添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第414页 > FDP8874
FDP8874
2004年11月
FDP8874
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 114A ， 5.3mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
r
DS （ ON）
= 5.3mΩ V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
,
r
DS （ ON）
= 6.6mΩ V
GS
= 4.5V ，我
D
= 40A
,
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅极电荷
应用
DC / DC转换
高功率和电流处理能力
漏
（法兰）
D
来源
漏
门
G
S
TO-220AB
FDP系列
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述
25
o
C
工作和存储温度
25
o
C,
V
GS
= 4.5V ）（注1）
V
GS
= 10V ，其中R
θJA
=
62
o
C / W ）
连续（T
AMB
=
25
o
C,
114
102
16
图4
105
110
0.73
-55至175
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
参数
评级
30
±20
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳TO- 220
热阻结到环境TO- 220 （注3 ）
1.36
62
o
o
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDP8874
FDP8874
设备
FDP8874
FDP8874_NL （注4 ）
包
TO-220AB
TO-220AB
带尺寸
管
管
胶带宽度
不适用
不适用
QUANTITY
50个单位
50个单位
2004仙童半导体公司
FDP8874牧师A2
FDP8874
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 40A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 40A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 40A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
2.5
V
0.0036 0.0053
0.0045 0.0066
0.0062 0.0090
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 40A
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 4.7
-
-
-
-
-
10
128
44
31
-
207
-
-
-
-
112
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 40A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3130
590
345
1.9
56
30
3.0
9.0
6.0
11
-
-
-
-
72
38
4.0
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 40A
I
SD
= 20A
I
SD
= 40A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 40A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
32
18
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为80A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 51uH ，我
AS
= 64A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲宽度= 100秒。
4:
FDP8874_NL是无铅产品。 FDP8874_NL标志将出现在标签上。
2004仙童半导体公司
FDP8874牧师A2
FDP8874
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
功耗乘法器
125
电流限制
按封装
1.0
I
D
，漏电流（ A）
100
0.8
75
V
GS
= 4.5V
50
V
GS
= 10V
0.6
0.4
0.2
25
0
0
25
50
75
100
125
(
o
C)
150
175
T
C
，外壳温度
0
25
50
75
100
125
o
150
175
T
C
，外壳温度（ C）
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 4.5V
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 10V
100
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2004仙童半导体公司
FDP8874牧师A2
FDP8874
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
10s
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
10
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
起始物为
J
= 25
o
C
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
10
起始物为
J
= 150
o
C
1ms
10ms
DC
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
图5.正向偏置安全工作区
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
160
160
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
120
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
120
V
GS
= 10V
80
80
T
J
= 25
o
C
40
T
J
= 175
o
C
T
J
= -55
o
C
V
GS
= 3V
40
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
12
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 40A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6
1.4
8
1.2
6
I
D
= 1A
4
1.0
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2004仙童半导体公司
FDP8874牧师A2
FDP8874
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
1.10
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温
T
J
，结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
5000
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
DD
= 15V
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
C
OSS
C
DS
+ C
GD
1000
C
RSS
=
C
GD
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 40A
I
D
= 1A
0
10
20
30
40
Q
g
，栅极电荷（ NC）
50
60
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
100
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
栅电流
2004仙童半导体公司
FDP8874牧师A2
FDP8874
N
2008年5月
FDP8874
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 114A ， 5.3mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
TMM
特点
r
DS （ ON）
= 5.3mΩ V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
,
,
r
DS （ ON）
= 6.6mΩ V
GS
= 4.5V ，我
D
= 40A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅极电荷
应用
DC / DC转换
高功率和电流处理能力
符合RoHS
（法兰）
漏
D
来源
漏
门
G
S
TO-220AB
FDP系列
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述
25
o
C
工作和存储温度
25
o
C,
V
GS
= 4.5V ）（注1）
V
GS
= 10V ，其中R
θJA
=
62
o
C / W ）
连续（T
AMB
=
25
o
C,
114
102
16
图4
105
110
0.73
-55至175
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
参数
评级
30
±20
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳TO- 220
热阻结到环境TO- 220 （注3 ）
1.36
62
o
o
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDP8874
设备
FDP8874
包
TO-220AB
带尺寸
管
胶带宽度
不适用
QUANTITY
50个单位
2008飞兆半导体公司
FDP8874牧师A3
FDP8874
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 40A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 40A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 40A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
2.5
V
0.0036 0.0053
0.0045 0.0066
0.0062 0.0090
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 40A
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 4.7
-
-
-
-
-
10
128
44
31
-
207
-
-
-
-
112
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 40A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3130
590
345
1.9
56
30
3.0
9.0
6.0
11
-
-
-
-
72
38
4.0
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 40A
I
SD
= 20A
I
SD
= 40A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 40A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
32
18
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为80A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 51uH ，我
AS
= 64A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲宽度= 100秒。
4
2008飞兆半导体公司
FDP8874牧师A3
FDP8874
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
功耗乘法器
125
电流限制
按封装
1.0
I
D
，漏电流（ A）
100
0.8
75
V
GS
= 4.5V
50
V
GS
= 10V
0.6
0.4
0.2
25
0
0
25
50
75
100
125
(
o
C)
150
175
T
C
，外壳温度
0
25
50
75
100
125
o
150
175
T
C
，外壳温度（ C）
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 4.5V
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 10V
100
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2008飞兆半导体公司
FDP8874牧师A3
FDP8874
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
10s
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
10
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
起始物为
J
= 25
o
C
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
10
起始物为
J
= 150
o
C
1ms
10ms
DC
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
图5.正向偏置安全工作区
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
160
160
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
120
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
120
V
GS
= 10V
80
80
T
J
= 25
o
C
40
T
J
= 175
o
C
T
J
= -55
o
C
V
GS
= 3V
40
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
12
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 40A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6
1.4
8
1.2
6
I
D
= 1A
4
1.0
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2008飞兆半导体公司
FDP8874牧师A3
FDP8874
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
1.10
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温
T
J
，结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
5000
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
DD
= 15V
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
C
OSS
C
DS
+ C
GD
1000
C
RSS
=
C
GD
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 40A
I
D
= 1A
0
10
20
30
40
Q
g
，栅极电荷（ NC）
50
60
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
100
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
栅电流
2008飞兆半导体公司
FDP8874牧师A3
查看更多FDP8874PDF信息
推荐型号
FB2021
FST32253QSC
FAIXE972MTEA4
FN4A4Z
FTR-H1AA048T
FS7VS-5
FTD2005
FS7VS5
FPF1007
FDD05-05S0
FU-653SEA-W13F
FDS4410
FDP8030L
FX4A3-52S-1.27SV
F3F90HVX2
FP6607-9
FRG1400-16
FDD7N20TF
FS6131-01
FGH40N60UFD
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDP8874
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市百域芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004264855 复制

