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订购数量: EN8741
FTD1028
三洋半导体
数据表
P沟道MOSFET硅
FTD1028
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
2.5V驱动器。
安装高度1.1毫米。
复合型,促进高密度安装。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
安装在陶瓷板(千毫米
!0.8mm)
1unit
2
条件
评级
--20
±10
--3
--15
0.8
1.0
150
--55到150
2
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
安装在陶瓷板(千毫米
!0.8mm)
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0V
VDS = -
-20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = -
-10V , ID = - 1毫安
VDS = -
-10V ,ID = -
-2A
ID = - 2A , VGS = -
-4V
ID = - 1A , VGS = -
-2.5V
VDS = -
-10V , F = 1MHz的
VDS = -
-10V , F = 1MHz的
VDS = -
-10V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
--20
--1
±10
--0.4
3.8
6.3
55
81
900
125
115
16
54
107
82
77
113
--1.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记: D1028
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性,如生命支持系统的应用,
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前,
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数)
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
92706PE MS IM TC- 00000216 No.8741-1 / 4
FTD1028
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 10V , VGS = -
-4V ,ID = -
-3A
VDS = - 10V , VGS = -
-4V ,ID = -
-3A
VDS = - 10V , VGS = -
-4V ,ID = -
-3A
IS = - 3A , VGS = 0V
评级
典型值
9.3
2.5
1.9
--0.84
--1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7006A-002
电气连接
8
0.95
7
6
5
3.0
0.125
8
5
0.5
1
0.95
4
0.25
0.65
0.05
1.0
1 : Drain1
2 :源1
3 :源1
4 : GATE1
5 : GATE2
6 :源2
7 :源2
8 : Drain2
三洋: TSSOP8
1 : Drain1
2 :源1
3 :源1
4 : GATE1
5 : GATE2
6 :源2
7 :源2
8 : Drain2
1
2
3
4
6.4
4.5
顶视图
开关时间测试电路
VIN
0V
--4V
VIN
ID = --2A
RL=5
VDD = --10V
0.425
D
PW=10s
D.C.≤1%
VOUT
G
FTD1028
P.G
50
S
No.8741-2/4
FTD1028
--3.5
ID - VDS
--8.
--10.0V 0V
--6.0V
--4.0
V
--3.0
V
--2.
5V
--3.5
ID - VGS
VDS = --10V
--3.0
.0V
--2
--3.0
漏极电流ID -
--2.5
漏极电流ID -
--2.5
--2.0
--1.5V
--2.0
--1.5
--1.5
C
--1.0
--1.0
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
VGS = --1.0V
--0.5
--0.6
--0.7
--0.5
0
0
--0.5
--1.0
25
°
--1.5
C
--25
°
C
Ta=7
5
°
--2.0
--2.5
IT08666
漏极至源极电压VDS - V
140
IT08665
140
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS ( ON) - TA
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
120
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
120
100
ID = --1A --2A
100
80
80
--1
I D =
A
= --2
VGS
,
.5V
60
60
40
40
V
= --4.0
A,V GS
2
I D = -
--4.5V
V GS =
2A,
I D = -
20
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
IT08667
20
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
正向转移导纳,
y
fs - S
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
--0.001 2 3
5 7
--0.01 2 3
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
y
fs - ID
25
环境温度,钽 -
°C
7
5
3
2
IT08668
IS - VSD
VGS=0V
VDS = --10V
°
C
源出电流,是 - 个
=
Ta
--2
C
5
°
--1.0
7
5
3
2
°
C
75
5
°
C
25
°
C
--0.6
3
2
--0.01
7
5
3
2
5 7 --10
IT08669
--0.001
--0.3
--0.4
--0.5
TA
7
--0.7
--25
°
C
--0.8
--0.1
7
5
--0.9
--1.0
--1.1
漏极电流ID -
1000
7
5
SW时间 - ID
VDD = --10V
VGS = --4V
西塞,科斯,的Crss - pF的
5
3
2
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
二极管的正向电压, VSD - V
IT08670
切换时间, SW时间 - NS
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
--0.01
TD (关闭)
1000
7
5
3
2
西塞
tf
TD (上)
tr
科斯
100
7
5
3
CRSS
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
漏极电流ID -
5 7 --10
IT08671
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
IT08672
漏极至源极电压VDS - V
No.8741-3/4
FTD1028
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS - 的Qg
VDS = --10V
ID = --3.5A
漏极电流ID -
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = --15A
PW≤10s
栅极 - 源极电压VGS - V
1m
ID = --3A
s
10
0
s
DC
10
0m
10
ms
op
s
ERA
TIO
n(
Ta
=
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
25
°
C
)
--0.01
--0.01
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板(千毫米
2
!0.8mm)
1unt
2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10
总栅极电荷QG - 数控
1.2
IT08673
PD - TA
安装在陶瓷板(千毫米
2
!0.8mm)
漏极至源极电压VDS - V
2 3
IT11555
允许功耗, PD - 含
1.0
0.8
To
t
0.6
al
D
国际空间站
ip
ATI
o
0.4
1u
NIT
n
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT11556
注意使用情况:由于FTD1028是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范,并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,
并且不保证的性能,特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状,并指出不能
在一个独立的设备进行评估,客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障
可能引起事故或事件,危及人的生命,这可能会引起冒烟或
火,或可能造成损害的其他财产。在设计产品时,必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计,多余的设计和结构设计,电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品(包括技术数据和服务)
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规,控制,
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式,包括电子
或机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,没有三洋半导体有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为三洋半导体产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。三洋半导体相信本文资料是准确的
并对其使用在任何违反可靠,但不保证作出或暗示的保证
知识产权或其它第三方权利。
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更改,恕不另行通知。
PS No.8741-4 / 4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FTD1028
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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