摹-LINK
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
产品特点：
262,144字16位的组织。
快速存取时间和周期时间。
双
CAS
输入。
低功耗。
读 - 修改 - 写，
RAS
- 只有刷新，
CAS
-before-
RAS
刷新，隐藏
说明：
该GLT44016是262,144 ×16位
高性能CMOS动态随机
存取存储器。该GLT44016提供快速
页面扩展数据输出模式，
有两个字节写和写WORD
通过两个存取周期
CAS
销。该
GLT44016有对称的地址，
接受512周期刷新的间隔时间为8ms 。
所有输入为TTL兼容。 EDO
页面模式操作允许随机访问
一个页面内，以512 ×16位，具有周期
时间短至10ns的。
该GLT44016最适合
图形和DSP应用要求
高性能的回忆。
刷新和测试模式功能。
每8ms的512刷新周期。
可提供40引脚400密耳SOJ和40/44
引脚TSOP （ II ）
单5.0V ± 10 ％电源。
所有的输入和输出为TTL
兼容。
扩展数据输出（ EDO ）页面模式
操作。
高性能
马克斯。
RAS
访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
25
28
30
35
40
50
25纳秒28纳秒30纳秒35纳秒40纳秒50纳秒
13纳秒13纳秒16纳秒18纳秒20纳秒25纳秒
10纳秒10纳秒12纳秒13纳秒15纳秒20纳秒
45纳秒45纳秒60纳秒65纳秒70纳秒85纳秒
8纳秒
8纳秒
10纳秒11纳秒12纳秒14纳秒
G-联科技股份有限公司
2701Northwestern百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，号24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-1-
摹-LINK
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
引脚配置：
GLT44016
SOJ顶视图
TSOP （类型II）的
顶视图
引脚说明：
名字
A
0
- A
8
RAS
UCAS
LCAS
WE
OE
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通/高字节控制
列地址选通/低字节控制
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
+ 5V电源
地
无连接
DQ
1
- DQ
16
V
CC
V
SS
NC
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美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
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工业园区，新竹，台湾。
-2-
摹-LINK
绝对最大额定值*
工作温度，T
A
（环境）
.......................................- 0 ° C至+ 70°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 150°C
电压相对于V
SS
...............- 1.0V至+ 7.0V
短路输出电流...................... 50毫安
功耗1.0W ......................................
*注：以上操作绝对最大额定值可以
abversely影响器件的可靠性。
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
电容*
T
A
= 25 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
=0V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS
,
LCAS
,
UCAS
,
WE
,
OE
MAX 。 UNIT
5
7
7
pF
pF
pF
数据输入/输出
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试
电气规格
l
l
l
CAS
手段
UCAS
和
LCAS
.
所有电压都参考GND 。
上电后，等待超过100μs的，然后，执行8
CAS
-before-
RAS
or
RAS
- 只
刷新周期作为伪周期来初始化内部电路。
框图：
OE
WE
UCAS
LCAS
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
WE时钟
发电机
OE时钟
发电机
V
CC
V
SS
数据I / O总线
列解码器
刷新
计数器
Y
0
- Y
8
9
A
0
A
1
A
7
A
8
512 × 16
感测放大器
I / O
卜FF器
.
.
地址缓冲器
与预解码
X
0
- x
8
ROW
解码器
512
内存
ARRAY
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
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工业园区，新竹，台湾。
-3-
摹-LINK
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
真值表： GLT44016
功能
STANBY
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早
写）
写：低字节
（早）
写：高字节
（早）
读写
EDO -页面 - 第一个周期
阅读模式的第二个周期
EDO -页面 - 第一个周期
模式写第二个周期
EDO -页面 - 第一个周期
模式读 -
写
隐
刷新
第二个周期
读
写
RAS
- 仅刷新
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CASL
→X
L
L
H
L
L
H
L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
现金
→X
L
H
L
L
H
L
L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
H
L
L
→ L
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
X
X
L-H
地址
高-Z
的DQ
笔记
行/列数据输出
行/列低字节，数据输出
高字节，高Z
行/列低字节，高Z
高位字节，数据输出
行/列数据中
行/列低字节，数据输入
高字节，高Z
行/列低字节，高Z
高位字节，数据输入
行/列数据输出，数据输入
行/列数据输出
COL
数据输出
1,2
1
1
2
2
1,2
行/列数据中
COL
数据在
行/列数据输出，数据输入
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
→ L
L
L
H
L
→ L
L
L
H
L
→ L
H
L
X
X
L-H
L
X
X
X
COL
数据输出，数据输入
1,2
1
2,3
行/列数据输出
行/列数据中
ROW
高-Z
高-Z
CBR刷新
4
注意事项：
1.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
UCAS
or
LCAS
活性） 。
2.这些写周期也可能是字节读周期（无论是
UCAS
or
LCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少一个两个CAS信号必须有效（
UCAS
or
LCAS
).
