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GB75YF120UT
日前，Vishay高功率产品
IGBT Fourpack模块， 75A的
特点
广场RBSOA
HEXFRED
低Q
rr
低开关能量
正V
CE （ON）的
温度COEF网络cient
铜底板
低杂散电感设计
ECONO2 4PACK
速度8 kHz至60 kHz的
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
产品概述
V
CES
I
C
在T
C
= 67 °C
V
CE （ON）的
（典型值）
1200 V
75 A
3.4 V
基准效率，特别是开关电源升值
高频焊接
坚固的瞬态性能
低EMI，需要较少的冷落
直接安装到散热器节省空间
PCB焊端子
超低的结到外壳热阻
绝对最大额定值
参数
集电极到发射极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
见图。 C.T.5
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门到发射极电压
最大功率耗散（ IGBT ）
最大工作结温
存储温度范围
隔离电压
符号
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
I
F
I
FM
V
GE
P
D
T
J
T
英镑
V
ISOL
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
测试条件
马克斯。
1200
100
67
200
200
60
40
150
± 20
480
270
150
- 40至+ 125
交流2500（ MIN）的
V
W
A
单位
V
°C
V
文档编号： 93172
修订： 13 -JAN- 10
如有技术问题，请联系：
indmodules@vishay.com
www.vishay.com
1
GB75YF120UT
日前，Vishay高功率产品
IGBT Fourpack模块， 75A的
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极到发射极击穿电压
符号
V
BR （CES）上
测试条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 500 μA
I
C
= 75 A，V
GE
= 15 V
集电极到发射极电压
V
CE （ON）的
I
C
= 100 A，V
GE
= 15 V
I
C
= 75 A，V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 °C
I
C
= 100 A，V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 °C
栅极阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
ΔV
GE （日）
/ΔT
J
I
CES
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1 MA（ 25 ° C至125°C ）
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 1200 V ，T
J
= 125 °C
I
F
= 75 A
二极管的正向压降
V
FM
I
F
= 100 A
I
F
= 75 A，T
J
= 125 °C
I
F
= 100 A，T
J
= 125 °C
门到发射极漏电流
I
GES
V
GE
= ± 20 V
分钟。
1200
-
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
3.4
3.8
4.0
4.53
5.0
- 11
7
580
3.7
4.1
3.7
4.2
-
马克斯。
-
4.0
4.5
4.5
5.1
6.0
-
250
2000
4.9
5.5
5.1
5.7
± 200
nA
V
毫伏/°C的
μA
V
单位
开关特性
（T = 25° C除非另有说明）
参数
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
门到集电极电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
反向偏置安全工作区
符号
Q
G
Q
GE
Q
GC
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
RBSOA
T
J
= 150 C ，我
C
= 200 A
R
g
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V至0 V
T
J
= 150 °C
V
CC
= 900 V, V
P
= 1200 V
R
g
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V至0 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
CC
= 200 V
I
F
= 50 A
的di / dt = 10A / μs的
10
-
-
-
-
-
-
I
C
= 75 A，V
CC
= 600 V
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5
Ω,
L = 500 μH
T
J
= 125 °C
测试条件
I
C
= 75 A
V
CC
= 600 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 75 A，V
CC
= 600 V
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5
Ω,
L = 500 μH
T
J
= 25 °C
(1)
I
C
= 75 A，V
CC
= 600 V
V
GE
= 15 V ，R
g
= 5
Ω,
L = 500 μH
T
J
= 125 °C
(1)
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
630
65
250
1.74
1.46
3.20
2.44
2.35
4.79
268
43
308
127
Fullsquare
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
mJ
nC
单位
短路安全工作区
SCSOA
-
13
19
132
200
858
1900
-
18
23
189
270
1700
3105
μs
二极管的峰值反向恢复电流
I
rr
t
rr
Q
rr
A
二极管的反向恢复时间
ns
总的反向恢复电荷
nC
记
(1)
能源损失包括“尾巴”和二极管反向恢复
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文档编号： 93172
