【LG的Semicon有限公司。描述该GM71C （S） - 4400C / CL是新一代动态RAM举】,IC型号GM71C4400CJ-70,GM71C4400CJ-70 PDF资料,GM71C4400CJ-70经销商,ic,电子元器件-51电子网

LG的Semicon有限公司。

描述

该GM71C （S） - 4400C / CL是新一代

动态RAM举办1,048,576字× 4位。

GM71C （S） - 4400C / CL实现了更高的密度，

更高的性能和各种功能由

采用先进的CMOS工艺技术。该

GM71C （S ） 4400C / CL提供快速页面模式的

高速存取模式。复用地址

输入允许GM71C （S） - 4400C / CL是

封装在一个标准300MIL 20 （ 26 ）脚胶

SOJ和标准300MIL 20 （ 26 ）脚胶

TSOP II 。封装尺寸提供高系统

位密度，并且与广泛兼容

可自动检测和插入

设备。体系化的特征包括单

5V +/- 10 ％容差的电源，直

高性能逻辑接口功能

家庭如肖特基TTL 。

GM71C(S)4400C/CL

1,048,576字× 4BIT

CMOS动态RAM

特点

* 1,048,576字× 4位组织

*快速页模式功能

*单电源（ 5V +/- 10 ％）

*快速存取时间及放大器;周期

（单位：纳秒）

t

RAC

GM71C(S)4400C/CL-60

GM71C(S)4400C/CL-70

GM71C(S)4400C/CL-80

60

70

80

t

CAC

15

20

t

RC

110

130

150

t

PC

40

45

50

引脚配置

20 （ 26 ） SOJ

I/O1

I/O2

WE

RAS

A9

V

SS

I/O4

I/O3

CAS

OE

I/O1

I/O2

WE

RAS

A9

1

2

3

4

5

*低功耗

主动：五百五十零分之六百零五/ 495mW （ MAX）

待机： 5.5MW （ CMOS电平： MAX ）

1.1MW （L-版本）

* RAS只刷新，刷新RAS CAS之前，

隐藏刷新功能

*所有的输入和输出TTL兼容

* 1024刷新周期/ 16ms的

* 1024刷新周期/ 128ms的（L-版本）

*电池备份操作（ L-版）

20 （ 26 ） TSOP II

20

19

18

17

16

V

SS

I/O4

I/O3

CAS

OE

V

SS

I/O4

I/O3

CAS

OE

20

19

18

17

16

1

2

3

4

5

I/O1

I/O2

WE

RAS

A9

A0

A1

A2

A3

V

CC

6

7

8

9

10

15

14

13

12

11

A8

A7

A6

A5

A4

A0

A1

A2

A3

V

CC

6

7

8

9

10

15

14

13

12

11

A8

A7

A6

A5

A4

A8

A7

A6

A5

A4

15

14

13

12

11

6

7

8

9

10

A0

A1

A2

A3

V

CC

普通型

反向型

（ TOP VIEW ）

1

LG的Semicon

GM71C(S)4400C/CL

功能

地址输入

刷新地址输入

数据输入/输出的数据

行地址选通

列地址选通

引脚说明

针

A0-A9

I/O1-I/O4

RAS

CAS

针

WE

OE

V

CC

V

SS

功能

读/写使能

OUTPUT ENABLE

电源（+ 5V）的

地

订购信息

型号

GM71C(S)4400CJ/CLJ-60

GM71C(S)4400CJ/CLJ-70

GM71C(S)4400CJ/CLJ-80

GM71C(S)4400CT/CLT-60

GM71C(S)4400CT/CLT-70

GM71C(S)4400CT/CLT-80

GM71C(S)4400CR/CLR-60

GM71C(S)4400CR/CLR-70

GM71C(S)4400CR/CLR-80

存取时间

60

ns

70

ns

80

ns

60

ns

70

ns

80

ns

60

ns

70

ns

80

ns

包

300英里， 20 （ 26 ）脚

塑料SOJ

300英里， 20 （ 26 ）脚

塑料TSOP II

（普通型）

300英里， 20 （ 26 ）脚

塑料TSOP II

（反式）

绝对最大额定值*

符号

T

A

T

英镑

V

IN

/V

OUT

V

CC

I

OUT

P

D

参数

在偏置环境温度

存储温度（塑料）

任何引脚相对于V电压

SS

在V电压

CC

相对于V

SS

短路输出电流

功耗

等级

0 ~ 70

-55 ~ 125

-1.0 ~ 7.0

50

1.0

单位

C

V

mA

W

*注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。

建议的直流工作条件

(T

A

= 0 ~ 70C)

符号

V

CC

V

IH

V

IL

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压（ I / O引脚）

输入低电压（其他）

民

4.5

2.4

-1.0

-2.0

典型值

5.0

-

最大

5.5

6.5

0.8

单位

V

2

LG的Semicon

GM71C(S)4400C/CL

DC电气特性

(V

CC

= 5V +/- 10％，T

A

= 0 ~ 70C)

符号

V

OH

V

OL

I

CC1

参数

输出电平

产量

“H”

电平电压（I

OUT

= -5mA ）

输出电平

产量

“L”

