【我们所有的客户关于文件中提到的名字，如三菱的变化电气和三菱XX ，瑞萨科技公司日立和三菱电机的半导体】,IC型号FS14KM-10A,FS14KM-10A PDF资料,FS14KM-10A经销商,ic,电子元器件-51电子网

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FS14KM-10A

高速开关使用

FS14KM-10A

外形绘图

10

±

0.3

尺寸（mm）

2.8

±

0.2

15

±

0.3

φ

3.2

±

0.2

14

±

0.5

3.6

±

0.3

1.1

±

0.2

1.1

±

0.2

0.75

±

0.15

6.5

±

0.3

3

±

0.3

0.75

±

0.15

2.54

±

0.25

2.54

±

0.25

2.6

±

0.2

G

10V驱动器

G

V

DSS ................................................. ..............................

500V

G

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

0.64

G

I

D .........................................................................................

14A

门

漏

来源

TO-220FN

应用

开关电源， AC适配器，电源打印机，复印机，电视机，录像机。等等

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

L = 200μH

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

500

±30

14

42

14

35

–55 ~ +150

4.5

±

0.2

单位

V

A

W

°C

V

g

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

2000

2.0

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FS14KM-10A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

GS

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±25V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 500V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 7A ，V

GS

= 10V

I

D

= 7A ，V

GS

= 10V

I

D

= 7A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

500

±30

—

2.5

—

6.6

—

典型值。

—

3.0

0.50

3.50

11.0

1500

150

35

25

40

190

50

1.5

—

马克斯。

—

±10

1

3.5

0.64

4.48

—

2.0

3.57

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

V

DD

= 200V ，我

D

= 7A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 7A ，V

GS

= 0V

渠道情况

性能曲线

功耗降额曲线

50

最大安全工作区

7

5

3

2

功耗P

D

(W)

40

漏电流I

D

(A)

10

1

7

5

3

2

7

5

3

2

TW =

10s

100s

1ms

10

ms

30

10

0

T

C

= 25°C

单脉冲

20

10

–1

7

5

3

2

DC

2 3

5 7

10

1

2 3

5 7

10

2

2 3

5 7

0

50

100

150

200

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

50

P

D

= 35W

T

C

= 25°C

脉冲测试

输出特性

（典型值）

20

P

D

= 35W

漏电流I

D

(A)

40

漏电流I

D

(A)

16

V

GS

= 20V,10V,8V,6V

30

V

GS

= 20V,10V

8V,6V

12

5V

20

5V

8

T

C

= 25°C

脉冲测试

10

2

0

10

20

30

40

50

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FS14KM-10A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

40

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

2.0

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

32

1.6

24

I

D

= 25A

1.2

V

GS

= 10V

16

20A

14A

7A

0.8

= 20V

8

0.4

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

0

4

8

12

16

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

40

10

2

7

5

3

2

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

32

10

1

7

5

3

2

T

C

= 25°C,75°C,125°C

24

16

10

0

7

5

3

2

V

DS

= 10V

脉冲测试

2

3

5 7

10

1

2

3

5 7

10

2

8

0

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

0

4

8

12

16

20

10

–1 0

10

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

开关特性

（典型值）

10

3

7

5

T

C

H = 25℃

V

GS

= 10V

V

DD

= 200V

R

根

= R

GS

= 50

t

D（关闭）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞

切换时间（纳秒）

3

2

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

T

C

H = 25℃

V

GS

= 0V

F = 1MH

Z

3

2

科斯

10

2

7

5

3

2

t

f

t

r

t

D（上）

CRSS

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3

10

1

0

10

2

3

5 7

10

1

2

3

5 7

10

2

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

2001年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FS14KM-10A

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

T

C

=

25°C

75°C

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

20

16

源电流我

S

(A)

V

DS

=

100V

200V

400V

32

12

24

125°C

8

16

4

T

C

H = 25℃

I

D

= 14A

8

V

GS

= 0V

脉冲测试

0

20

40

60

80

100

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 10V

7

I

D

= 7A

5

脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

5.0

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

4.0

3.0

10

0

7

5

3

2

2.0

1.0

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH-C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5 D = 1.0

3 = 0.5

2

1.2

10

0

= 0.2

7

5 = 0.1

3 = 0.05

2 = 0.02

1.0

0.8

P

DM

= 0.01

tw

T

D

=

tw

T

10

–1

7

5

3

2

0.6

单脉冲

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

脉冲宽度t

w

(s)

沟道温度Tch （ ° C）

2001年9月