G-联科技股份有限公司
2701Northwestern百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，号24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-4-
摹-LINK
DC和操作特性（ 1-2）
T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V ，除非另有规定ED 。
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
符号。
I
LI
参数
输入漏电流
（任何输入引脚）
输出漏电流
（为高阻态）
工作电流，
随机读/写
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
5.5V
（不是在所有其他引脚
test=0V)
0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
输出禁止（ HIZ ）
t
RC
= t
RC
（分）
ACCESS
时间
分钟。
-10
典型值
马克斯。单位注
+10
A
I
LO
I
CC1
-10
t
RAC
= 25ns的
t
RAC
= 28ns
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
+10
270
270
250
210
190
170
4
A
mA
1,2
I
CC2
待机电流（ TTL ）
RAS
,
UCAS
,
LCAS
在V
IH
其他投入
≥V
SS
mA
I
CC3
刷新电流，
RAS
骑自行车，
UCAS
,
LCAS
在V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS
- 只
I
CC4
工作电流，
EDO页模式
RAS
在V
IL
,
UCAS
,
LCAS
针对循环：吨
PC
=t
PC
（分）
I
CC5
刷新电流，
RAS
,
UCAS
,
LCAS
针对循环：
t
RC
=t
RC
（分）
CAS
前
RAS
t
RAC
= 25ns的
t
RAC
= 28ns
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 25ns的
t
RAC
= 28ns
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 25ns的
t
RAC
= 28ns
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
270
270
250
210
190
170
270
270
250
210
190
170
270
270
250
210
190
170
2
mA
2
mA
1,2
mA
1
I
CC6
待机电流（ CMOS ）
RAS
≥V
CC
-0.2V,
UCAS
≥V
CC
-0.2V,
LCAS
≥V
CC
-0.2V,
其他所有输入V
SS
mA
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
-1
2.4
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5.0mA
2.4
+0.8
V
CC
+1
0.4
V
V
V
V
3
3
注意事项：
1.I
CC
依赖于输出负载时被选择的设备输出。指定I
CC
（最大）的测量条件为输出开路。
2.I
CC
是依赖于地址转换指定的I数
CC
（最大）的测量是用最多一个过渡的每个地址周期中
随机读/写和EDO快页模式。
3.Specified V
IL
（分钟）是稳定状态的操作。在过渡V
IL
（分钟）可能下冲至-1.0V ，期限不超过20ns的。所有AC
参数测量采用V
IL
（分钟） ≥V
SS
和V
IH
（最大） = V
CC
.
G-联科技股份有限公司
2701Northwestern百汇
美国加州圣克拉拉， 95051 ， U.S.A.
G-菱科技股份有限公司，台湾
6F ，号24-2 ，产业E. RD 。四，基础的科学
工业园区，新竹，台湾。
-5-
摹-LINK
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
产品特点：
262,144字16位的组织。
快速存取时间和周期时间。
双
CAS
输入。
低功耗。
读 - 修改 - 写，
RAS
- 只有刷新，
CAS
-before-
RAS
刷新，隐藏
说明：
该GLT44016是262,144 ×16位
高性能CMOS动态随机
存取存储器。该GLT44016提供快速
页面扩展数据输出模式，
有两个字节写和写WORD
通过两个存取周期
CAS
销。该
GLT44016有对称的地址，
接受512周期刷新的间隔时间为8ms 。
所有输入为TTL兼容。 EDO
页面模式操作允许随机访问
一个页面内，以512 ×16位，具有周期
时间短至10ns的。
该GLT44016最适合
图形和DSP应用要求
高性能的回忆。
刷新和测试模式功能。
每8ms的512刷新周期。
可提供40引脚400密耳SOJ和40/44
引脚TSOP （ II ）
单5.0V ± 10 ％电源。
所有的输入和输出为TTL
兼容。
扩展数据输出（ EDO ）页面模式
操作。
高性能
马克斯。
RAS
访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
25
28
30
35
40
50
25纳秒28纳秒30纳秒35纳秒40纳秒50纳秒
13纳秒13纳秒16纳秒18纳秒20纳秒25纳秒
10纳秒10纳秒12纳秒13纳秒15纳秒20纳秒
45纳秒45纳秒60纳秒65纳秒70纳秒85纳秒
8纳秒
8纳秒
10纳秒11纳秒12纳秒14纳秒
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-1-
摹-LINK
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
引脚配置：
GLT44016
SOJ顶视图
TSOP （类型II）的
顶视图
引脚说明：
名字
A
0
- A
8
RAS
UCAS
LCAS
WE
OE
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通/高字节控制
列地址选通/低字节控制
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
+ 5V电源
地
无连接
DQ
1
- DQ
16
V
CC
V
SS
NC
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-2-
摹-LINK
绝对最大额定值*
工作温度，T
A
（环境）
.......................................- 0 ° C至+ 70°C
存储温度（塑料） ....- 55 ° C至+ 150°C
电压相对于V
SS
...............- 1.0V至+ 7.0V
短路输出电流...................... 50毫安
功耗1.0W ......................................
*注：以上操作绝对最大额定值可以
abversely影响器件的可靠性。
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
电容*
T
A
= 25 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
=0V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS
,
LCAS
,
UCAS
,
WE
,
OE
MAX 。 UNIT
5
7
7
pF
pF
pF
数据输入/输出
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试
电气规格
l
l
l
CAS
手段
UCAS
和
LCAS
.
