【颁发日期： 2005年5月6日修订日期：GI5706描述特点NPN外延平面硅晶体管对GI5706被设】,IC型号GI5706,GI5706 PDF资料,GI5706经销商,ic,电子元器件-51电子网

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颁发日期： 2005年5月6日

修订日期：

G

I

5706

描述

特点

NPN外延平面硅晶体管

对G

I

5706被设计的高电流开关应用。

*大电流容量

*低集电极 - 发射极饱和电压

*高速开关

*高允许功耗

包装尺寸

TO-251

REF 。

A

B

C

D

E

F

毫米

分钟。

马克斯。

6.40

6.80

5.20

5.50

6.80

7.20

7.20

7.80

2.30 REF 。

0.60

0.90

REF 。

G

H

J

K

L

M

毫米

分钟。

马克斯。

0.50

0.70

2.20

2.40

0.45

0.55

0.45

0.60

0.90

1.50

5.40

5.80

绝对最大额定值

（ TA = 25 ：

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

结温

储存温度

总功耗

中，除非另有规定）

符号

评级

V

CBO

80

V

CES

80

V

首席执行官

50

V

EBO

6

I

C

5

I

CP

7.5

I

B

1.2

Tj

+150

Ts

TG

-55 ~ +150

P

D

0.8

P

D

(T

C

=25 : )

15

单位

V

V

V

V

A

A

A

:

:

W

W

电气特性

（评分在TA = 25 ：）

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

测试条件

BV

CBO

BV

CES

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

*V

CE(sat)1

*V

CE(sat)2

*V

BE （ SAT ）

*h

FE

fT

COB

吨

（导通时间）

TSTG

（存储时间）

tf

（下降时间）

80

80

50

6

-

-

-

-

-

200

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

400

15

35

300

20

-

-

-

-

1

1

135

240

1.2

560

-

-

-

-

-

V

V

V

V

uA

uA

mV

mV

V

兆赫

pF

ns

ns

ns

I

C

=为10uA ，我

E

=0

I

C

=为100uA ，R

BE

=0

I

C

= 1毫安，R

BE

=

I

E

=为10uA ，我

C

=0

V

CB

= 40V ，我

E

=0

V

EB

= 4V ，我

C

=0

l

C

= 1A ，我

B

=50mA

l

C

= 2A ，我

B

=100mA

l

C

= 2A ，我

B

=100mA

V

CE

= 2V ，我

C

=500mA

V

CE

= 10V ，我

C

=500mA

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

见指定的测试电路。

见指定的测试电路。

G

I

5706

页次： 1/3

颁发日期： 2005年5月6日

修订日期：

开关时间测试电路

特性曲线

G

I

5706

页次： 2/3

颁发日期： 2005年5月6日

修订日期：

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G

I

5706

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