GP1S196HCZ0F/GP1S196HCZSF
GP1S196HCZ0F
GP1S196HCZSF
差距： 1.1毫米，狭缝： 0.3毫米
光电晶体管输出，
紧凑型透射
光电断路器
■
描述
GP1S196HCZ0F
是一个紧凑的封装，光转录
体管输出，传输的光断续器，与oppos-
荷兰国际集团发射器和检测器在一个模制，可提供非
接触感应。紧凑型封装系列是一个结果
独特的技术结合转移和注射
成型。
此设备是零件的其余的一半大小
这个家庭。
■
机构认证/合规
1.符合RoHS指令
■
应用
1.一般检测对象存在或钼
化。
2.例如：打印机，镜头控制相机
■
特点
1.透射与光电晶体管输出
2.亮点：
紧凑的尺寸
低廓
窄间隙
通孔：
GP1S196HCZ0F
SMT ：
GP1S196HCZSF
3.主要参数：
间隙宽度： 1.1毫米
狭缝宽度（检测端） ： 0.3毫米
封装： 3.1 × 2 × 2.7毫米
4.无铅和RoHS指令标准
注意数据表的内容如有更改，恕不另行通知。
在没有CON连接细则第十五通过特定的设备连接阳离子表，夏普需要使用任何夏普设备可能出现的任何缺陷承担责任
在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录，数据手册等所刊载的设备。
1
表号： D3- A01001EN
日期六月30， 2005
夏普公司
GP1S196HCZ0F/GP1S196HCZSF
■
内部连接图
顶视图
2
1
1
2
3
4
3
4
阳极
集热器
辐射源
阴极
■
外形尺寸
通孔
[GP1S196HCZ0F]
2(0.3)
2(0.7)
顶视图
a
（单位：毫米）
鸥翼SMT无铅形式
[GP1S196HCZ0F]
2(0.3)
2(0.7)
2(1.62)
2(1.5)
2(1.75)
A-A '部分
G
at
e
顶视图
a
2
(R
0.
2)
a'
3.1
1.1
0.
2)
4
2(1.5)
2(1.75)
A-A '部分
G
at
e
4
(R
2(1.62)
a'
3.1
2.7
2.7
(0.3)
狭缝宽度
(1.2)
2
1.1
(0.3)
狭缝宽度
(1.2)
n
TIO
si
po
n
TIO
si
po
2.1
(0.04)
2.1
鉴定
标志
2
2(0.85)
(2.15)
(1.05)
3
40.15
21.7
±0.3
40.3
1.3
21.5
±0.3
(0.75)
中心
光路
0.1
2(0.85)
4
0.
鉴定
标志
3.2
±0.2
(0.75)
中心
光路
40.3
1.3
4
0.
(2.15)
(1.05)
3
4
相同的电势
as
1
4
相同的电势
as
1
2(0.2)
2
1
2(0.2)
2
1
相同的电势
3
21.85
3
相同的电势
Unspeci网络版公差：为±0.1mm 。
尺寸在括号中显示，以供参考。
尺寸被显示
指的是那些从测量的
铅基地。
显示不包括那些毛刺的尺寸。
伯尔的尺寸： 0.15毫米MAX 。
铅可以在画了部分被曝光。
有关于他的发光侧agreer identi网络阳离子大关。
Unspeci网络版公差：为±0.1mm 。
尺寸在括号中显示，以供参考。
尺寸被显示
指那些测量引线
电镀部分。
显示不包括那些毛刺的尺寸。
伯尔的尺寸： 0.15毫米MAX 。
铅可以在画了部分被曝光。
有关于他的发光侧agreer identi网络阳离子大关。
产品质量：约。 0.022克
产品质量：约。 0.02克
电镀材料：锡铜（CU ：典型值2 ％ ）
原产地
日本
表号： D3- A01001EN
2
GP1S196HCZ0F/GP1S196HCZSF
■
绝对最大额定值
参数
正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
产量
集电极电流
集电极耗散功率
总功耗
工作温度
储存温度
1
焊接温度
(T
a
=
25C )
符号
等级
单位
I
F
30
mA
V
R
6
V
P
75
mW
V
首席执行官
35
V
V
ECO
6
V
I
C
20
mA
75
mW
P
C
100
mW
P
合计
C
T
OPR
25
+
85
C
T
英镑
40
+
100
T
SOL
260
C
0.3mm以上
焊接区
(GP1S196HCZ0F)
1 3秒或更少
■
光电特性
参数
正向电压
输入
反向电流
输出集电极暗电流
集电极电流
转让
集电极 - 发射极饱和电压
字符
上升时间
开创性意义响应时间
下降时间
