GM71V64803C
GM71VS64803CL
8,388,608字× 8位
CMOS动态RAM
描述
该GM71V （S） - 64803C / CL是新一代
动态RAM举办8,388,608字由8位。
该GM71V （ S） 64803C / CL采用先进的CMOS
硅栅工艺技术，以及
先进的电路技术，为广泛的工作
空间，在内部和向系统用户。
体系化的特点包括：单电源供电
3.3V +/- 10 ％容差的，直接连接
高性能逻辑系列这样的能力
肖特基TTL 。
该GM71V （ S） 64803C / CL提供了扩展数据
输出（EDO ）方式作为高速存取模式。
引脚配置
32 SOJ / TSOP II
VCC
IO0
IO1
IO2
IO3
NC
VCC
/ WE
/ RAS
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VSS
IO7
IO6
IO5
IO4
VSS
/ CAS
/ OE
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
VSS
特点
* 8,388,608字× 8位
*扩展数据输出（ EDO ）模式功能
*快速存取时间及放大器;周期
（单位：纳秒）
A1
A2
A3
A4
A5
VCC
t
RAC
GM71V(S)64803C/CL-5
GM71V(S)64803C/CL-6
50
60
t
AA
25
30
t
CAC
13
15
t
RC
84
104
t
HPC
20
25
功耗
- 活动：为450mW / 414mW （ MAX）
- 待机： 1.8毫瓦（ CMOS电平： MAX ）
0.54mW （L -版本： MAX ）
* EDO页面模式功能
*访问时间：为50ns / 60ns的（最大）
*更新周期
- RAS只刷新
8192次/ 64毫秒（ GM71V64803C ）
8192次/ 128毫秒（ GM71VS64803CL ） （ L_Version ）
* CBR &隐藏刷新
4096次/ 64毫秒（ GM71V64803C ）
4096次/ 128毫秒（ GM71VS64803CL ） （L-版）
*刷新4变化
-RAS只刷新
-CAS先于RAS刷新
-hidden刷新
- 自刷新（ L-版）
*单电源的3.3V ±10％，与内置VBB发生器
*电池备份操作（ L-版）
修订版0.1 / Apr'01
（ TOP VIEW ）
GM71V64803C
GM71VS64803CL
引脚说明
针
A0-A12
A0-A12
RAS
CAS
OE
功能
地址输入
刷新地址输入
行地址选通
列地址选通
OUTPUT ENABLE
针
WE
I / O0 - I / O7
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
数据输入/输出
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
订购信息
型号
GM71V(S)64803C/CLJ-5
GM71V(S)64803C/CLJ-6
GM71V(S)64803C/CLT-5
GM71V(S)64803C/CLT-6
存取时间
50ns
60ns
50ns
60ns
包
400万
32Pin
塑料SOJ
400万
32Pin
塑料TSOP II
绝对最大额定值*
符号
T
英镑
V
T
V
CC
I
OUT
P
T
参数
存储温度（塑料）
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
等级
-55至125
-0.5到V
CC
+ 0.5
（ MAX ; 4.6V ）
-0.5到4.6
50
1.0
单位
C
V
V
mA
W
*注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
在偏置环境温度
民
3.0
0
2.0
-0.3
0
典型值
3.3
0
-
-
-
最大
3.6
0
Vcc+0.3
0.8
70
单位
V
V
V
V
C
笔记
1,2
2
1
1
修订版0.1 / Apr'01
GM71V64803C
GM71VS64803CL
直流电气特性：
(V
CC
= 3.3V +/- 10％ ，T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
参数
输出电平
输出电平电压（I
OUT
= -2mA ）
输出电平
输出电平电压（I
OUT
= 2毫安）
工作电流（
t
RC
=
t
RC
分）
50ns
60ns
I
CC2
待机电流（ TTL接口）
电源的待机电流
（ RAS ， CAS = V
IH
, D
OUT
=高阻）
RAS仅刷新当前
( t
RC
= t
RC
分）
扩展数据输出页面模式电流
（ RAS = V
IL
中国科学院，地址单车：吨
HPC
= t
HPC
分）
CMOS接口
（ RAS ， CAS ＆ GT ; = V
CC
-0.2V ，D
OUT
=高阻）
待机电流（ L_Version ）
I
CC6
CAS先于RAS的刷新电流
(t
RC
= t
RC
分）
50ns
60ns
50ns
60ns
50ns
60ns
民
2.4
0
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
V
CC
0.4
125
115
2
125
115
110
mA
100
0.5
mA
1,3
mA
2
mA
单位注
V
V
mA
1,2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
-
-
-
-
300
145
135
500
uA
mA
uA
4
I
CC7
I
CC8
备用电池工作电流（待机与CBR ）
(tRC=31.25us,tRAS=300ns,Dout=High-Z)
待机电流（ CMOS ）
电源的待机电流
RAS = V
IH
， CAS = V
IL
,
D
OUT
=启用
自刷新电流
（ RAS ， CAS < = 0.2V ，状态DOUT =高阻）
输入漏电流，任何输入
(0V<=V
IN
< = VCC）
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人， 0V< = V
OUT
< = VCC）
4, 5
-
5
mA
1
I
CC9
I
I（L）
I
O（ L）
-
-5
-5
400
5
5
uA
uA
uA
5
注：1。我
CC
依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我
CC（ MAX）的
在被指定
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
.
