无铅电镀产品
颁发日期： 2005年8月30日
修订日期：
GE730
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
400V
1.0
5.5A
本GE730提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
该TO- 220普遍首选的所有商业工业应用。该装置适合于开关
模式电源，DC - AC转换器和大电流高速开关电路。
*动态的dv / dt额定值
*额定重复性雪崩
*简单的驱动要求
*快速切换
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
b
c
D
E
L4
L5
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.80
0.76
1.00
0.36
0.50
8.60
9.00
9.80
10.4
14.7
15.3
6.20
6.60
REF 。
c1
b1
L
e
L1
A1
毫米
分钟。
马克斯。
1.25
1.45
1.17
1.47
13.25
14.25
2.54 REF 。
2.60
2.89
3.71
3.96
2.60
2.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
E
AS
I
AR
E
AR
TJ ， TSTG
评级
400
f 30
5.5
3.5
23
74
0.59
260
5.5
7
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
1.7
62
单位
/W
/W
GE730
页： 1/5
颁发日期： 2005年8月30日
修订日期：
图13.开关时间电路
图14.开关时间波形
图15.栅极电荷电路
图16.栅极电荷波形
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
GE730
页页次：5/5
QQ：2881677436 复制