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
I
C
V
CE （ SAT ）
t
r
t
f
条件
I
F
=
20mA
V
R
=
3V
V
CE
=
20V
V
CE
=
5V ，我
F
=
5mA
I
F
=
10毫安，我
C
=
40
μ
A
V
CE
=
5V ，我
C
=
100
μ
A，R
L
=
1k
Ω
分钟。
100
典型值。
1.2
50
50
(T
a
=
25C )
马克斯。
单位
1.4
V
10
μ
A
100
nA
400
μ
A
0.4
V
150
μ
s
150
表号： D3- A01001EN
3
GP1S196HCZ0F/GP1S196HCZSF
图1正向电流与环境
温度
60
50
正向电流I
F
（MA ）
40
30
20
10
0
25
0
25
50
75 85
100
环境温度T
a
(C)
图2功耗对比
环境温度
120
100
80
75
60
40
20
15
0
25
0
25
50
75 85
100
P
合计
耗散功率P，P
c
, P
合计
（ mW）的
P,P
c
环境温度T
a
(C)
图3正向电流与正向
电压
100
图4集电极电流与正向
当前
1.1
1
0.9
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
=5V
T
a
=25C
正向电流I
F
（MA ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
T
a
=85C
65C
45C
25C
0C
25C
1
0
0.5
1
1.5
2
正向电压V
F
(V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
正向电流I
F
（MA ）
图5集电极电流与集电极
发射极电压
2
T
a
25C
I
F
30mA
图6相对集电极电流与
环境温度
130
120
110
相对集电极电流（ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
I
F
=5mA
V
CE
=5V
I
C
=100%
在T
a
=25C
1.6
集电极电流I
C
（MA ）
1.2
20mA
0.8
10mA
0.4
5mA
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
0
25
50
75
环境温度T
a
(C)
表号： D3- A01001EN
4
GP1S196HCZ0F/GP1S196HCZSF
图7集电极 - 发射极饱和Votage对比
环境温度
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （SAT）
(V)
0.2
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
25
0
25
50
75
I
F
=10mA
I
C
=40μA
图8集电极暗电流与
环境温度
10
6
V
CE
20V
集电极暗电流I
首席执行官
(A)
10
7
10
8
10
9
10
10
0
25
50
75
100
环境温度T
a
(C)
环境温度T
a
(C)
图9响应时间与负载电阻
1 000
V
CE
=5V
I
C
=100μA
T
a
=25C
t
r
图10测试电路的响应时间
V
CC
R
D
输入
R
L
输出输入
产量
10%
90%
响应时间（微秒）
100
t
f
t
d
t
s
t
d
t
r
t
s
t
f
10
1
0.1
1
10
负载阻抗R
L
(kΩ)
100
图11相对集电极电流与盾
距离（1）
100
90
相对集电极电流（ ％ ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
I
F
=5mA
V
CE
=5V
0.5
1
1.5
2
0
L
图12相对集电极电流与盾
距离（1）
100
90
相对集电极电流（ ％ ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
I
F
=5mA
V
CE
=5V
0.5
1
1.5
2
L
0
屏蔽移动距离为L（毫米）
表号： D3- A01001EN
屏蔽移动距离为L（毫米）
备注：请注意，图中的所有数据都只是参考，不是保证。
5
QQ：2881677436 复制