所有电压都参考GND 。
上电后，等待超过100μs的，然后，执行8
CAS
-before-
RAS
or
RAS
- 只
刷新周期作为伪周期来初始化内部电路。
框图：
OE
WE
UCAS
LCAS
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
WE时钟
发电机
OE时钟
发电机
V
CC
V
SS
数据I / O总线
列解码器
刷新
计数器
Y
0
- Y
8
9
A
0
A
1
A
7
A
8
512 × 16
感测放大器
I / O
卜FF器
.
.
地址缓冲器
与预解码
X
0
- x
8
ROW
解码器
512
内存
ARRAY
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
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工业园区，新竹，台湾。
-3-
摹-LINK
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
真值表： GLT44016
功能
STANBY
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早
写）
写：低字节
（早）
写：高字节
（早）
读写
EDO -页面 - 第一个周期
阅读模式的第二个周期
EDO -页面 - 第一个周期
模式写第二个周期
EDO -页面 - 第一个周期
模式读 -
写
隐
刷新
第二个周期
读
写
RAS
- 仅刷新
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CASL
→X
L
L
H
L
L
H
L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
现金
→X
L
H
L
L
H
L
L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
H
L
L
→ L
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
X
X
L-H
地址
高-Z
的DQ
笔记
行/列数据输出
行/列低字节，数据输出
高字节，高Z
行/列低字节，高Z
高位字节，数据输出
行/列数据中
行/列低字节，数据输入
高字节，高Z
行/列低字节，高Z
高位字节，数据输入
行/列数据输出，数据输入
行/列数据输出
COL
数据输出
1,2
1
1
2
2
1,2
行/列数据中
COL
数据在
行/列数据输出，数据输入
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
→ L
L
L
H
L
→ L
L
L
H
L
→ L
H
L
X
X
L-H
L
X
X
X
COL
数据输出，数据输入
1,2
1
2,3
行/列数据输出
行/列数据中
ROW
高-Z
高-Z
CBR刷新
4
注意事项：
1.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
UCAS
or
LCAS
活性） 。
2.这些写周期也可能是字节读周期（无论是
UCAS
or
LCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少一个两个CAS信号必须有效（
UCAS
or
LCAS
).
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工业园区，新竹，台湾。
-4-
摹-LINK
DC和操作特性（ 1-2）
T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V ，除非另有规定ED 。
GLT44016
256K ×16的CMOS动态的，扩展数据输出内存
八月， 2000 （ Rev.3.1 ）
符号。
I
LI
参数
输入漏电流
（任何输入引脚）
输出漏电流
（为高阻态）
工作电流，
随机读/写
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
5.5V
（不是在所有其他引脚
test=0V)
0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
输出禁止（ HIZ ）
t
RC
= t
RC
（分）
ACCESS
时间
分钟。
-10
典型值
马克斯。单位注
+10
A
I
LO
I
CC1
-10
t
RAC
= 25ns的
t
RAC
= 28ns
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
+10
270
270
250
210
190
170
4
A
mA
1,2
I
CC2
待机电流（ TTL ）
RAS
,
UCAS
,
LCAS
在V
IH
其他投入
≥V
SS
mA
I
CC3
刷新电流，
RAS
骑自行车，
UCAS
,
LCAS
在V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS
- 只
I
CC4
工作电流，
EDO页模式
RAS
在V
IL
,
UCAS
,
LCAS
针对循环：吨
PC
=t
PC
（分）
I
CC5
刷新电流，
RAS
,
UCAS
,
LCAS
针对循环：
t
RC
=t
RC
（分）
CAS
前
RAS
t
RAC
= 25ns的
t
RAC
= 28ns
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 25ns的
t
RAC
= 28ns
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
t
RAC
= 25ns的
t
RAC
= 28ns
t
RAC
= 30ns的
t
RAC
= 35ns的
t
RAC
= 40ns的
t
RAC
= 50ns的
270
270
250
210
190
170
270
270
250
210
190
170
270
270
250
210
190
170
2
mA
2
mA
1,2
mA
1
I
CC6
待机电流（ CMOS ）
RAS
≥V
CC
-0.2V,
UCAS
≥V
CC
-0.2V,
LCAS
≥V
CC
-0.2V,
其他所有输入V
SS
mA
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
-1
2.4
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5.0mA
2.4
+0.8
V
CC
+1
0.4
V
V
V
V
3
3
注意事项：
1.I
CC
依赖于输出负载时被选择的设备输出。指定I
CC
（最大）的测量条件为输出开路。
2.I
CC
是依赖于地址转换指定的I数
CC
（最大）的测量是用最多一个过渡的每个地址周期中
随机读/写和EDO快页模式。
3.Specified V
IL
（分钟）是稳定状态的操作。在过渡V
IL
（分钟）可能下冲至-1.0V ，期限不超过20ns的。所有AC
参数测量采用V
IL
（分钟） ≥V
SS
和V
IH
（最大） = V
CC
.
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