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颁发日期: 2005年5月6日
修订日期:
G
I
8050
描述
特点
NPN外延型晶体管
对G
I
8050被设计用于在便携式无线电设备中的B类推挽操作2W输出放大器使用。
*高集电极电流( IC : 1.5A )
*补充至G
I
8550
包装尺寸
TO-251
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
7.20
7.80
2.30 REF 。
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0.45
0.60
0.90
1.50
5.40
5.80
绝对最大额定值
( TA = 25 :
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
基极电流
结温
储存温度
总功耗
中,除非另有规定)
符号
评级
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
Tj
Ts
TG
P
D
40
25
6
1.5
0.5
+150
-55 ~ +150
1.25
单位
V
V
V
A
A
:
:
W
电气特性
(等级25 :
符号
分钟。
典型值。
环境温度,除非另有规定)
单位
测试条件
马克斯。
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
fT
COB
40
25
6
-
-
-
-
-
45
120
40
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
100
100
0.5
1.2
1.0
-
500
-
-
-
V
V
V
nA
nA
V
V
V
兆赫
pF
I
C
=100uA
I
C
=2mA
I
E
=100uA
V
CB
=35V
V
BE
=6V
l
C
= 800毫安,我
B
=80mA
l
C
= 800毫安,我
B
=80mA
V
CE
= 1V ,我
C
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
=5mA
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 1V ,我
C
=800mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
分类h及
FE
2
范围
C
120 ~ 200
D
160 ~ 300
E
250 ~ 500
G
I
8050
页次: 1/2
颁发日期: 2005年5月6日
修订日期:
特性曲线
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 4传真: 86-21-38950165
G
I
8050
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联系人:刘先生
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