STGD6NC60HD

N沟道600V - 7A - DPAK

非常快的PowerMESH IGBT

一般特点

TYPE

STGD6NC60HD

■

■

■

■

V

CES

600V

V

CE （ SAT ）

最大

@25°C

<2.5V

I

C

@100°C

7A

3

1

低电压降（V

CESAT

)

低C

水库

/ C

IES

比（无交叉传导

易感性）

非常柔软的超快速恢复反并联二极管

高频率运行

DPAK

描述

采用了最新的高电压技术的基础上

专利带布局，意法半导体

设计了一个IGBT的先进家庭，

的PowerMESH IGBT的，以优异的

表演。后缀“ H”的标识家庭

对于以高频应用进行优化

要达到非常高的开关性能

（还原TFALL ）保持低的电压降。

内部原理图

应用

■

■

■

高频逆变器

SMPS和PFC以硬开关和

谐振拓扑结构

电机驱动器

订购代码

产品型号

STGD6NC60HDT4

记号

GD6NC60HD

包

DPAK

包装

磁带&卷轴

2007年2月

REV 3

1/15

www.st.com

15

目录

STGD6NC60HD

目录

1

2

电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

2.1

电特性（曲线）

............................. 7

3

4

5

6

测试电路

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

2/15

STGD6NC60HD

电气额定值

1

电气额定值

表1中。

符号

V

CES

I

C(1)

I

C(1)

I

CM(2)

V

GE

I

F

P

合计

T

英镑

T

j

T

l

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压（V

GS

= 0)

集电极电流（连续）在T

C

= 25°C

集电极电流（连续）在T

C

= 100°C

集电极电流（脉冲）

栅极 - 发射极电压

在Tc = 25 ° C二极管RMS正向电流

总功耗在T

C

= 25°C

储存温度

- 55 150

工作结温

最大无铅焊接温度的目的

（为10秒1.6毫米的情况下）

T

–

T

JMAX

C

I

(

T

)

= -----------------------------------------------------------------------------------------------------

-

C C

R

×

V

(

T

,

I

)

THJ

–

C

CESAT

(

最大

)

C C

价值

600

15

7

21

±20

10

56

单位

V

A

A

A

V

A

W

°C

°C

300

11.根据迭代式计算：

2.

脉冲宽度有限的最高结温

表2中。

符号

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻

参数

热阻结案件最大

热阻结到环境最大

价值

2

62.5

单位

° C / W

° C / W

3/15

电气特性

STGD6NC60HD

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

V

BR （CES）上

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

g

fs

STATIC

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

测试条件

I

C

= 1mA时， V

GE

= 0

分钟。

600

1.9

1.7

3.75

2.5

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

V

A

mA

nA

S

集电极 - 发射极饱和V

GE

= 15V ，我

C

= 3A

电压

V

GE

= 15V ，我

C

= 3A ， TC = 125°C

栅极阈值电压

集电极截止电流

(V

GE

= 0)

栅射极漏泄

电流（V

CE

= 0)

正向跨导

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250 A

V

CE

=最大额定值，T

C

= 25°C

V

CE

=最大额定值，T

C

= 125°C

V

GE

= ±20V, V

CE

= 0

V

CE

= 15V

,

I

C

= 3A

5.75

10

1

±100

3

表4 。

符号

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

I

CL

动态

参数

输入电容

输出电容

反向传输

电容

总栅极电荷

栅极 - 射极电荷

栅极电荷收集

关断SOA最低

当前

测试条件

V

CE

= 25V ， F = 1MHz时，

V

GE

= 0

V

CE

= 390V ，我

C

= 3A,

V

GE

= 15V,

（参见图17）

V

钳

= 390V ， TJ = 150 ° C，

,

R

G

=10 V

GE

=15V

分钟。

典型值。马克斯。

205

32

5.5

13.6

3.4

5.1

19

单位

pF

pF

pF

nC

nC

nC

A

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STGD6NC60HD

电气特性

表5 。

符号

t

D（上）

t

r

（ di / dt的）

on

t

D（上）

t

r

（ di / dt的）

on

t

r

(V

关闭

)

t

d

(

关闭

)

t

f

t

r

(V

关闭

)

t

d

(

关闭

)

t

f

开启/关闭（感性负载）

参数

导通延迟时间

电流上升时间

导通电流斜率

测试条件

V

CC

= 390V ，我

C

= 3A

,

R

G

= 10 V

GE

= 15V,

TJ = 25°C

（参见图18）

V

CC

= 390V ，我

C

= 3A

R

G

= 10 V

GE

= 15V,

,

Tj=125°C

（参见图18）

V

CC

= 390V ，我

C

= 3A,

R

GE

= 10 V

GE

=

,

15V,T

J

=25°C

（参见图18）

V

CC

= 390V ，我

C

= 3A,

,

R

GE

=10 V

GE

=15V,

Tj=125°C

（参见图18）

分钟。

典型值。

12

5

612

马克斯。

单位

ns

ns

A / μs的

导通延迟时间

电流上升时间

导通电流斜率

13

4.3

560

ns

ns

A / μs的

关闭电压上升时间

打开-O FF延迟时间

电流下降时间

40

76

100

ns

ns

ns

关闭电压上升时间

打开-O FF延迟时间

电流下降时间

60

98

124

ns

ns

ns

表6 。

符号

E

on(1)

E

off(2)

E

ts

E

on(1)

E

off(2)

E

ts

开关能量（电感性负载）

参数

导通开关损耗

关断的开关损耗

总开关损耗

测试条件

V

CC

= 390V ，我

C

= 3A

,

R

G

= 10 V

GE

=15V,

Tj=25°C

（参见图18）

V

CC

= 390V ，我

C

= 3A

,

R

G

= 10 V

GE

= 15V,

TJ = 125°C

（参见图18）

分钟。

典型值。

20

68

88

马克斯。

单位

J

J

J

导通开关损耗

关断的开关损耗

总开关损耗

37

93

130

J

J

J

1.宙是屯通损失时一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在

一包与助巴二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在

同一温度（ 25℃和125 ℃）下

2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴

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