摹-LINK
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
产品特点：
524
， 288字×8位的组织。
快速存取时间和周期时间。
低功耗。
工作电流150毫安最大。
TTL待机电流2毫安最大。
读 - 修改 - 写，
RAS
- 只有刷新，
说明：
该GLT44108是524288 ×8位的高
性能CMOS动态随机存取
内存。该GLT44108提供快速页面与模式
不对称的地址和接受512周期刷新
8ms的间隔。
所有输入为TTL兼容。快速页模式
操作允许随机访问多达512 ×8位
在一个页面中，与周期时间短至22ns 。
该GLT44108是最适合用于图形，数字
信号处理和高性能的外围设备。
CAS
-before-
RAS
刷新，隐藏
刷新和测试模式功能。
1024刷新周期/ 16ms的。
提供28PIN 400万SOJ
单+ 5.0V ± 10 ％电源。
所有的输入和输出与TTL
兼容。
快速页模式支持持续数据
速度高达50MHz 。
引脚配置：
GLT44108
28引脚SOJ
V
cc
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
NC
WE
RAS
A9
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
CAS
OE
NC
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-1-
摹-LINK
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
AA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
马克斯。 CAS存取时间（t
CAC
)
-40
40纳秒
20纳秒
22纳秒
75纳秒
12纳秒
-50
50纳秒
25纳秒
31纳秒
90纳秒
13纳秒
-60
60纳秒
30纳秒
40纳秒
110纳秒
15纳秒
引脚说明：
名字
A
0
– A
9
RAS
CAS
WE
OE
DQ
0
- DQ
7
V
CC
V
SS
框图：
OE
WE
CAS
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
+ 5V电源
地
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
宽E时钟
发电机
OE时钟
发电机
V
CC
V
SS
数据I / O B美
列解码器
刷新
计数器
Y
0
- Y
8
9
1024
A
0
A
1
A
8
A
9
512×8
I/O0
感测放大器
I / O
卜FF器
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
.
.
地址缓冲器
与预解码
X
0
- x
9
ROW
解码器
内存
ARRAY
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-2-
摹-LINK
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
绝对最大额定值*
工作温度，T
A
（环境）
......................................- 10 ° C至+ 80°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 150°C
电压相对于V
SS
...............- 1.0V至+ 7.0V
短路输出电流...................... 50毫安
功耗1.0W ......................................
*注：以上操作绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
电容*
T
A
= 25 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
=0V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS
,
CAS
,
WE
,
OE
数据输入/输出
MAX 。 UNIT
5
7
7
pF
pF
pF
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试
电气规格
l
l
所有电压都参考GND 。
上电后，等待超过为200ps ，然后， RAS和RAS之前执行8只CAS
刷新周期作为伪周期来初始化内部电路。
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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摹-LINK
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
DC和操作特性（ 1-2）
TA = 0 ° C至70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V ，除非另有规定ED 。
符号。
I
LI
参数
输入漏电流
（任何输入引脚）
输出漏电流
（为高阻态）
工作电流，
随机读/写
待机电流（ TTL ）
刷新电流，
RAS - 仅
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
5.5V
（不是在所有其他引脚
test=0V)
0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
输出禁止（ HIZ ）
t
RC
= t
RC
（分）
RAS ， CAS ，在V
IH
其他投入
≥
V
SS
RAS骑自行车，
CAS在V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS在V
IL
,
CAS ，地址
骑自行车：吨
PC
=t
PC
（分）
ACCESS
时间
分钟。
-10
典型值
马克斯。单位注
+10
A
I
LO
I
CC1
-10
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
+10
150
140
120
2
A
mA
1,2
I
CC2
I
CC3
mA
mA
2
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
150
140
120
150
140
120
150
140
120
1
I
CC4
工作电流，
快速页模式
mA
1,2
I
CC5
刷新电流，
CAS前RAS
RAS ， CAS ，
针对循环：
t
RC
=t
RC
（分）
RAS
≥
V
CC
-0.2V,
CAS
≥
V
CC
-0.2V,
所有其它输入
≥V
SS
mA
1
I
CC6
待机电流（ CMOS ）
mA
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
-1
2.4
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5mA
2.4
+0.8
V
CC
+1
0.4
V
V
V
V
3
3
1.I
CC
依赖于输出负载时被选择的设备输出。指定I
CC （最大）
测量与输出
开。
2.I
CC
是依赖于指定的地址转换的数量。我
CC （最大）
度用最大一种过渡的
每个地址周期随机读/写和快速页面模式。
3.指定V
白细胞介素（分钟）
是稳态操作。在转换过程中，V
白细胞介素（分钟）
可能下冲至-1.0V的一段
不超过20ns.All AC参数测量V
白细胞介素（分钟）
≥V
ss
和V
IH （ MAX 。 ）
≤V
cc
.