修订： 13 -JAN- 10
GB75YF120UT
IGBT Fourpack模块， 75A的
日前，Vishay高功率产品
热敏电阻电气特性
（T = 25 ° C除非另有说明）
参数
阻力
B值
符号
R
25
B
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C/50 °C
测试条件
分钟。
4538
468.6
3307
典型值。
5000
493.3
3375
马克斯。
5495
518
3443
单位
Ω
°K
热和机械规格
参数
结到管壳IGBT
结到外壳二极管
案例下沉，扁平，脂面
安装扭矩（ M5 ）
重量
符号
R
thJC
（IGBT）
R
thJC
（二极管）
R
乡镇卫生院
（模块）
分钟。
-
-
-
2.7
-
典型值。
-
-
0.02
-
170
马克斯。
0.26
0.56
-
3.3
-
Nm
g
° C / W
单位
160
140
1000
100
120
T
C
(°C)
100
80
60
40
10
IC （ A）
0
20
40
60
80
100
120
1
0.1
20
0
0.01
1
10
100
1000
10000
I
C
(A)
V
CE
(V)
图。 1 - 最大直流电集电极电流 -
外壳温度
500
1000
图。 3 - 正向SOA
T
C
= 25°C ;吨
J
≤
150 °C
400
100
P
D
(W)
300
200
10
100
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
I
C
(A)
1
10
100
1000
10000
T
C
(°C)
V
CE
(V)
图。 2 - 功耗对比外壳温度
图。 4 - 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
= 15 V
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日前，Vishay高功率产品
IGBT Fourpack模块， 75A的
160
140
120
100
20
18
16
14
ICE = 75A
ICE = 50A
ICE = 25A
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 9V
I
CE
(A)
V
CE
(V)
12
10
8
6
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
4
2
0
7
9
11
13
15
17
19
V
CE
(V)
V
GE
(V)
图。 5 - 典型的IGBT输出特性
T
J
= 25°C ;吨
p
= 500 μs
160
140
120
100
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 9V
20
18
16
14
图。 8 - 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25 °C
ICE = 75A
ICE = 50A
ICE = 25A
V
CE
(V)
I
CE
(A)
12
10
8
6
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
4
2
0
7
9
11
13
15
17
19
V
CE
(V)
V
GE
(V)
图。 6 - 典型的IGBT输出特性
T
J
= 125°C ;吨
p
= 500 μs
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
图。 9 - 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 125 °C
300
250
200
TJ = 25°C
TJ = 125°C
I
CE
(A)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F
(A)
150
100
50
0
5
6
7
8
9
10
11
12
V
F
(V)
V
GE
(V)
图。 7 - 典型的二极管正向特性
t
p
= 500 μs
图。 10 - 典型的传输特性
V
CE
= 20V;牛逼
p
= 500 μs
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IGBT Fourpack模块， 75A的
日前，Vishay高功率产品
1
1000
tdoff
TJ = 125°C
0.1
切换时间（纳秒）
I
CES
（MA ）
Tdon
100
tF
0.01
tR
TJ = 25°C
0.001
400
600
800
1000
1200
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CES
(V)
I
C
(A)
图。 11 - 典型的零门极电压集电极电流
图。 14 - 典型的开关时间与我
C
T
J
= 125°C ; L = 500 μH ; V
CC
= 600 V ，R
g
= 5
Ω;
V
GE
= 15 V
14000
12000
5.5
5
4.5
TJ = 25°C
10000
4
3.5
3
2.5
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
TJ = 125°C
能量（ μJ ）
V
Geth的
(V)
8000
6000
4000
2000
0
0
10
宙
EOFF
20
30
40
50
I
C
（MA ）
R
G
(Ω)
图。 12 - 典型的阈值电压
图。 15 - 典型的能量损失与
g
T
J
= 125°C ; L = 500 μH ; V
CC
= 600 V，I
C
= 75 A; V
GE
= 15 V
10000
2500
2000
切换时间（纳秒）
能量（ μJ ）
1000
宙
EOFF
1500
tdoff
Tdon
tF
100
tR
1000
30
40
50
60
70
80
10
0
10
20
30
40
50
I
C
(A)
R
G
(Ω)
图。 13 - 典型的能量损失与我
C
T
J
= 125°C ; L = 500 μH ; V
CC
= 600 V ，R
g
= 5
Ω;
V
GE
= 15 V
图。 16 - 典型的开关时间与
g
T
J
= 125°C ; L = 500 μH ; V
CC
= 600 V，I
C
= 75 A; V
GE
= 15 V
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GS9000DCTJE3
G2E120-AR54-43
GRM0225C1C2R8BD05L
GDA-500MA
GRM155R61A105ME15
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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