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订购数量: ENA0480
FSS173
三洋半导体
数据表
FSS173
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流( PW≤10s )
漏电流( PW≤10μs )
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
占空比= 1 %
占空比= 1 %
安装在陶瓷板( 1200毫米
2
!0.8mm),
PW≤10s
条件
评级
--45
±20
--6
--7
--24
2.4
150
--55到150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0V
VDS = -
-45V , VGS = 0V
VGS =
±16V,
VDS=0V
VDS = -
-10V , ID = - 1毫安
VDS = -
-10V ,ID = -
-6A
ID = - 6A , VGS = -
-10V
ID = - 3A , VGS = -
-4V
VDS = -
-20V , F = 1MHz的
VDS = -
-20V , F = 1MHz的
VDS = -
-20V , F = 1MHz的
评级
--45
--1
±10
--1.2
7.2
12
26
40
2580
265
210
35
56
--2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
标记: S173
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性,如生命支持系统的应用,
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前,
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数)
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
73106PA MS TB- 00002429号A0480-1 / 4
FSS173
从接下页。
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = - 24V , VGS = -
-10V , ID = - 6A
VDS = - 24V , VGS = -
-10V , ID = - 6A
VDS = - 24V , VGS = -
-10V , ID = - 6A
IS = - 6A , VGS = 0V
评级
典型值
30
48
210
95
46
7
8
--0.82
--1.5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7005-002
开关时间测试电路
VIN
VDD = --24V
8
5
0.3
0V
--10V
VIN
ID = --6A
RL=4
4.4
D
PW=10s
D.C.≤1%
6.0
VOUT
1
4
0.43
1.5
1.8最大
0.2
5.0
1 :源
2 :源
3 :源
4 :门
5 :排水
6 :排水
7 :漏
8 :排水
三洋: SOP8
G
FSS173
P.G
50
S
0.595
1.27
0.1
--6
ID - VDS
--8.0V
--12
ID - VGS
VDS = --10V
--3.5
V
--5
0V
漏极电流ID -
--3
.
--10
--4
漏极电流ID -
--10.0V
--4.
0
V
--8
--3
--5.
0V
--6
--6.
0
V
--2
--4
--1
--2
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
IT11339
0
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
--2.8
--3.2
--3.6
--4.0
漏极至源极电压VDS - V
栅极 - 源极电压VGS - V
25
°
C
--25
°
C
VGS = --2.5V
Ta=7
5
°
C
IT11340
第A0480-2 / 4
FSS173
80
RDS ( ON) - VGS
Ta=25
°C
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
80
70
60
50
40
30
20
10
0
--60
RDS ( ON) - TA
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
70
60
ID = --6A
50
--3A
40
30
20
10
0
--2
--
I D =
3A
,
4V
=
--
V GS
=
--1
, VGS
0V
--6A
I D =
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
3
y
fs - ID
IT11341
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
环境温度,钽 -
°C
IT11342
IS - VSD
VGS=0V
正向转移导纳,
y
fs - S
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
VDS =
--10V
C
25
°
C
5
°
--2
=
°
C
Tc
75
源出电流,是 - 个
TC =
75
°
C
0.1
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
漏极电流ID -
5
3
5 7 --10
IT11343
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.2
--0.4
--0.6
--25
°
C
--0.8
25
°
C
--1.0
--1.2
IT11344
SW时间 - ID
TD (关闭)
VDD “
--24V
VGS =
--10V
7
5
3
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
西塞
二极管的正向电压, VSD - V
切换时间, SW时间 - NS
2
西塞,科斯,的Crss - pF的
2
100
7
5
3
2
tf
1000
7
5
3
2
TD (上)
tr
科斯
CRSS
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
--35
--40
--45
10
7
--0.1
100
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
--10
IT11345
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
7
漏极电流ID -
--10
--9
VGS - 的Qg
漏极至源极电压VDS - V
IT11346
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS = --10V
ID = --6A
IDP = --24A
≤10s
1m
ID = --6A
--8
s
漏极电流ID -
10
10
DC
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0m
s
ms
10
op
er
a
s
n
在这一领域
由RDS ( ON)的限制。
TIO
--0.01
--0.01 2 3
Ta=25
°
C
单脉冲
安装在陶瓷板( 1200毫米
2
!0.8mm)
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
2 3
5 7
总栅极电荷QG - 数控
IT11347
漏极至源极电压VDS - V
IT11348
第A0480-3 / 4
FSS173
3.0
PD - TA
M
ou
允许功耗, PD - 含
2.5
2.4
2.0
nt
ed
on
ac
er
am
ic
1.5
bo
ar
d(
12
00
m
1.0
m
2
!
0.8
m
0.5
m
),
PW
1
140
0
0
20
40
60
80
100
120
0s
160
环境温度,钽 -
°C
IT11349
注意使用情况:由于FSS173是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范,并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,
并且不保证的性能,特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状,并指出不能
在一个独立的设备进行评估,客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障
可能引起事故或事件,危及人的生命,这可能会引起冒烟或
火,或可能造成损害的其他财产。在设计产品时,必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计,多余的设计和结构设计,电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品(包括技术数据和服务)
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规,控制,
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式,包括电子
或机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,没有三洋半导体有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为三洋半导体产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。三洋半导体相信本文资料是准确的
并对其使用在任何违反可靠,但不保证作出或暗示的保证
知识产权或其它第三方权利。
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更改,恕不另行通知。
PS第A0480-4 / 4
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FSS173
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    -
    -
    -
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
FSS173
SANYO
20+
20500
SOP-8
只做原装公司现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FSS173
SANYO/三洋
21+
66666
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
8643
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