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PNP硅平面中功率
高增益晶体管
第1期 - 1997年1月
特点
* V
首席执行官
= -25V
* 4安培连续电流
* 10安培脉冲电流
*低饱和电压
*高增益
FZT1149A
C
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-30
-25
-5
-10
-4
-500
2.5
-55到+150
SOT223
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
可消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.与铜等于2英寸×2英寸
FZT1149A
电气特性（在T
AMB
= 25°C ).
价值
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
符号
分钟。
V
（ BR ） CBO
V
CES
V
首席执行官
V
CEV
-30
-25
-25
-25
-5
典型值。
-70
-60
-60
-60
-8.5
-0.3
-0.3
-0.3
-45
-100
-140
-170
-230
-960
-860
270
250
195
115
450
400
320
190
50
135
50
150
270
-100
-100
-100
-80
-170
-240
-260
-350
-1050
-1000
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
= -10mA *
I
C
= -100μA ，V
EB
=+1V
I
E
=-100A
V
CB
=-24V
V
EB
=-4V
V
CE
=-20V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-1.0mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-3mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-7mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-30mA*
I
C
= -4A ，我
B
=-140mA*
I
C
= -4A ，我
B
=-140mA*
I
C
= -4A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V*
发射极 - 基极击穿V
（ BR ） EBO
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
800
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
cb
t
on
t
关闭
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
VCB = - 10V ， F = 1MHz的
I
C
= -4A ，我
B
=-40mA,
V
CC
=-10V
I
C
= -4A ，我
B
=±40mA,
V
CC
=-10V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%.
FZT1149A
典型特征
1.0
+25°C
1.0
IC/IB=100
0.8
0.8
IC/IB=10
IC/IB=50
IC/IB=100
IC/IB=200
V
CE （ SAT ）
- (V)
VCE （SAT） - （V ）
0.6
0.6
-55°C
+25°C
+100°C
0.4
0.4
0.2
0.2
0
1m
10m
100m
1
10
100
0
1m
10m
100m
1
10
100
I
C
- 集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
I
C
- 集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
750
VCE=2V
1.6
IC/IB=100
h
FE
- 典型增益
500
V
BE （ SAT ）
- (V)
+100°C
+25°C
-55°C
1.2
0.8
250
0.4
-55°C
+25°C
+100°C
0
1m
10m
100m
1
10
100
0
1m
10m
100m
1
10
100
I
C
- 集电极电流（ A）
h
FE
V I
C
I
C
- 集电极电流（ A）
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.2
VCE=2V
10
0.8
I
C
- 集电极电流（ A）
V
BE（上）
- (V)
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
0.4
-55°C
+25°C
+100°C
100m
0
1m
10m
100m
1
10
100
10m
100m
1
10
100
I
C
- 集电极电流（ A）
V
BE（上）
V I
C
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
安全工作区
FZT1149A
热特性
4
热阻（ ° C / W）
50
40
D=1
t1
D=t1
tP
tP
最大功率耗散 - （瓦特）
3
30
20
10
0
100s
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
单脉冲
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1ms
10毫秒100毫秒
1s
10s
100s
脉冲宽度
牛逼 - 环境温度（ ° C）
瞬态热阻
降额曲线
SPICE参数
* ZETEX FZT1149A Spice模型修订97年10月1日
*
.MODEL
FZT1149A PNP IS = 9.5e - 13 NF = 1.002 ISE = 1.2E - 13 NE = 1.4
+
BF = 520 VAF = 24.97 IKF = 5 NR = 0.997
+
ISC = 4.5E - 13 NC = 1.25 BR = 40 VAR = 2.51 IKR = 0.7
+
RE = 20E - 3 RB = 150E - 3 RC = 10E - 3 CJE = 490E - 12
+
CJC = 150E - 12 VJC = 1.094 MJC = 0.4739 TF = 1E- 9 TR = 3.5E - 9
*
*
1995年ZETEX PLC
在这个模型中，体现了设计的版权属于Zetex的PLC （捷特科?? ??） 。它提供
无偿的Zetex为研究和设计，而且其目的的，可以使用或复制完整
（包括本通知）仅这一目的。所有其他权利均予以保留。该模型被认为是
准确，但没有条件或保证其适销性或适用性，并给出
对于任何使用不承担任何责任由Zetex的PLC ，它的经销商或代理商接受。
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