订购数量： ENN6429
N沟道MOSFET硅
FTD2005
超高速开关应用
特点
·低导通电阻。
· 2.5V驱动器。
·安装高度1.1毫米。
·复合型，促进高密度安装。
包装尺寸
单位：mm
2155A
[FTD2005]
0.65
8
0.95
3.0
5
0.425
4.5
6.4
1
0.25
4
(0.95)
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
条件
评级
20
±10
1
4
0.8
1.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
安装在陶瓷板（千毫米
2
×0.8mm)
1unit
安装在陶瓷板（千毫米
2
×0.8mm)
0.1
特定网络阳离子
1.0
0.5
1 ： Drain1
2 ：源1
3 ：源1
0.125
4 ： GATE1
5 ： GATE2
6 ：源2
7 ：源2
8 ： Drain2
三洋： TSSOP8
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 20V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ， ID = 1A
ID = 1A ， VGS = 4V
ID = 0.5A ， VGS = 2.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
0.4
1.8
2.6
200
260
90
60
28
260
360
条件
评级
民
20
10
±10
1.3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
标记： D2005
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
30300TS （ KOTO ） TA- 2054 No.6429-1 / 4
FTD2005
从接下页。
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷"Miller"
二极管的正向电压
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 1A ， VGS = 0
VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 1A
条件
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
评级
民
典型值
10
22
20
19
6
1
2
1.0
1.2
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD=10V
4V
0V
VIN
VIN
电气连接
D2 S2 S2 G2
ID=1A
RL=10
PW=10s
D.C.≤1%
D
G
VOUT
P.G
50
S
FTD2005
D1 S1 S1 G1
2.0
1.8
1.6
ID - VDS
8.0V
2.0
1.8
ID - VGS
VDS=10V
V
3.
0V
6.0V
4.0
漏极电流ID -
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.1
0V
2.0V
漏极电流ID -
V
2.5
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10.
VGS=1.5V
75
°
0.4
0.2
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.5
1.0
25
°
C
TA
--2
1.5
5
°
C
2.0
C
2.5
3.0
IT00978
漏极至源极电压VDS - V
500
IT00977
500
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS （ ON） - VGS
Ta=25°C
RDS （ ON） - TA
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
400
350
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
450
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0A
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ID=0.5A
V
=2.5
， VGS
.5A
V
I D = 0
=4.0
A， VGS
.0
I D = 1
栅极 - 源极电压VGS - V
IT00979
环境温度，钽 -
°C
IT00980
No.6429-2/4
FTD2005
10
y
fs - ID
VDS=10V
正向转移导纳， | YFS | - S
7
5
10
7
5
3
2
IF - 室间隔缺损
VGS = 0
正向电流IF - 一个
3
2
25
°
C
1.0
7
5
3
2
Ta
25
=--
75
°
C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
°
C
0.1
0.01
0.001
2
3
5
漏极电流ID -
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
0
0.3
Ta=7
5
°
C
2 5
°
C
--25
°
C
0.6
0.9
0.01
7
5
3
2
1.2
1.5
IT00982
IT00981
1000
二极管的正向电压， VSD - V
100
7
SW时间 - ID
VDD=10V
VGS=4V
tr
TD （关闭）
TD （上）
西塞，科斯，的Crss - VDS
f=1MHz
7
5
切换时间， SW时间 - NS
5
3
2
tf
西塞，科斯，的Crss - pF的
3
2
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
西塞
科斯
CRSS
1.0
0.1
2
3
5
7
10
漏极电流ID -
1.0
2
3
IT00983
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
漏极至源极电压VDS - V
IT00984
10
9
VGS - 的Qg
VDS=10V
ID=1A
漏极电流ID -
ASO
IDP=4A
10
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
IT00985
ID=1A
DC
op
10
0
ERA
1m
ms
s
100s
ms
TIO
n
在这一领域是
受限于RDS （ ON） 。
Ta=25°C
单脉冲
1个单位
2
3
总栅极电荷QG - 数控
1.2
0.01
0.1
安装在陶瓷板（千毫米
2
×0.8mm)
5
漏极至源极电压VDS - V
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
IT00986
安装在陶瓷板（千毫米
×0.8mm)
2
允许功耗（ FET1 ） ， PD - 含
PD - TA
1.0
PD （ FET1 ） - PD （ FET 2 ）
M
ou
允许功耗， PD - 含
1.0
0.8
NTE
0.8
To
do
na
TAL
0.6
Di
ss
ip
a
0.6
ce
内存
ic
bo
a
1u
0.4
TIO
n
rd
(1
0
NIT
0.4
00
mm
0.2
0.2
2
×
0
.8m
m)
0
0
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度，钽 -
°C
40
60
80
100
120
140
160
IT00987
允许功耗（ FET 2 ） ， PD - 含
IT00988
No.6429-3/4
FTD2005
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特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
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三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
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PS No.6429-4 / 4
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