FSL9110D ， FSL9110R
数据表
1998年10月
文件编号4225.3
2.5A ， -100V ， 1.30欧姆，抗辐射， SEGR
性，P沟道功率MOSFET
Intersil公司的分立产品经营已开发出
系列抗辐射的MOSFET具体来说的
专为商业和军事空间应用。
增强型功率MOSFET的抗单粒子效应
（ SEE） ，单粒子栅穿（ SEGR ） ，特别是
结合100K RADS总剂量的硬度，以提供
它非常适合于恶劣的太空设备
环境。剂量率和中子公差
必要的军事应用还没有得到的牺牲网络土木工程署。
的耐SEGR辐射Intersil的产品组合硬化
包括MOSFET的N沟道和P沟道的设备
各种电压，电流和导通电阻的评分。
众多的包装选项也可用。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
的垂直DMOS音响场效晶体管（ VDMOS ）
结构。它是专门设计和加工成
耐辐射。 MOSFET被非常适用于
暴露于辐射的环境中，例如应用
开关调节，开关转换器，电动机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
可靠性筛选可以作为任何商业，热力膨胀阀
MIL-S- 19500 ，或空间等效的等效
MIL -S - 19500 。联系Intersil公司的任何期望偏差
从数据表。
特点
2.5A ， -100V ，R
DS （ ON）
= 1.30
总剂量
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD （SI ）
单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
同
V
DS
高达80％的额定击穿和
V
GS
10V关偏置的
剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司（SI ） / s的80 ％ BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
DM
光电流
- 0.3nA每- RAD （SI ） / s的典型
中子
- 维持前期-Rad公司特定网络阳离子
对于3E13中子/平方厘米
2
- 可用来3E14中子/平方厘米
2
符号
D
G
S
订购信息
RAD LEVEL
10K
10K
100K
100K
100K
筛选LEVEL
广告
TXV
广告
TXV
空间
零件编号/ BRAND
FSL9110D1
FSL9110D3
FSL9110R1
FSL9110R3
FSL9110R4
G
D
S
包
TO-205AF
4-1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
FSL9110D ， FSL9110R
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
FSL9110D ， FSL9110R
-100
-100
2.5
1.5
7.5
±20
15
6
0.12
7.5
2.5
7.5
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W/
o
C
A
A
A
o
C
o
C
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩电流， L = 100μH ， （见测试图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
AS
连续源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
S
脉冲源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SM
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
（距离＆ GT ; 0.063in （ 1.6毫米）从表壳， 10秒最大）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
民
-100
-
-2.0
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至-20V
V
GS
= 0V至-12V
V
GS
= 0V至-2V
V
DD
= -50V,
I
D
= 2.5A
-
-
-
-
-
I
D
= 2.5A ，V
DS
= -15V
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.00
-
-
-
-
-
-
7.0
-
1.9
3.4
-7
175
70
20
8.3
175
最大
-
-7.0
-6.0
-
25
250
100
200
-3.58
1.30
2.16
20
45
40
45
14
7.9
0.64
2.1
3.8
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
A
A
nA
nA
V
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
I
DSS
I
GSS
V
DS （ ON）
r
DS(ON)12
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g(12)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
（高原）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= -80V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
门源漏电流
漏极至源极通态电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -12V ，我
D
= 2.5A
I
D
= 1.5A,
V
GS
= -12V
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极电荷，在12V
阈值的栅极电荷
栅极电荷源
门电荷泄漏
高原电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DD
= -50V ，我
D
= 2.5A,
R
L
= 20, V
GS
-12V,
R
GS
= 7.5
4-2
FSL9110D ， FSL9110R
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 2.5A
I
SD
= 2.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
（注3）
（注3）
（注2,3）
（注3）
（注1,3）
（注1,3）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS （ ON）
r
DS(ON)12
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0, V
DS
= -80V
V
GS
= -12V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= -12V ，我
D
= 1.5A
民
-100
-2.0
-
-
-
-
最大
-
-6.0
100
25
-3.58
1.30
单位
V
V
nA
A
V
民
-0.6
-
典型值
-
-
最大
-1.8
110
单位
V
ns
电气连接特定阳离子高达100K RAD
参数
漏极至源极击穿电压
门源阈值电压
门到车身泄漏
零栅漏
漏极至源极导通状态电压
漏极至源极导通电阻
注意事项：
1.脉冲测试， 300μS最大。
2.绝对价值。
3.原位伽玛偏见必须被采样为V
GS
= -12V, V
DS
= 0V和V
GS
= 0V, V
DS
= 80％ BV
DSS
.
单粒子效应（ SEB ， SEGR ）
注4
环境
（注5 ）
TEST
单粒子效应的安全工作区
符号
SEESOA
离子
种
Ni
Br
Br
Br
注意事项：
4.测试在布鲁克海文国家实验室进行的;由海军水面作战中心（ NSWC ） ，起重机，IN赞助。
5.通量= 1E5离子/ cm
2
（典型值） ，T = 25
o
C.
6，不表现出单粒子烧毁（ SEB ）和单粒子栅穿（ SEGR ） 。
典型LET
（兆电子伏/毫克/平方厘米）
26
37
37
37
典型
范围（ μ ）
43
36
36
36
应用的
V
GS
BIAS
(V)
20
10
15
20
（注6 ）
最大
V
DS
BIAS （ V）
-100
-100
-80
-50
典型性能曲线
除非另有规定编
LET = 26MeV /毫克/平方厘米
2
，范围= 43μ
LET = 37MeV /毫克/平方厘米
2
，范围= 36μ
-120
-100
-80
V
DS
(V)
-60
-40
-20
TEMP = 25
o
C
0
0
5
10
V
GS
(V)
15
20
25
LIMITING电感（ HENRY ）
能量密度= 1E5离子/厘米
2
（典型值）
1E-3
1E-4
ILM = 10A
30A
1E-5
100A
300A
1E-6
1E-7
-10
-30
-100
漏极电压（V）
-300
-1000
图1.单粒子效应的安全工作区
图2.漏极电感REQUIRED在于限制
GAMMA DOT电流为I
AS
4-3
QQ：2880707522 复制
