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NPN硅平面

中功率晶体管

第1期？九月93

特点

* 30伏V

首席执行官

* 1安培连续电流

* P

合计

= 1瓦

FXT449

B

C

E

详阅ZTX449关于图

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

50

30

5

2

1

1

电子线

TO92兼容

价值

单位

V

V

V

A

A

W

°C

-55到+200

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

分钟。

50

30

5

0.1

10

0.1

0.5

1

1.25

1

70

100

80

40

150

15

3-30

300

兆赫

pF

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=100

A，I

E

=0

I

C

= 10毫安，我

B

=0*

I

E

=100

A，I

C

=0

V

CB

=40V

V

CB

= 40V ，T

AMB

=100°C

V

EB

= 4V ，我

C

=0

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 2A ，我

B

=200mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

IC=1A,V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=2V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

集电极截止电流I

CBO

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态正向电流

传输比

过渡

频率

输出电容

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

V

V

V

V

f

T

C

敖包

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

NPN硅平面

中功率晶体管

第1期？九月93

特点

* 30伏V

首席执行官

* 1安培连续电流

* P

合计

= 1瓦

FXT449

B

C

E

详阅ZTX449关于图

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

50

30

5

2

1

1

电子线

TO92兼容

价值

单位

V

V

V

A

A

W

°C

-55到+200

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

分钟。

50

30

5

0.1

10

0.1

0.5

1

1.25

1

70

100

80

40

150

15

3-30

300

兆赫

pF

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=100

A，I

E

=0

I

C

= 10毫安，我

B

=0*

I

E

=100

A，I

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=0

V

CB

=40V

V

CB

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= 4V ，我

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=0

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C

= 2A ，我

B

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I

C

= 1A ，我

B

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CE

=2V*

I

C

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CE

=2V*

I

C

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C

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CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

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C

= 50mA时V

CE

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f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

集电极截止电流I

CBO

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态正向电流

传输比

过渡

频率

输出电容

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

V

V

V

V

f

T

C

敖包

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

NPN硅平面

中功率晶体管

第1期？九月93

特点

* 30伏V

首席执行官

* 1安培连续电流

* P

合计

= 1瓦

FXT449

B

C

E

详阅ZTX449关于图

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

50

30

5

2

1

1

电子线

TO92兼容

价值

单位

V

V

V

A

A

W

°C

-55到+200

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

分钟。

50

30

5

0.1

10

0.1

0.5

1

1.25

1

70

100

80

40

150

15

3-30

300

兆赫

pF

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=100

A，I

E

=0

I

C

= 10毫安，我

B

=0*

I

E

=100

A，I

C

=0

V

CB

=40V

V

CB

= 40V ，T

AMB

=100°C

V

EB

= 4V ，我

C

=0

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 2A ，我

B

=200mA*

I

C

= 1A ，我

B

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IC=1A,V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=2V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

集电极截止电流I

CBO

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态正向电流

传输比

过渡

频率

输出电容

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

V

V

V

V

f

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秒。占空比

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