电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
FDP8874
FAIRCHILD/仙童
24+
30000
原装正品，可含税供应。品质保障
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-82865294/82517859
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
FDP8874
NXP/恩智浦
24+
98000
TO-220
假一罚十，原装进口正品现货供应，只做原装
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
FDP8874
FSC/正品
15+
27600
TO-220
原装进口正品房间现货热卖
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
FDP8874
ON
2025+
26820
TO-220AB
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
FDP8874
NXP/恩智浦
2018+
139090
TO-220
全新原装15818663367
深圳市格雷迪电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004005668 复制 点击这里给我发消息 QQ：962143175 复制

电话：15914072177
联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
FDP8874
FAIRCHILD/仙童
24+
32883
TO220
公司现货，全新原厂原装正品！
深圳思诺康科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1046649961 复制 点击这里给我发消息 QQ：865326994 复制 点击这里给我发消息 QQ：920682673 复制
电话：0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人：李先生
地址：深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
FDP8874
ON
1945
525
原装
优势库存，实单来谈
深圳市科雨电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：97877807 复制

电话：171-4755-1968（微信同号）
联系人：周小姐171-4755-196微信同号，无线联通更快捷！8
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
FDP8874
ON
24+
3675
TO-220
17￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:17元
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
FDP8874
onsemi
24+
10000
TO-220-3
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
FDP8874
FAIRCHILD/仙童
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
查询更多FDP8874供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！