2002年4月
FDG6313N
双N通道FET数字
概述
这些双N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。该装置已
特别是对于低电压应用中作为设计
替代双极数字晶体管和小
信号的MOSFET。
特点
25 V ， 0.50连续， 1.5 A峰值。
R
DS （ ON）
= 0.45
@ V
GS
= 4.5 V,
R
DS （ ON）
=0.60
@ V
GS
= 2.7 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
在3 V的电路操作（V
GS （ TH）
< 1.5V） 。
门源齐纳的ESD耐用性
（ >6kV人体模型） 。
紧凑的工业标准SC70-6表面
贴装封装。
SC70-6
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
G2
D1
S2
1或4的
*
6或3
.33
2或5
5或2
SC70-6
S1
G1
D2
3或6
4或1
*
*
引脚排列是对称的;管脚1和4可以互换。
在载体内的单位可以是定向的，并且不会影响设备的功能。
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
FDG6313N
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
漏源电压
栅源电压
漏/输出电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1 ）
25
- 0.5至+8
V
V
A
0.5
1.5
0.3
-55到150
6.0
W
°C
kV
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100 PF / 1500
)
热阻，结到环境
热特性
R
θJA
415
° C / W
FDG6313N Rev.A的
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25℃
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.5 A
T
J
=125°C
V
GS
= 2.7 V，I
D
= 0.2 A
o
25
26
1
10
100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压Temp.Coefficient
静态漏源导通电阻
0.65
0.8
-2.6
0.34
0.55
0.44
1.5
V
毫伏/ C
o
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.45
0.77
0.6
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
最大连续电流源
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 2.7 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 0.5 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
0.5
1.45
50
28
9
A
S
pF
pF
pF
6
18
30
25
2.3
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25
A
V
动态特性
开关特性
（注2 ）
V
DD
= 5 V，I
D
= 0.5 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 50
3
8.5
17
13
V
DS
= 5 V，I
D
= 0.5 A,
V
GS
= 4.5 V
1.64
0.38
0.45
漏源二极管的特性和最大额定值
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.25 A
（注2 ）
0.8
1.2
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
保证
通过设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
θ
JA
= 415
O
最低垫在静止空气中安装在FR- 4电路板C / W。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDG6313N版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
快
ActiveArray
FASTr
深不见底 FPS
CoolFET
FRFET
CROSSVOLT
GlobalOptoisolator
DOME
GTO
EcoSPARK HiSeC
E
2
CMOS
I
2
C
Ensigna
我罗
FACT
ImpliedDisconnect
FACT静音系列
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
一刀切。周围的世界。 OPTOPLANAR
吃豆
电源特许经营
POP
可编程有源下垂
Power247
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
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