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我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如三菱的变化
电气和三菱XX ,瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然三菱电机,三菱电机株式会社,三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中,这些名称
已在事实上,所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标,标识和公司声明,没有改变任何已经
到文档中的内容作出,而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注:三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱N沟道功率MOSFET
FS5VS-5
高速开关使用
FS5VS-5
外形绘图
r
1.5MAX.
尺寸(mm)
4.5
1.3
10.5MAX.
1.5MAX.
8.6 ± 0.3
9.8 ± 0.5
3.0
–0.5
+0.3
0
+0.3
–0
1
5
0.8
0.5
Q宽E
wr
2.6 ± 0.4
q
V
DSS ................................................. ..............................
250V
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... .....................
1.3
I
D ...........................................................................................
5A
q
w
e
来源
r
e
TO-220S
应用
开关电源, DC-DC转换器,电池充电器,电源
供应打印机,复印机,硬盘,软驱,电视,录像机, per-
SONAL电脑等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
ch
T
英镑
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
250
±30
5
15
60
–55 ~ +150
–55 ~ +150
1.2
4.5
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999
典型的价值
(1.5)
三菱N沟道功率MOSFET
FS5VS-5
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
参数
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 2A ,V
GS
= 10V
I
D
= 2A ,V
GS
= 10V
I
D
= 2A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
250
±30
2
1.6
典型值。
3
1.0
2.0
2.5
270
55
10
11
13
32
22
1.5
马克斯。
±10
1
4
1.3
2.6
2.0
2.08
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 150V ,我
D
= 2A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50
I
S
= 2A ,V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
100
功耗P
D
(W)
最大安全工作区
5
3
2
漏电流I
D
(A)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
tw=10s
100s
1ms
10ms
DC
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
10
–1
7
5
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
(典型值)
V
GS
= 20V
10V
6V
P
D
=
60W
T
C
= 25°C
单脉冲
案例温度T
C
(°C)
输出特性
(典型值)
V
GS
= 20V
10V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
7V
10
5
漏电流I
D
(A)
8 P
D
=
60W
6
4
3
T
C
= 25°C
脉冲测试
2
5.5V
5V
6V
4
5V
2
1
4.5V
4V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS5VS-5
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
40
5
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
T
C
= 25°C
脉冲测试
4
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
()
24
I
D
= 10A
16
8A
8
5A
3A
20
3
V
GS
= 10V
2
20V
1
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
10
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
V
DS
= 10V
脉冲测试
T
C
= 25°C
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
8
6
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
75°C
125°C
4
2
0
0
4
8
12
16
20
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
10
3
7
5
西塞
3
2
开关特性
(典型值)
TCH = 25°C
V
DD
= 150V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
10
1
7
5
3
2
10
0
10
–1
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
t
r
10
2
7
5
3
2
切换时间(纳秒)
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
3
2
10
2
7
5
3
2
科斯
10
1
CRSS
7
5总胆固醇= 25°C
F = 1MHz的
3 V
GS
= 0V
2
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS5VS-5
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
20
20
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
16
源电流我
S
(A)
TCH = 25°C
I
D
= 5A
V
DS
= 50V
100V
200V
8
16
T
C
= 125°C
12
25°C
75°C
4
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH-C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5
3 D=1
2
0.5
10
0
7 0.2
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
0.1
1.0
0.8
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D = TW
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch ( ° C)
三菱N沟道功率MOSFET
FS5VS-5
高速开关使用
FS5VS-5
外形绘图
r
1.5MAX.
尺寸(mm)
4.5
1.3
10.5MAX.
1.5MAX.
8.6 ± 0.3
9.8 ± 0.5
3.0
–0.5
+0.3
0
+0.3
–0
1
5
0.8
0.5
Q宽E
wr
2.6 ± 0.4
q
V
DSS ................................................. ..............................
250V
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... .....................
1.3
I
D ...........................................................................................
5A
q
w
e
来源
r
e
TO-220S
应用
开关电源, DC-DC转换器,电池充电器,电源
供应打印机,复印机,硬盘,软驱,电视,录像机, per-
SONAL电脑等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
ch
T
英镑
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
250
±30
5
15
60
–55 ~ +150
–55 ~ +150
1.2
4.5
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999
典型的价值
(1.5)
三菱N沟道功率MOSFET
FS5VS-5
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
参数
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 2A ,V
GS
= 10V
I
D
= 2A ,V
GS
= 10V
I
D
= 2A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
250
±30
2
1.6
典型值。
3
1.0
2.0
2.5
270
55
10
11
13
32
22
1.5
马克斯。
±10
1
4
1.3
2.6
2.0
2.08
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
V
DD
= 150V ,我
D
= 2A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50
I
S
= 2A ,V
GS
= 0V
渠道情况
性能曲线
功耗降额曲线
100
功耗P
D
(W)
最大安全工作区
5
3
2
漏电流I
D
(A)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
tw=10s
100s
1ms
10ms
DC
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
10
–1
7
5
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
(典型值)
V
GS
= 20V
10V
6V
P
D
=
60W
T
C
= 25°C
单脉冲
案例温度T
C
(°C)
输出特性
(典型值)
V
GS
= 20V
10V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
7V
10
5
漏电流I
D
(A)
8 P
D
=
60W
6
4
3
T
C
= 25°C
脉冲测试
2
5.5V
5V
6V
4
5V
2
1
4.5V
4V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS5VS-5
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
40
5
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
T
C
= 25°C
脉冲测试
4
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
()
24
I
D
= 10A
16
8A
8
5A
3A
20
3
V
GS
= 10V
2
20V
1
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
10
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
V
DS
= 10V
脉冲测试
T
C
= 25°C
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
8
6
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
75°C
125°C
4
2
0
0
4
8
12
16
20
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
10
3
7
5
西塞
3
2
开关特性
(典型值)
TCH = 25°C
V
DD
= 150V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
10
1
7
5
3
2
10
0
10
–1
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
t
r
10
2
7
5
3
2
切换时间(纳秒)
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
3
2
10
2
7
5
3
2
科斯
10
1
CRSS
7
5总胆固醇= 25°C
F = 1MHz的
3 V
GS
= 0V
2
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS5VS-5
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
20
20
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
16
源电流我
S
(A)
TCH = 25°C
I
D
= 5A
V
DS
= 50V
100V
200V
8
16
T
C
= 125°C
12
25°C
75°C
4
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH-C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5
3 D=1
2
0.5
10
0
7 0.2
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
0.1
1.0
0.8
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D = TW
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch ( ° C)
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