3.测量每个EDO周期一个连续的地址变更，T
HPC
.
4. V
IH
＆ GT ; = V
CC
-0.2V ， 0V< = V
IL
<=0.2V
5. L-版本
修订版0.1 / Apr'01
GM71V64803C
GM71VS64803CL
电容
(V
CC
= 3.3V +/- 10％ ，T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
输出电容（输入数据，数据输出）
典型值
-
-
-
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
记
1
1
1, 2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. RAS ， CAS = V
IH
禁用
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 3.3V +/- 10％ ，T
A
= 0 70℃ ，注意事项1， 2,19 ）
测试条件
输入上升和下降时间： 2ns的
输出时序参考水平： V
OL
/V
OH
= 0.8/2.0V
输入电平： V
IL
/V
IH
= 0.0/3.0V
输出负载： 1 TTL门+ C
L
(100pF)
输入时序参考水平： V
IL
/V
IH
= 0.8/2.0V
（包括范围和夹具）
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
GM71V （S） - 64803C / CL- 5 GM71V （S） - 64803C / CL- 6
符号
参数
民
最大
-
-
-
10000
10000
-
-
-
-
37
25
-
-
-
-
-
-
50
64
128
单位
笔记
民
104
40
10
60
10
0
10
0
10
14
12
15
40
5
15
0
0
2
-
-
最大
-
-
-
10000
10000
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
64
128
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
5
6
6
7
8192
周期
8192
周期
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
从D- CAS延迟时间
IN
TransitionTime （上升和下降）
刷新周期
刷新周期（ L-版）
84
30
8
50
8
0
8
0
8
12
10
13
35
5
13
0
0
2
-
-
3
4
修订版0.1 / Apr'01
GM71V64803C
GM71VS64803CL
读周期
符号
参数
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
从OE访问时间
读命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
列地址到RAS交货时间
列地址到CAS交货期
输出缓冲关断延迟时间CAS
输出缓冲关断延迟时间从OE
CAS到D
IN
延迟时间
RAS到D
IN
延迟时间
我们到D
IN
延迟时间
输出缓冲关断延迟时间从RAS
输出缓冲关断延迟时间从WE
输出数据保持时间
输出数据保持时间从RAS
读命令保持时间从RAS
输出数据保持时间从OE
CAS到输出低 - z
GM71V （S） - 64803C / CL- 5 GM71V （S） - 64803C / CL- 6
单位
笔记
民
最大
50
13
25
13
-
-
-
-
-
13
13
-
-
-
13
13
-
-
-
-
-
民
-
-
-
-
0
0
0
30
18
-
-
15
15
15
-
-
3
3
60
3
0
最大
60
15
30
15
-
-
-
-
-
15
15
-
-
-
15
15
-
-
-
-
-
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OAC
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
t
关闭
t
OEZ
t
CDD
t
RDD
t
WDD
t
OFR
t
WEZ
t
OH
t
高级代表办事处
t
RCHR
t
OHO
t
CLZ
-
-
-
-
0
0
0
25
15
-
-
13
13
13
-
-
3
3
50
3
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8,9
9,10,17
9,11,17
9
12
12
13,21
13
5
13,21
13
21
21
修订版0.1 / Apr'01
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