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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摹-LINK
AC特性（ 0
°
C-吨
A
≤
70
°
C，见注1,2 ）
≤
测试条件： V
CC
=5.0V±10%, V
IH
/V
IL
=2.4V/0.8V,V
OH
/V
OL
=2.0V/0.8V
参数
40纳秒
50纳秒
符号
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
读/写周期时间
阅读Midify写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
中国科学院输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间参考的
到RAS
列地址铅时间参照点
到RAS
READ命令设置时间
读命令保持时间参考
到RAS
读命令保持时间参考
到CAS
我们认为，时间以CAS
写命令保持时间参考的
到RAS
t
WCH
t
WCR
6
30
-
-
7
40
-
-
10
45
-
-
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
t
RRH
t
RCH
75
120
-
-
-
0
0
3
25
40
12
40
12
16
11
5
0
6
0
6
30
20
0
0
0
-
-
40
12
20
-
8
50
-
10000
-
-
10000
30
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
140
-
-
-
0
0
3
30
50
13
50
13
18
13
5
0
8
0
8
40
25
0
0
0
-
-
50
13
25
-
10
50
-
10000
-
-
10000
37
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
60纳秒
分钟。马克斯。单位
110
160
-
-
-
0
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
45
30
0
0
0
-
-
60
15
30
-
13
50
-
10000
-
-
10000
45
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
3,4
3,4
3,4
3
7
2
4
4
8
9
9
10
5
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-5-
摹-LINK
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
产品特点：
524
， 288字×8位的组织。
快速存取时间和周期时间。
低功耗。
工作电流150毫安最大。
TTL待机电流2毫安最大。
读 - 修改 - 写，
RAS
- 只有刷新，
说明：
该GLT44108是524288 ×8位的高
性能CMOS动态随机存取
内存。该GLT44108提供快速页面与模式
不对称的地址和接受512周期刷新
8ms的间隔。
所有输入为TTL兼容。快速页模式
操作允许随机访问多达512 ×8位
在一个页面中，与周期时间短至22ns 。
该GLT44108是最适合用于图形，数字
信号处理和高性能的外围设备。
CAS
-before-
RAS
刷新，隐藏
刷新和测试模式功能。
1024刷新周期/ 16ms的。
提供28PIN 400万SOJ
单+ 5.0V ± 10 ％电源。
所有的输入和输出与TTL
兼容。
快速页模式支持持续数据
速度高达50MHz 。
引脚配置：
GLT44108
28引脚SOJ
V
cc
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
NC
WE
RAS
A9
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
CAS
OE
NC
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-1-
摹-LINK
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
AA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
马克斯。 CAS存取时间（t
CAC
)
-40
40纳秒
20纳秒
22纳秒
75纳秒
12纳秒
-50
50纳秒
25纳秒
31纳秒
90纳秒
13纳秒
-60
60纳秒
30纳秒
40纳秒
110纳秒
15纳秒
引脚说明：
名字
A
0
– A
9
RAS
CAS
WE
OE
DQ
0
- DQ
7
V
CC
V
SS
框图：
OE
WE
CAS
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
+ 5V电源
地
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
宽E时钟
发电机
OE时钟
发电机
V
CC
V
SS
数据I / O B美
列解码器
刷新
计数器
Y
0
- Y
8
9
1024
A
0
A
1
A
8
A
9
512×8
I/O0
感测放大器
I / O
卜FF器
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
.
.
地址缓冲器
与预解码
X
0
- x
9
ROW
解码器
内存
ARRAY
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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摹-LINK
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
绝对最大额定值*
工作温度，T
A
（环境）
......................................- 10 ° C至+ 80°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 150°C
电压相对于V
SS
...............- 1.0V至+ 7.0V
短路输出电流...................... 50毫安
功耗1.0W ......................................
