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FSAM20SL60
FSAM20SL60
SPM
TM
(智能功率模块)
概述
FSAM20SL60是一种先进的智能功率模块( SPM )
这飞兆半导体新开发和设计提供
非常紧凑和高性能的交流马达驱动器,主要
针对低速低功耗变频驱动应用
像空调。它结合了优化的电路保护
和相匹配的驱动低损耗IGBT的。卓有成效
短路电流检测/保护通过实现
采用先进的电流感测IGBT芯片,使
连续监测IGBT的电流。系统
可靠性是通过内置的过进一步增强
温度监控和集成欠压锁相
出保护。高速内置HVIC中提供光耦
耦合器少IGBT栅极驱动能力,进一步缩小
的逆变器系统的整体大小。此外,该
集成的HVIC方便使用单电源驱动器
拓扑结构使FSAM20SL60通过仅驱动
一个驱动器的电源电压没有负面的偏见。变频器
电流传感应用程序可以由于可以实现
分立的负端子。
特点
UL认证号E209204
600V -20A三相IGBT逆变桥,包括控制
IC,用于栅极驱动和保护
逆变器电流分立的负直流母线端子
传感应用
因单端接地电源内置HVIC
3kHz的典型开关频率
内置热敏电阻器超温监测
1.5kW的变频器的额定功率/ 100 253伏交流
的2500Vrms的/ min的额定隔离电压。
由于采用陶瓷基板非常低的漏电流
通过改变串联可调电流保护水平
电阻值感, IGBT的
应用
AC 100V 253V的三相逆变器驱动小功率
( 1.5kW的)交流电机驱动器
要求低开关家电应用
像空调机驱动系统的工作频率
应用程序评分:
- 功率:1.5kw / 100 253伏交流
- 开关频率: 3kHz的典型( PWM控制)
- 100 %负载电流: 8A ( IRMS )
- 150%负载电流: 12A (IRMS )进行1分钟
外形图
顶视图
底部视图
60mm
31mm
图。 1 。
2003仙童半导体公司
Rev. D的, 2003年8月
FSAM20SL60
集成电源功能
600V -20A的IGBT逆变器,用于3相DC / AC功率转换(请参考图3)的
集成驱动,保护和系统控制功能
对于逆变器的高侧IGBT :门极驱动电路,高压隔离的高速电平转换
控制电路欠压(UV)保护
注)可用的自举电路的例子中给出了图14and 15 。
对于逆变器低压侧IGBT :门极驱动电路,短路( SC )保护
控制电源电路欠压( UV)保护
温度监控:系统超温监测使用内置的热敏电阻
注)推介的温度监视电路示于图。 15 。
故障信号:对应于短路故障(低端IGBT )或欠压故障(低侧控制电源电路)
输入接口: 5V CMOS / LSTTL兼容,施密特触发输入
引脚配置
顶视图
(1) V
CC (L)的
( 2 ) COM
(L)
(3)在
(UL)的
(4)在
( VL)的
(5)在
( WL )
( 6 ) COM
(L)
(7) FO
(8) C
FOD
(9) C
SC
(10) R
SC
(11)在
(UH )
(12) V
CC ( UH )
(13) V
B( U)
(14) V
S( U)
(15)在
(V H)
( 16 ) COM
(H)
(17) V
CC (V H)
(18) V
B( V)
(19) V
S( V)
(20)在
( WH )
(21) V
CC ( WH )
(22) V
B( W)
(23) V
S( W)的
(24) V
TH
(25) R
TH
(26) N
U
(27) N
V
(28) N
W
(29) U
外壳温度(T
C
)
检测点
(30) V
(31) W
陶瓷基板
(32) P
图。 2 。
2003仙童半导体公司
Rev. D的, 2003年8月
FSAM20SL60
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
引脚名称
V
CC (L)的
COM
(L)
IN
(UL)的
IN
( VL)的
IN
( WL )
COM
(L)
V
FO
C
FOD
C
SC
R
SC
IN
(UH )
V
CC ( UH )
V
B( U)
V
S( U)
IN
(V H)
COM
(H)
V
CC (V H)
V
B( V)
V
S( V)
IN
( WH )
V
CC ( WH )
V
B( W)
V
S( W)的
V
TH
R
TH
N
U
N
V
N
W
U
V
W
P
引脚说明
低端常见的偏置电压IC和IGBT驱动
低端公共电源地
信号输入为低侧U相
信号输入为低侧V相
信号输入的低端W相的
低端公共电源地
故障输出
电容器故障输出持续时间选择
电容(低通滤波器)的短路电流检测输入
电阻短路电流检测
信号输入为高侧U相
高侧偏置电压为U相的IC
高侧偏置电压为U相的IGBT驱动
高端辅助供电的地U相的IGBT驱动
信号输入为高端V相
高侧公共电源地
高侧偏置电压V相IC
高侧偏置电压V相IGBT驱动
高端辅助供电的地V相IGBT驱动
信号输入为高端W相的
高侧偏置电压为W相的IC
高侧偏置电压为W相的IGBT驱动
