1997年8月
FDV304P
数字场效应晶体管， P沟道
概述
此P沟道增强型场效应晶体管是
采用飞兆半导体专有的，高密度， DMOS生产
技术。这非常高密度的过程是针对减少
导通电阻低门极驱动条件。该装置是
特别适用于电池供电的应用而设计的应用
诸如笔记本电脑和移动电话。该装置
具有优异的导通状态电阻，即使在栅极驱动电压为
低到2.5伏。
特点
-25 V， -0.46一个连续的， -1.5 A峰值。
R
DS （ ON）
= 1.1
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 1.5
@ V
GS
= -2.7 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.5V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6kV人体模型
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
SOT-23
马克： 304
SuperSOT -6
TM
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDV304P
-25
-8
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
-0.46
-1.5
0.35
-55到150
6.0
最大功率耗散
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）
W
°C
kV
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
357
° C / W
1997仙童半导体公司
FDV304P Rev.E
1
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSS
门 - 体泄漏电流
（注）
-25
-22
-1
-10
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
毫伏/
o
C
-1.5
1.5
1.1
2
A
V
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
V
GS
= -2.7 V，I
D
= -0.25 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -0.5 A
T
J
=125°C
-0.65
2.1
-0.86
1.22
0.87
1.21
-0.5
-1
0.8
基本特征
V
GS （ TH）
/
T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压温度。系数
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
V
GS
= -2.7 V, V
DS
= -5 V
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -0.5 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
正向跨导
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注）
63
34
10
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -6 V，I
D
= -0.5 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 50
7
8
55
35
20
20
110
70
1.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -5 V，I
D
= - 0.25 A,
V
GS
= -4.5 V
1.1
0.32
0.25
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.5 A
（注）
-0.5
-0.89
-1.2
A
V
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDV304P Rev.E
1
1997年8月
FDV304P
数字场效应晶体管， P沟道
概述
此P沟道增强型场效应晶体管是
采用飞兆半导体专有的，高密度， DMOS生产
技术。这非常高密度的过程是针对减少
导通电阻低门极驱动条件。该装置是
特别适用于电池供电的应用而设计的应用
诸如笔记本电脑和移动电话。该装置
具有优异的导通状态电阻，即使在栅极驱动电压为
低到2.5伏。
特点
-25 V， -0.46一个连续的， -1.5 A峰值。
R
DS （ ON）
= 1.1
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 1.5
@ V
GS
= -2.7 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.5V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6kV人体模型
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
SOT-23
马克： 304
SuperSOT -6
TM
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDV304P
-25
-8
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
-0.46
-1.5
0.35
-55到150
6.0
最大功率耗散
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）
W
°C
kV
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
357
° C / W
1997仙童半导体公司
FDV304P Rev.E
1
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSS
门 - 体泄漏电流
（注）
-25
-22
-1
-10
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
毫伏/
o
C
-1.5
1.5
1.1
2
A
V
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
V
GS
= -2.7 V，I
D
= -0.25 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -0.5 A
T
J
=125°C
-0.65
2.1
-0.86
1.22
0.87
1.21
-0.5
-1
0.8
基本特征
V
GS （ TH）
/
T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压温度。系数
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
V
GS
= -2.7 V, V
DS
= -5 V
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -0.5 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
正向跨导
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注）
63
34
10
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -6 V，I
D
= -0.5 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 50
7
8
55
35
20
20
110
70
1.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -5 V，I
D
= - 0.25 A,
V
GS
= -4.5 V
1.1
0.32
0.25
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.5 A
（注）
-0.5
-0.89
-1.2
A
V
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDV304P Rev.E
1
QQ：2880707522 复制