电平电压（I

OUT

= 4.2毫安）

工作电流

平均供电工作电流

（ RAS ， CAS ，地址自行车：吨

RC

= t

RC

分）

待机电流（ TTL ）

电源的待机电流

（ RAS ， CAS = V

IH

, D

OUT

=高阻）

RAS仅刷新当前

平均供电电流

RAS仅刷新模式

（ RAS骑自行车， CAS = V

IH

, t

RC

= t

RC

分）

快页模式电流

平均供电电流

快速页模式

（ RAS = V

IL

中国科学院，地址单车：吨

PC

= t

PC

分）

待机电流（ CMOS ）

电源的待机电流

（ RAS ， CAS > = V

CC

- 0.2V ，D

OUT

=高阻）

CAS先于RAS的刷新电流

(t

RC

= t

RC

分）

60ns

70ns

80ns

60ns

70ns

80ns

60ns

70ns

80ns

最小值最大值单位注释

2.4

0

-

60ns

70ns

80ns

-

V

CC

0.4

110

100

90

2

110

100

90

110

100

90

1

200

110

100

90

300

uA

4, 5

mA

uA

5

4, 5

mA

1, 3

mA

2

mA

1, 2

V

I

CC2

I

CC3

I

CC4

I

CC5

I

CC6

I

CC7

备用电池电流（待机与CBR刷新）

(t

RC

= 125us ，T

RAS

< = 1us的，我们= V

IH

， CAS = V

IL

,

OE ，地址和D

IN

=V

IH

或V

IL

, D

OUT

=高阻）

待机电流RAS = V

IH

CAS = V

IL

D

OUT

=启用

输入漏电流

任何输入（ 0V< = V

IN

<=7V)

输出漏电流

(D

OUT

为残疾人， 0V< = V

OUT

<=7V)

I

CC8

-

-10

5

10

mA

uA

1

I

I（L）

I

O（ L）

注：1。我

CC

依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我

CC

（最大值）是在输出指定

开放的条件。

2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V

IL

.

3.地址可以一次或更少的改变，而CAS = V

IH

.

4. L-版本。

5. V

CC

-0.2V<=V

IH

< = 6.5V ， 0V< = V

IL

<=0.2V.

3

LG的Semicon

GM71C(S)4400C/CL

参数

输入电容（地址）

输入电容（时钟）

数据输入，输出电容（数据输入，输出）

电容

(V

CC

= 5V +/- 10％，T

A

= 25C)

符号

C

I1

C

I2

C

I / O

民

-

最大

5

7

10

单位

§

记

1

1, 2

注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。

2. CAS = V

IH

禁用

OUT

.

AC特性

(V

CC

= 5V +/- 10％，T

A

= 0 70℃ ，注意事项1， 14 ， 15 ， 16 ）

测试条件

输入上升和下降时间： 5ns的

输出负载： 2 TTL门+ C

L

(100§)

输入，输出时序参考电平： 0.8V ， 2.4V

（包括范围和夹具）

读，写，读 - 修改 - 写和更新周期

（公用参数）

符号

参数

随机读或写周期时间

RAS预充电时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址建立时间

列地址保持时间

RAS到CAS的延迟时间

RAS到列地址的延迟时间

RAS保持时间

CAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

OE到D

IN

延迟时间

从D- OE延迟时间

IN

CAS建立时间从D-

IN

转换时间

（上升和下降）

刷新周期

刷新周期（L -版本）

-

GM71C （S ） 4400 GM71C （ S） 4400 GM71C （ S） 4400

C/CL-60

C/CL-70

C/CL-80

单位

ns

ms

记

最小值最大值最小值最大值最小值最大值

110

40

60

15

0

10

0

15

20

15

60

10

15

0

3

-

10,000

t

RC

t

RP

t

RAS

t

CAS

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

RCD

t

拉德

t

RSH

t

CSH

t

CRP

t

ODD

t

DZO

t

DZC

t

T

t

REF

130

50

70

20

0

10

0

15

20

15

20

70

10

20

0

3

-

10,000

150

60

80

20

0

10

0

15

20

15

20

80

10

20

0

3

-

10,000

-

45

30

-

50

16

128

-

50

35

-

50

16

128

-

60

40

-

50

16

128

8

9

7

4

LG的Semicon

GM71C(S)4400C/CL

GM71C （S ） 4400 GM71C （ S） 4400 GM71C （ S） 4400

C/CL-60

C/CL-70

C/CL-80

读周期

符号

参数

从RAS访问时间

从CAS访问时间

从地址访问时间

从OE访问时间

READ命令设置时间

读命令保持时间CAS

读命令保持时间RAS

列地址到RAS交货时间

输出缓冲器关断时间

输出缓冲关断时间从OE

CAS到D

IN

延迟时间

OE脉冲宽度

单位

ns

记

2,3,17

3, 4,

13, 17

3, 5,

13, 17

最小值最大值最小值最大值最小值最大值

-

0

30

0

15

60

15

30

15

-

15

-

0

35

0

20

70

20

35

20

-

15

-

0

40

0

20

80

20

40

20

-

15

-

t

RAC

t

CAC

t

AA

t

OAC

t

RCS

t

RCH

t

RRH

t

拉尔

t

OFF1

t

OFF2

t

CDD

t

OEP

3,17

18

6

写周期

符号

参数

写命令设置时间

写命令保持时间

WRITE命令的脉冲宽度

写命令到RAS交货期

写命令到CAS交货期

数据的建立时间

数据保持时间

GM71C （S ） 4400 GM71C （ S） 4400 GM71C （ S） 4400

C/CL-60

C/CL-70

C/CL-80

最小值最大值最小值最大值最小值最大值

0

15

10

15

0

15

-

0

15

10

20

0

15

-

0

15

10

20

0

15

-

单位

ns

记

10

t

WCS

t

WCH

t

WP

t

RWL

t

CWL

t

DS

t

DH

11

5