*注：以上操作绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
电容*
T
A
= 25 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
=0V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS
,
CAS
,
WE
,
OE
数据输入/输出
MAX 。 UNIT
5
7
7
pF
pF
pF
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试
电气规格
l
l
所有电压都参考GND 。
上电后，等待超过为200ps ，然后， RAS和RAS之前执行8只CAS
刷新周期作为伪周期来初始化内部电路。
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
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摹-LINK
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
DC和操作特性（ 1-2）
TA = 0 ° C至70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V ，除非另有规定ED 。
符号。
I
LI
参数
输入漏电流
（任何输入引脚）
输出漏电流
（为高阻态）
工作电流，
随机读/写
待机电流（ TTL ）
刷新电流，
RAS - 仅
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
5.5V
（不是在所有其他引脚
test=0V)
0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
输出禁止（ HIZ ）
t
RC
= t
RC
（分）
RAS ， CAS ，在V
IH
其他投入
≥
V
SS
RAS骑自行车，
CAS在V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS在V
IL
,
CAS ，地址
骑自行车：吨
PC
=t
PC
（分）
ACCESS
时间
分钟。
-10
典型值
马克斯。单位注
+10
A
I
LO
I
CC1
-10
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
+10
150
140
120
2
A
mA
1,2
I
CC2
I
CC3
mA
mA
2
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 60ns的
150
140
120
150
140
120
150
140
120
1
I
CC4
工作电流，
快速页模式
mA
1,2
I
CC5
刷新电流，
CAS前RAS
RAS ， CAS ，
针对循环：
t
RC
=t
RC
（分）
RAS
≥
V
CC
-0.2V,
CAS
≥
V
CC
-0.2V,
所有其它输入
≥V
SS
mA
1
I
CC6
待机电流（ CMOS ）
mA
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
-1
2.4
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5mA
2.4
+0.8
V
CC
+1
0.4
V
V
V
V
3
3
1.I
CC
依赖于输出负载时被选择的设备输出。指定I
CC （最大）
测量与输出
开。
2.I
CC
是依赖于指定的地址转换的数量。我
CC （最大）
度用最大一种过渡的
每个地址周期随机读/写和快速页面模式。
3.指定V
白细胞介素（分钟）
是稳态操作。在转换过程中，V
白细胞介素（分钟）
可能下冲至-1.0V的一段
不超过20ns.All AC参数测量V
白细胞介素（分钟）
≥V
ss
和V
IH （ MAX 。 ）
≤V
cc
.
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-4-
摹-LINK
AC特性（ 0
°
C-吨
A
≤
70
°
C，见注1,2 ）
≤
测试条件： V
CC
=5.0V±10%, V
IH
/V
IL
=2.4V/0.8V,V
OH
/V
OL
=2.0V/0.8V
参数
40纳秒
50纳秒
符号
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
读/写周期时间
阅读Midify写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
中国科学院输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间参考的
到RAS
列地址铅时间参照点
到RAS
READ命令设置时间
读命令保持时间参考
到RAS
读命令保持时间参考
到CAS
我们认为，时间以CAS
写命令保持时间参考的
到RAS
t
WCH
t
WCR
6
30
-
-
7
40
-
-
10
45
-
-
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
t
RRH
t
RCH
75
120
-
-
-
0
0
3
25
40
12
40
12
16
11
5
0
6
0
6
30
20
0
0
0
-
-
40
12
20
-
8
50
-
10000
-
-
10000
30
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
140
-
-
-
0
0
3
30
50
13
50
13
18
13
5
0
8
0
8
40
25
0
0
0
-
-
50
13
25
-
10
50
-
10000
-
-
10000
37
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
GLT44108
512K ×8 CMOS动态的，快速页模式内存
1999年八月初（ Rev.2.1 ）
60纳秒
分钟。马克斯。单位
110
160
-
-
-
0
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
45
30
0
0
0
-
-
60
15
30
-
13
50
-
10000
-
-
10000
45
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
3,4
3,4
3,4
3
7
2
4
4
8
9
9
10
5
G- LINK技术
2701西北百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ， No.24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-5-
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