
2
10
30
50
70
90
110
130
150
0
10
20
30
40
50
T
J
(°C)
图。 6 - 典型的IGBT集电极到发射极电压 -
结温，V
GE
= 15 V
160
140
1000
I
C
(A)
图。 9 - 典型的IGBT能量损失与我
C
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CC
= 600 V,
R
g
= 5
,
V
GE
= 15 V
允许外壳温度（ ℃）
切换时间（纳秒）
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
t
D（关闭）
t
D（上）
100
t
f
t
r
10
0
10
20
30
40
50
60
I
F
- 连续正向电流（ A）
图。 7 - 最大直流正向电流与
外壳温度
I
C
(A)
图。 10 - 典型的IGBT的开关时间与我
C
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CC
= 600 V,
R
g
= 5
,
V
GE
= 15 V
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（超高速IGBT ） ， 50 A
12
10
E
on
210
190
8
250
230
能量（mJ ）
t
rr
（纳秒）
170
150
130
110
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
E
关闭
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
90
70
100
1000
R
g
(Ω)
图。 11 - 典型的IGBT能量损失与
g
T
J
= 125 ° C，I
C
= 50 A，L = 500 μH ，
V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
1000
40
35
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 13 - 典型吨
rr
与二极管的dI
F
/ DT
V
R
= 200 V，I
F
= 50 A
切换时间（纳秒）
t
D（关闭）
t
D（上）
100
30
25
T
J
= 125 °C
I
rr
(A)
t
f
20
15
T
J
= 25 °C
t
r
10
5
10
0
10
20
30
40
50
0
100
1000
R
g
(Ω)
图。 12 - 典型的IGBT的开关时间与
g
T
J
= 125°C ， L = 500 μH ，V
CC
= 600 V,
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V
2650
2400
2150
1900
T
J
= 125 °C
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 14 - 典型的我
rr
与二极管的dI
F
/ DT
V
R
= 200 V，I
F
= 50 A
Q
rr
（ NC ）
1650
1400
1150
900
650
400
100
1000
T
J
= 25 °C
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 15 - 典型的Q
rr
与二极管的dI
F
/ DT ，V
R
= 200 V，I
F
= 50 A
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