高端辅助供电的地W相的IGBT驱动
热敏电阻偏置电压
系列电阻器热敏电阻的使用(温度检测)
直流母线电压负输入U相
直流母线电压负输入为V相
直流母线电压负输入W相
输出U相
输出V阶段
输出W相的
正直流母线输入
2003仙童半导体公司
Rev. D的, 2003年8月
FSAM20SL60
内部等效电路和输入/输出引脚
底部视图
(22) V
B( W)
(21) V
C C ( W H )
(20)在
( W H )
(23) V
S( W)的
(18) V
B( V)
(17) V
C C ( VH )
( 16 ) C 0 M
(H )
(15)在
(V H)
(19) V
S( V)
(13) V
B( U)
(12) V
C C ( UH )
(11)在
(U高)
(14) V
S( U)
(10) R
SC
(9) C
SC
(8) C
FO
(7) V
FO
( 6 ) C 0 M
(L)
(5)在
(W L)的
(4)在
( VL)的
(3)在
(U L)
( 2 ) C 0 M
(L)
(1) V
C C (L )
VB
VC
COM
IN
OUT
VS
(32) P
(31) W
VB
VC
COM
IN
OUT
VS
(30) V
VB
VC
COM
IN
VS
(29) U
OUT
C( S·C )
℃(°F O D用)
VF
ü T( W L )
(28) N
W
在( W L )
在(V L)的
IN (U L)
C 0 M( L)
VC
(26) N
U
对RM ISTO
ü T( V L)
(27) N
V
ü T( ü L)
(25) R
牛逼
(24) V
牛逼
注意:
1)逆变器低端由三个感- IGBT的,包括续流二极管,每个IGBT和一个控制集成电路具有栅极驱动,电流感应和
保护功能。
2 )逆变器电源侧由四个逆变器直流母线输入引脚和三个逆变器输出引脚。
3 )逆变器的高侧由三个正常的IGBT ,包括续流二极管和每个IGBT的三个驱动器集成电路。
图。 3 。
2003仙童半导体公司
Rev. D的, 2003年8月
FSAM20SL60
绝对最大额定值
逆变部分
电源电压
电源电压(浪涌)
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流(峰值)
集电极耗散
工作结温
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
V
PN
V
PN (浪涌)
V
CES
± I
C
± I
C
± I
CP
P
C
T
J
条件
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
P- n的应用
U
, N
V
, N
W
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C,
瞬时值(脉冲)
T
C
每一片= 25°C
(注1 )
等级
450
500
600
20
14
40
58
-20 ~ 125
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
注意:
1.将建议平均结温度应限制至T
J
125°C ( @T
C
100℃) ,以保证安全运行。
控制部分
控制电源电压
高侧控制偏置电压
输入信号电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
符号
条件
V
CC
V的应用
CC ( UH )
, V
CC (V H)
, V
CC ( WH )
- COM
(H)
,
V
CC (L)的
- COM
(L)
V
BS
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
V的应用
B( U)
- V
S( U)
, V
B( V)
- V
S( V)
, V
B( W)
-
V
S( W)的
在应用之间
(UH )
(V H)
( WH )
- COM
(H)
IN
(UL)的
( VL)的
( WL )
- COM
(L)
V的应用
FO
- COM
(L)
吸收电流在V
FO
C的差别应用
SC
- COM
(L)
等级
20
20
-0.3~V
CC
+0.3
-0.3~V
CC
+0.3
5
-0.3~V
CC
+0.3
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
自我保护限制电压
(短路保护功能)
工作壳温
储存温度
隔离电压
符号
条件
V
PN ( PROT )
V
CC
= V
BS
= 13.5 ~ 16.5V
T
J
= 25℃时,非重复性,小于为6μs
T
C
T
英镑
V
ISO
60Hz的正弦,AC 1分钟,连接
引脚散热片板
注意图2
等级
400
-20 ~ 100
-20 ~ 125
2500
单位
V
°C
°C
V
RMS
2003仙童半导体公司
Rev. D的, 2003年8月
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